一ノ瀬昇 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】所定の抵抗率及びキャリア濃度を制御した、高絶縁性のβ−Ga2O3単結晶及び発光素子の提供。【解決手段】β−Ga2O3種結晶とn型ドーパントであるSiを含むβ−Ga2O3多結晶素材を用いて、FZ法によりβ−Ga2O3単結晶を形成する。この際、多結晶素材に含まれるSi濃度を、1×10−5〜1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10−3〜8×102Ωcm...

    β−Ga2O3単結晶及び発光素子

  2. 【課題】Ga2O3系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するGa2O3系半導体基板構造を提供する。【解決手段】Ga2O3系半導体基板構造を含む発光素子1は、n型β−Ga2O3基板2上に、β−AlGaO3化合物半導体からなるn型導電性を示すn型β−AlGaO3クラッド層4、β−Ga2O3からなる活性層5、p型導電性を示すp型β−AlG...

    Ga2O3系半導体基板構造