中村勝 さんに関する公開一覧

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  1. 技術 ホウ素中性子捕捉療法用システム

    【課題・解決手段】目標座標における被検者の輪郭の最高点のＺ座標の値が、高さリミットを越える場合には（Ｓ１２：ＹＥＳ）、被検者の輪郭の最高点が高さリミットを越えた分だけＺ軸の目標座標値が減じられる（Ｓ１３）。目標座標における被検者の輪郭の最高点のＺ座標の値が、高さリミットを越えない場合には（Ｓ１２：ＮＯ）、上面板の現在の座標からＳ１１で読み込んだ目標座標までの上面板の動...

    ホウ素中性子捕捉療法用システム

  2. 技術 加工装置のチャックテーブル

    【課題】ＴＡＩＫＯウエーハの円形凹部の深さの違いに対応すること。【解決手段】チャックテーブル１０は、表面２０４のデバイス領域２０５に対応し裏面２０７に形成された円形凹部２０８と円形凹部２０８を囲繞する環状補強部２０９とを有するウエーハ２０１を、表面２０４が露出した状態で保持する。チャックテーブル１０は、円形凹部２０８が嵌合して保持される凹部保持面２２−１を上面２０−１...

    加工装置のチャックテーブル

  3. 技術 加工装置のチャックテーブル

    【課題】ＴＡＩＫＯウエーハの円形凹部の深さの違いに対応すること。【解決手段】円形凹部Ｗ３と嵌合して円形凹部Ｗ３を保持する保持面２１ａを備える円柱部２１と、保持面２１ａより下方で円柱部２１を囲繞する支持部２２と、一端が保持面２１ａに連通し他端が真空吸引源に接続される第一吸引路が形成されたベース部２０と、ベース部２０の円柱部２１に嵌合して支持部２２に装着され、ウエーハＷの...

    加工装置のチャックテーブル

  4. 技術 ウェーハの加工方法

    【課題】ウェーハの反りを抑制する。【解決手段】ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該ウェーハ内部の該ウェーハの厚さ方向中央よりも表面側に集光し、ストリートに沿って表面側の改質層を形成するとともに、該表面側の改質層からウェーハの表面に至るクラックを伸長させる第１のレーザ加工ステップと、レーザビームを該ウェーハ内部の該ウェーハの厚さ方向中央よりも裏面側に、隣...

    ウェーハの加工方法

  5. 技術 ウェーハの加工方法

    【課題】レーザ加工方法と研削方法とを組み合わせたウェーハの加工方法において、研削時にチップ角に欠けを生じさせないようにウェーハを分割する。【解決手段】複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成された表面Ｗａを有するウェーハＷの加工方法であって、ウェーハ表面Ｗａに表面保護テープＴを貼着するステップと、表面保護テープ貼着ステップを実施後、表面保護テープＴ...

    ウェーハの加工方法

  6. 技術 電流源回路及び発振器

    【課題】製造ばらつき、温度特性を補正しつつ、電流レベルを確保し、高温時のリーク電流やスイッチングノイズ等の影響を受けにくい電流源回路及び発振器を提供する。【解決手段】電流源回路は、ＭＯＳＦＥＴの閾値に依存する第１電流を生成する第１電流源１１と、バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２のＰＮ接合の順方向電圧に依存する第２電流を生成する第２電流源１２と、第１電流と第２電流により第...

    電流源回路及び発振器

  7. 技術 フッ化マグネシウム焼結体、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータ及び中性子モデレータの製造方法

    【課題・解決手段】割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータ及び中性子モデレータの製造方法を提供する。フッ化マグネシウム焼結体は、円盤状であって、中心軸Ｏを貫通する貫通孔Ｈ１を有している。フッ化マグネシウム焼結体は、相対密度が９５％以上である。

    フッ化マグネシウム焼結体、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータ及び中性子モデレータの製造方法

  8. 技術 ウェーハの加工方法

    【課題】ウェーハから分割されたチップ側面の汚染を防止できるようにすること。【解決手段】分割予定ライン（Ｌ）に沿ってウェーハ（Ｗ）内部に改質層（Ｒ）を形成した後、研削動作により改質層を起点としてウェーハを分割予定ラインに沿って分割する。次いで、研削されたウェーハの裏面側にエキスパンドテープ（ＥＴ）を貼着した後、隣接するチップ（Ｃ）同士を離間させる方向にエキスパンドテープ...

    ウェーハの加工方法

  9. 技術 摺動部材及び摺動部材の製造方法

    【課題・解決手段】摺動面に形成される層（表面層）が剥離し難い摺動部材を提供することを目的とする。表面層と基材との間に繊維シートを含んだ特殊な中間層を設けることにより、表面層が剥離し難い摺動部材を提供することができる。この中間層には、繊維シートの表面層側表面と繊維間隙にフッ素系樹脂が、繊維シートの基材側表面と繊維間隙にフッ素系樹脂以外の熱可塑性樹脂が含まれている。

    摺動部材及び摺動部材の製造方法

  10. 技術 積層チップの製造方法

    【課題】所定の厚みに揃った積層チップを製造できる新たな積層チップの製造方法を提供する。【解決手段】複数のチップが積層された積層チップの製造方法であって、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くし、ウェーハを複数のチップへと分割するチップ形成ステップと、チップ形成ステップで得られた各チップの厚みを測定する測定ステップと、複数のチップを積層した際に所定の厚みになるように、測...

    積層チップの製造方法

  11. 技術 ＬＥＤ照射装置

    【課題】光量分布におけるバラツキが著しく小さいＬＥＤ照射装置を提供する。【解決手段】ＬＥＤ照射装置は、複数のＬＥＤ群と、制御ドライバ８２と、光量検出部２と、算出部８３と、制御部８５と、を備える。制御ドライバ８２は、複数のＬＥＤ群のそれぞれに対し、個別に制御電流Ｉａを生成して印加する。光量検出部２は、所定方向における走査が可能であり、走査時において、複数のＬＥＤ群のそれ...

    ＬＥＤ照射装置

  12. 技術 エキシマ光照射装置

    【課題】ハウジング外に放電器を取り出すことが容易なエキシマ光照射装置を提供する。【解決手段】エキシマ光照射装置は、放電器２と、当該放電器２が収納されたハウジング１と、当該放電器２が載置されている載置台４と、電極着脱機構５と、を備える。放電器２は、放電によってエキシマ光を生じる放電器であって、エキシマ光が照射される照射対象に対向する窓面２ａと、当該窓面２ａとは反対側に位...

    エキシマ光照射装置

  13. 技術 エキシマ光照射装置

    【課題】放電器内における放電用ガス及び放電器自身の過度な温度上昇を抑制することが可能なエキシマ光照射装置を提供する。【解決手段】エキシマ光照射装置は、放電器２と、冷却部６と、を備える。放電器２は、放電によってエキシマ光を生じる放電器であって、エキシマ光が照射される照射対象と対向する窓面２ａと、当該窓面２ａとは反対側に位置する背面２ｂと、を外周面の一部として有する。そし...

    エキシマ光照射装置

  14. 技術 レーザー加工装置

    【課題】ウエーハの表面全体において緩やかに変化する凹凸をイメージすることができ、レーザー加工を実施する際の集光器の焦点位置を正確に位置付けることが可能なレーザー加工装置を提供する。【解決手段】制御手段は、該加工送り手段を作動して該保持手段に保持された該ウエーハの複数の所定位置を該高さ計測手段に位置付けて該所定位置の高さを計測し、該所定位置の高さをＸ座標、Ｙ座標に対応し...

    レーザー加工装置

  15. 技術 加工装置

    【課題】比較的簡単な構成でウエーハのＩＤマークを読み取ることができる加工装置を提供する。【解決手段】加工装置２は、複数のデバイス６４が分割予定ライン６２によって区画されると共にＩＤマーク６６が敷設されたウエーハ６０を保持する保持手段６と、保持手段６に保持されたウエーハ６０に加工を施す加工手段８と、保持手段６と加工手段８とを相対的に移動させる送り手段１０と、保持手段６に...

    加工装置

  16. 技術 加工装置

    【課題】ウエーハの切り欠きの位置及びウエーハの中心位置を検出することができる加工装置を提供する。【解決手段】保持手段と、加工手段と、撮像手段と、ウエハの高さ検出手段と、保持手段と加工手段とを相対的に加工送りするＸ軸移動手段、Ｙ軸移動手段と、制御手段とを少なくとも備えた加工装置であって、制御手段は、ウエーハ６０の少なくとも３ヶ所の外周の位置を検出し座標を算出すると共に中...

    加工装置

  17. 技術 デバイスウェーハの加工方法

    【課題】デバイスチップの側面に異物を固着させず、実装不良を抑制する。【解決手段】交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するデバイスウェーハの加工方法であって、デバイスウェーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って分割の起点と...

    デバイスウェーハの加工方法