中戸達朗 さんに関する公開一覧

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公開年
  1. 【目的】低移動度の、単結晶シリコンなどの単結晶材料からなる部分へGeなどの移動度向上の種が注入されることによってGexSi1-x/Siヘテロ構造など、移動度が向上されたヘテロ構造を規定する製造方法を提供する。【構成】本発明のGeSi/Si/SiO2ヘテロ構造を製造する方法は、(a)単結晶Si基板11a及び11bを用意する工程と、(b)GeSi領域514a及び514bの...

    GeSi/Si/SiO2ヘテロ構造を形成する方法、ならびに該構造を有するSIMOX素子及び集積回路

  2. 【目的】基板へのダーメージの少ないイオン注入方法を用いたSIMOXプロセスを提供する。【構成】所定の絶縁材料の分子イオンのソースを供給する工程と、注入エネルギーが40keVを越える分子イオンビームを該分子イオンから生成する工程と、該分子イオンビームを用いて該シリコン基板に分子イオンを注入する工程と、該基板をアニールし、絶縁材料の埋め込み層を形成する工程とを包含するシリ...

    分子イオン注入を用いたSIMOX処理方法