フィリップミュニエ−バイラール さんに関する公開一覧

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  1. 【課題・解決手段】本発明は、半導体素子10の製造方法に関し、半導体デバイス10は、基板11と、少なくとも一つの半導体素子1が形成された半導体本体12とを具え、基板11には半導体層2が形成され、シリコンとゲルマニウムとの混晶を具えてなる半導体層2はシリコン−ゲルマニウム層2と称され、基板11に近接する下面と、基板11から遠く離れた上面とを有し、シリコン−ゲルマニウム層2...

    半導体デバイスの製造方法および該製造方法により得られた半導体デバイス