ハン守善 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】多硫化物に対して優れた表面触媒吸着能力を有し、多硫化物の拡散を防止できる、リチウム−硫黄電池用隔膜の製造方法の提供。【解決手段】、隔膜基板が第一表面及び第一表面と対向して設置される第二表面を含むステップS1と、第一表面及び第二表面の中の少なくとも一つの表面に少なくとも一つの機能層120を形成するステップS2とを含み、ステップS2が、カーボンナノチューブ層122...

    リチウム−硫黄電池用隔膜の製造方法

  2. 【課題】リチウム−硫黄電池用隔膜の提供。【解決手段】リチウム−硫黄電池用隔膜は、隔膜基板及び少なくとも一つの機能層120を含む。隔膜基板が第一表面及び第一表面と対向して設置される第二表面を有して、少なくとも一つの機能層が第一表面及び第二表面の中の少なくとも一つの表面に積層して設置される。少なくとも一つの機能層が、カーボンナノチューブ層122及び酸化ハフニウムの被覆層1...

    リチウム−硫黄電池用隔膜及びリチウム−硫黄電池

  3. 技術 光検出器

    【課題】新型の光検出器を提供する。【解決手段】光検出器は、半導体構造104、カーボンナノチューブ102及び導電フィルム106を含む。半導体構造104が積層して設置されるP型半導体層及びN型半導体層を含み、半導体構造104が第一表面及び該第一表面と対向して設置される第二表面を含む。カーボンナノチューブ102が半導体構造の第一表面に設置される。導電フィルム106が堆積する...

    光検出器

  4. 技術 太陽電池

    【課題】新型の太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池100は、背面電極102、半導体構造104及び前面電極106を含む。半導体構造104が積層して設置されるP型半導体層及びN型半導体層を含み、半導体構造が第一表面及び第一表面と対向して設置される第二表面を含む、背面電極102が半導体構造の第一表面に設置され、カーボンナノチューブである。前面電極106が透明導電フィルム...

    太陽電池

  5. 【課題】ファンデルワールスヘテロ接合構造を含む半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子は、半導体構造、カーボンナノチューブ102及び導電フィルム106を含む。半導体構造は、積層して設置されるP型半導体層104a及びN型半導体層104bを含み、第一表面及び該第一表面と対向して設置される第二表面を含む。カーボンナノチューブ102は、半導体構造の第一表面に設置される。導...

    半導体素子及び半導体部品

  6. 【課題】半導体構造及びその半導体構造を含む半導体部品を提供する。【解決手段】半導体構造100は、半導体層104、カーボンナノチューブ102及び導電フィルム106を含む。半導体層の厚さが1ナノメートル〜100ナノメートルであり、半導体層が第一表面及び第一表面と対向して設置される第二表面を含み、カーボンナノチューブが半導体層の第一表面に設置される。導電フィルムは、堆積する...

    半導体構造及び半導体部品

  7. 【課題】ファンデルワールスヘテロ接合構造を有する半導体部品を提供する。【解決手段】半導体部品100は、第一カーボンナノチューブ106及び第二カーボンナノチューブ108が間隔を置いて絶縁層104の表面に設置される。P型半導体層110が第一カーボンナノチューブを覆い、絶縁層の表面に設置され、N型半導体層112が第二カーボンナノチューブを覆い、絶縁層の表面に設置される。導電...

    半導体部品

  8. 【課題】簡単な構造を有する光電変換装置を提供する。【解決手段】光電変換装置は光電変換モジュール61と、カバー構造体62とを含む。光電変換モジュール61はカーボンナノチューブ構造体64を含み、カーボンナノチューブ構造体64は少なくとも一本のカーボンナノチューブを含み、少なくとも一本のカーボンナノチューブは二つの金属性カーボンナノチューブセグメント641,642及び一つの...

    光電変換装置

  9. 技術 光検出器

    【課題】半導体性及び金属性カーボンナノチューブセグメントの交互配列による光検出器の提供。【解決手段】光検出器50はカーボンナノチューブ構造体51と、第一電極52と、第二電極53と、電流検出装置54と、を含む。これらは直列に接続されて回路が形成され、カーボンナノチューブ構造体は第一電極及び第二電極とそれぞれ電気的に接続され、カーボンナノチューブ構造体は少なくとも一本のカ...

    光検出器

  10. 【課題】薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ30は、絶縁基板31と、ゲート電極32と、ゲート絶縁層33と、カーボンナノチューブ構造体34と、を含む。ゲート電極は、絶縁基板表面に設置され、ゲート絶縁層は、ゲート電極表面に設置され、カーボンナノチューブ構造体は、ゲート絶縁層表面に設置され、少なくとも一本のカーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブ...

    薄膜トランジスタ

  11. 【課題】半導体性カーボンナノチューブセグメント及び金属性カーボンナノチューブセグメントを含むカーボンナノチューブ構造体の提供。【解決手段】成長中のカーボンナノチューブに電界を印加して電界向きを反転させることによって、カーボンナノチューブのキラリティーを変化させることができ、希望なキラリティーを有するカーボンナノチューブを直接的に成長させることができる。各カーボンナノチ...

    カーボンナノチューブ構造体

  12. 【課題】カーボンナノチューブのキラリティーを制御できるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】基板11を提供し基板の表面に触媒層12を堆積させる第一ステップと、基板を反応炉13に設置し、反応炉を所定の温度に加熱し反応炉に炭素源ガス14及び保護ガス15を導入して基板にカーボンナノチューブアレイ16を成長させ、カーボンナノチューブアレイは複数の金属性カーボン...

    カーボンナノチューブの製造方法

  13. 【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記ゲート電極が前記基板の表面に設置される。前記誘電層が前記基板に設置され、前記ゲート電極を被覆する。前記半導体層が前記誘電層の前記基板から離れる表面に設置され、複数のナノ半導体材料を含む。前記ソース...

    薄膜トランジスタ及びその製造方法

  14. 【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体層が前記基板の表面に設置され、複数のナノ半導体材料を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が前記基板に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層と電気的に接続される。前記誘電層が前記半導体...

    薄膜トランジスタ及びその製造方法

  15. 【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記ゲート電極が前記基板の表面に設置される。前記誘電層が前記基板に設置され、前記ゲート電極を被覆し、前記誘電層が二層の構造であり、積層して設置された第一サブ誘電層及び第二サブ誘電層を含む。前記半導体層...

    薄膜トランジスタ及びその製造方法

  16. 【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体層が前記基板の表面に設置され、複数のナノ半導体材料を含む。前記ソース電極及び前記ドレイン電極が前記基板に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層と電気的に接続される。前記誘電層が前記半導体...

    薄膜トランジスタ及びその製造方法

  17. 【課題】優れた電気特性を有するデジタル回路を提供する。【解決手段】二つのバイポーラーの薄膜トランジスタ100Cは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。半導体層104が基板101の表面に設置され、複数のナノ半導体材料を含む。ソース電極105及びドレイン電極106が基板に設置され、半導体層と接続される。誘電層103が半導体層の表面に設置さ...

    デジタル回路

  18. 【課題】優れた電気特性を有するデジタル回路を提供する。【解決手段】N型及びP型の薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース及びドレイン電極を含む。半導体層104a、bが基板101に設置され、複数のナノ半導体材料を含む。ソース及びドレイン電極105a、b、106が基板に設置され、半導体層と電気的に接続される。誘電層103a、bは、各半導体層を被覆し、...

    デジタル回路

  19. 【課題】マイクロナノ構想体を製造する、フォトマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板110と、カーボンナノチューブ複合構造体と、カバー層130と、を含みカーボンナノチューブ複合構造体は基板の表面に設置され、カーボンナノチューブ複合構造体はカーボンナノチューブ層120及びカーボンナノチューブ層を被覆するクロム層121を含み、カーボンナノチューブ複合構造体の表面...

    フォトマスク及びその製造方法

  20. 【課題】マイクロナノ構造体を製造する、フォトマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板110と、カーボンナノチューブ層120と、パターン化クロム層122と、カバー層130と、を含み、カーボンナノチューブ層は基板の表面に設置され、基板と離れるカーボンナノチューブ層の表面はパターン化クロム層に被覆され、且つパターン化クロム層のパターン及びカーボンナノチューブ層のパ...

    フォトマスク及びその製造方法

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