中塚圭祐 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】動作信頼性を向上させることが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、Z方向に積層され、X方向に延伸する第1導電層と、Z方向に積層されX方向に延伸し、Y方向に第1導電層と離れて配置された第2及び第3導電層と、Z方向に延伸するコンタクトプラグCP2と、第2導電層と第3導電層間でZ方向に延伸し、コンタクトプラグの周囲に連続的に設けられ...

    半導体記憶装置

  2. 【課題】動作性能を向上できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、複数のメモリセルトランジスタを含む第1ブロック及び第2ブロックを備え、第1ブロックと第2ブロックとがY方向に隣接して配列された半導体記憶装置において、第1ブロック及び第2ブロックの各々は、Y方向と交差するX方向に延伸し、Y方向に配列された複数の導電層20と、導電層20間に設け...

    半導体記憶装置

  3. 【課題】メモリセルの配置を高密度化できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板上にZ方向に積層され、X方向に延伸する複数の導電層20−0aと、X方向に延伸し、複数の導電層20−0aとY方向に離れて配置され、基板上にZ方向に積層された複数の導電層20−0bと、導電層20−0aと導電層20−0bに電気的に接続され、基板上にZ方向に積層された...

    半導体記憶装置

  4. 【課題】チップ面積の増加を抑制する。【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、第1方向に並んで配置され、第2方向における位置が互いに異なる第1乃至第3部分(HPR1〜HPR3)を含む第1半導体層31と、第2方向に延伸する第4部分39a及び第1方向に延伸する第5部分39bを含む導電層39と、第4部分と第1半導体層との間、及び第5部分と第1半導体層との間に設けられた...

    半導体記憶装置

  5. 【課題】信頼性を向上する。【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、第1方向に延伸する第1部分と、第1部分と電気的に接続され第2方向に延伸する第2部分とを含む導電層39と、第3方向に延伸し第1部分と電気的に接続する第1コンタクトプラグCSGDと、第2方向に延伸する第1半導体層31と、第2部分と第1半導体層との間及び第1部分と第1半導体層との間に設けられた第1絶縁...

    半導体記憶装置

  6. 【課題】小型化が可能なデータラッチ回路及び半導体記憶装置を提供する。【解決手段】データラッチ回路は、第1のnチャネル形トランジスタと、第1のpチャネル形トランジスタと、を備える。前記第1のnチャネル形トランジスタのゲートと前記第1のpチャネル形トランジスタのゲートは共通である。

    データラッチ回路及び半導体記憶装置

  7. 【課題】メモリセルトランジスタの集積度が高い半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、第1構造体と、第2構造体と、を備える。前記第1構造体と前記第2構造体は、第1方向に沿って交互に配列されている。前記第1構造体は、第2方向に沿って相互に離隔して配列された複数の電極膜を有する。前記第2構造体は、柱状部材と、第1絶縁部材と、前記第1方向における長さが前記複数...

    半導体記憶装置