佐々木孝友 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】フラックス法によるGaN製造で、GaN自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する。【解決手段】坩堝26−1〜4とGaN自立基板の配置方法を4例示す。図1.A:坩堝26−1の斜め上を向いた平面状の内壁に自立基板10の窒素面を密着させる。図1.B:坩堝26−2の水平方向を向いた平面状の内壁に自立基板10の窒素面を密着させ治具ST−2で固定。図1.C:坩堝...

    III族窒化物系化合物半導体の製造方法

  2. 【課題】フラックス法によるGaN製造で、GaN自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する。【解決手段】坩堝26−1〜4とGaN自立基板の配置方法を4例示す。図1.A:坩堝26−1の斜め上を向いた平面状の内壁に自立基板10の窒素面を密着させる。図1.B:坩堝26−2の水平方向を向いた平面状の内壁に自立基板10の窒素面を密着させ治具ST−2で固定。図1.C:坩堝...

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