中村修二 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。【解決手段】1つ以上の非極性(1120)a平面GaN層が、金属・有機化学気相成長MOCVDを使用して、r平面(1102)サファイア基板上で成長される。これらの非極性(1120)a平面GaN層は、非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、なら...

    非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス