中山武志 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】しきい値電圧分布の狭帯化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置の書込方法を提供する。【解決手段】このフラッシュメモリでは、選択ワード線WLに対応する複数のメモリセルMCのうちの書込対象の各メモリセルMCに書込を行なうとともに通常よりも低いワード線電圧VVRを用いてベリファイを行ない、書込が終了した後に、選択ワード線WLに対応する全メモリセルMCに通常よりも電...

    不揮発性半導体記憶装置の書込方法