三浦真 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】SiGeチャネルを有する半導体素子の製造工程において、SiGeチャネルにダメージを与えることなく、SiGeチャネルを保護するSi偏析層を形成することが可能にする。【解決手段】少なくともシリコン層とシリコン層上に形成されたシリコンゲルマニウム層とを有する半導体基板に第1の条件によるプラズマ処理を施してシリコンゲルマニウム層を露出させる第1の工程と、半導体基板に第...

    半導体素子の製造方法及びプラズマ処理装置