中柴康隆 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】光導波路を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】半導体装置SD1は、クラッド層(第1絶縁層IL)および第1光導波路OW1を有する。第1光導波路OW1は、第1絶縁層IL上に形成されている。第1光導波路OW1の末端面ES1は、クラッド層の表面の垂線に対して傾斜している。半導体装置の製造方法は、第1光導波路OW1の末端面ES1が、クラッド層の表面の垂線に対...

    半導体装置およびその製造方法

  2. 【課題】光導波路を有する半導体装置の製造コストを低減する。【解決手段】半導体装置は、基板、光学素子および半導体素子を有する。基板は、互いに異なる領域である第1領域および第2領域を含む。光学素子は、第1領域および第2領域の一方に形成されている。電気素子は、第1領域および第2領域の他方に形成されている。第1領域は、第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された第1半導体層と、を有...

    半導体装置およびその製造方法

  3. 【課題】光変調器の長さを短くすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、光変調器を備える。光変調器は、第1方向に沿って延在しているとともに、第1方向に交差する第2方向において隣り合って配置されている第1変調部及び第2変調部と、第1変調部を通過した光を第2変調部へと伝搬させる光導波路とを有する。第1変調部、第2変調部及び光導波路は、絶...

    半導体装置及び半導体装置の製造方法

  4. 【課題】半導体モジュールの信頼性を向上させる。【解決手段】半導体モジュールMJは、チップCP1およびチップCP2を有する。チップCP1では、多層配線層である配線M1a〜M5aのうち配線M1aの一部がインダクタID1を構成し、チップCP2では、多層配線層である配線M1b〜M5bのうち配線M1bの一部がインダクタID2を構成している。チップCP2は、チップCP1上に搭載さ...

    半導体モジュールおよび半導体パッケージ、並びに、それらの製造方法

  5. 【課題】半導体モジュールの信頼性を向上させる。【解決手段】半導体モジュールMJ1は、MISFET1Qなどの半導体素子の上方に形成された配線M1a〜M5aを備える半導体チップCP1と、配線M5aが露出するように、半導体チップCP1を覆う封止樹脂部MRと、配線M5aの上層である再配線RW1、RW2に形成されたインダクタID1、ID2とを有する。インダクタID1、ID2は、...

    半導体モジュールおよびその製造方法

  6. 【課題】光導波路を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された光導波路と、光導波路を覆うように、第1絶縁層上に形成された固定電荷層と、固定電荷層上に形成された第2絶縁層と、を有する。

    半導体装置およびその製造方法

  7. 【課題】光導波路を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】半導体装置SD1は、第1絶縁層IL1、グレーティングカプラGC、第2絶縁層IL2および光屈折膜LR1を有する。グレーティングカプラGCは、第1絶縁層IL1上に形成されたコア部GCCと、コア部GCC上に形成されており、かつ互いに並列している複数の突部PJと、を有する。第2絶縁層IL2は、第1絶縁層IL1上...

    半導体装置およびその製造方法

  8. 【課題】光導波路を有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、第1絶縁層、光導波路、第2絶縁層およびヒータを有する。光導波路および第2絶縁層は、第1絶縁層上に形成されている。第2絶縁層は、溝を有する。ヒータは、光導波路から離間するように溝内に形成されている。ヒータは、第1延在部、第2延在部および接続部を有する。第1延在部は、平面視において、光導波路...

    半導体装置

  9. 【課題】光導波路を有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、互いに表裏の関係にある第1面および第2面を含む基板と、基板の第1面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成され、半導体層で構成された光導波路と、を有する。基板の第2面には、第1開口部が形成されている。第1開口部は、平面視において、光導波路と重なっている。

    半導体装置およびその製造方法

  10. 【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置は、光導波路WGと、光導波路WGに接続されたグレーティングカプラGCとを備え、グレーティングカプラGCは、交互に配置された複数の格子溝GGと複数の格子歯GTとを含む。そして、格子歯GTは、半導体層SLの主面SLa側に形成された凸部SLpと、凸部SLp上に形成されたキャップ層CPとの積層構造で構成され、半導体層...

    半導体装置およびその製造方法

  11. 【課題】大きな沿面距離を有し、高い絶縁耐圧を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1インダクタID1と第2インダクタID2とが対向するように第1半導体チップSC1と第2半導体チップSC2とが積層されている。絶縁シートISは、第1半導体チップSC1と第2半導体チップSC2との間に配置されている。封止材SMは、第1半導体チップSC1、第2半導体チップ...

    半導体装置およびその製造方法

  12. 【課題】小型化を図ることができる半導体装置とその製造方法とを提供する。【解決手段】 半導体装置SDVでは、第1半導体チップSCP1と第2半導体チップSCP2とが接合されている。第1半導体チップSCP1では、第1インダクタエリアIDA1とゲートドライバエリア第1部GDA1等とが規定されている。ゲートドライバエリア第1部GDA1には、ゲートドライバ第1部GDL1が形成さ...

    半導体装置およびその製造方法

  13. 【課題】機器の小型化及び経時劣化の抑制が可能となる制御システムを提供する。【解決手段】一実施形態に係る制御システムは、スイッチング素子と、スイッチング素子の導通状態を制御する制御部と、制御部に供給される電荷を蓄積する第1キャパシタとを備えている。第1キャパシタ及び制御部は、スイッチング素子を介して互いに接続されている。

    制御システム、半導体装置及び半導体装置の製造方法

  14. 【課題】半導体モジュールの性能を向上させる。【解決手段】半導体モジュールMJは、半導体チップCHP1および半導体チップCHP2を有する。半導体チップCHP1は、光導波路WG1、受光器ORおよびグレーティングカプラGCなどの光デバイスと、光デバイスの上方に形成された配線M2aとを備える。半導体チップCHP2は、半導体基板SB2に形成されたMISFET1Q〜3Qなどの半導...

    半導体モジュールおよびその製造方法、並びに、半導体モジュールを用いた通信方法

  15. 【課題】絶縁膜を厚くすることなく第1インダクタと第2インダクタとの間の耐圧が確保される半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置SDVは、第1回路FCTが形成された第1半導体チップSCP1および2回路SCTが形成された第2半導体チップSCP2を備えている。第1半導体チップSCP1には、第1回路FCTに電気的に接続されている送信側の第1インダクタFIDと、ボンディング...

    半導体装置およびその製造方法