中川明夫 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】トレンチ部を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられた第1導電型のドリフト領域と、半導体基板の上面側において、ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と半導体基板の上面において、予め定められた配列方向に複数配列されたトレンチ部と、隣接するトレンチ部の間のメサ部に設けられ、ドリフト領域よりも高ドーピング濃度である第1導電型のエミッ...

    半導体装置

  2. 【課題】メサ部のメサ幅が100nm以下の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられた第1導電型のドリフト領域と、半導体基板の上面側において、ドリフト領域の上方に設けられた複数のトレンチ部と、半導体基板において、複数のトレンチ部に挟まれたメサ部に設けられた第2導電型のベース領域と、メサ部の上面において、ベース領域の上方に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、...

    半導体装置

  3. 【課題】トレンチゲート構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられた第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上方に設けられ、ドリフト領域よりも高ドーピング濃度である第1導電型の蓄積領域と、蓄積領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、蓄積領域とベース領域との間に設けられ、蓄積領域よりも低ドーピング濃度である電界緩和層とを備える半導体装置を...

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  4. 【課題】微細なパターニングを行うことなく、メサ部の幅を狭くすることができ、低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】隣り合うトレンチ2間のメサ部1aは、層間絶縁膜8とエミッタ電極9との界面からエミッタ電極9側へ突出している。隣り合うトレンチ2間のメサ部1aにはp型ベース領域5が設けられ、p型ベース領域5の内部にn+型エミッタ領域6およびp+型コン...

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