ユ・ホンユ さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】簡単化した集積機構を備えた二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】二重仕事関数半導体デバイスは、第1実効仕事関数を有する第1ゲートスタック111を含む第1トランジスタと、第1実効仕事関数とは異なる第2実効仕事関数を有する第2ゲートスタック112を含む第2トランジスタとを備える。第1ゲートスタック111は、第1ゲート誘電体キャップ層1...

    二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法

  2. 【課題】金属ゲート電極を有する二重仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】該製造方法は、第1領域101及び第2領域102を有する基板100を設けること、第1領域に第1半導体トランジスタ107を作製すること、第2領域に第2半導体トランジスタ108を作製すること、第1サーマルバジェットを第1半導体トランジスタに備わる少なくとも第1ゲート誘電体キャッピング層...

    二重仕事関数半導体デバイスの製造方法及びそのデバイス

  3. 【課題】異なる誘電体材料を含む、デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第1領域Iと第2領域IIとを有する基板5を用意し、(i)第1領域Iと第2領域IIを覆うようにホスト誘電体層1を形成し、(ii)第1領域Iと第2領域IIの上のホスト誘電体層1を覆うように第1誘電体キャップ層2を形成した後、(iii)第1領域Iの上の下位層1に対して選択的に、第...

    半導体デバイスおよびその製造方法

  4. 【課題】高誘電率ゲート誘電体を有するMOSFETトランジスタの製造方法の提供。【解決手段】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法であって、第1領域と第2領域とを有する基板を提供する工程と、第1領域と第2領域とを覆うようにゲート誘電体2を形成する工程と、該ゲート誘電体2を覆うように金属ゲート層3を形成する工程であって、歪を導入することにより変調可能な(堆積したままの)...

    ストレッサ層を有するデュアル仕事関数デバイスおよびその製造方法

  5. 【課題】消去飽和について改善したイミュニティを備えた不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】不揮発性メモリデバイスは、第2絶縁膜(ポリシリコン間あるいはブロック絶縁膜)の上部にある制御ゲートを備え、第2絶縁膜と接触している制御ゲートの少なくとも下部層は、所定の高い仕事関数を有し、完全なデバイス製造後に、ある高誘電率材料のグループと接触した場合、...

    消去飽和について改善したイミュニティを備えた不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法