トーマス・シー・アンソニー さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】磁気メモリセルの熱損失を減少させて、磁気メモリセルの切替えを容易にすること。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100,200,300)は、磁界の影響を受けて2つの状態間で切り替わることができる磁気メモリセル(102,202,302)を含む。また、MRAMは、磁界を生成するために磁気メモリセルに結合された電気的ビット線(104,212,...

    磁気メモリデバイス

  2. 【課題】磁気メモリセルの状態の切り換えを容易化すること。【解決手段】MRAMアレイの磁気メモリセル(102,202,302,402)からの熱伝導を低減するMRAM(100,200,300)を作成するための方法。その方法は、磁気メモリセルのアレイ内のデータに選択的にアクセスするためのビット線及びワード線(110,112,210,212,304,404,406)のグリッド...

    状態の切り換えを容易化するための加熱式MRAMセル

  3. 【課題】 簡単な工程により製造可能な異なる寸法のデータ層及び基準層を有するメモリセルを提供する。【解決手段】 本発明の方法は、異なる寸法のメモリセル層を有するメモリ構造を製造する方法であって、強磁性材料の少なくとも2つの層を形成するステップ、強磁性材料上に少なくとも1つのマスク層を形成するステップ、少なくとも1つのマスク層をパターン形成するステップ、少なくとも1つ...

    異なる寸法のメモリセル層を有する磁気メモリ構造を形成するための工程

  4. 【課題】熱散逸の影響を受けにくい改善された熱支援型磁気メモリ構造を提供する。【解決手段】熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイにおいて、磁気メモリ構造の各々は、メモリセル(350)、メモリセル(350)と接触する書込み導体(310)、及び、メモリセル(350)と接触する加熱システム(360)を備える。書込み導体(310)は、書込み動作中に第1の座標においてメモリセル(...

    熱支援型磁気メモリ構造

  5. 【課題】 磁気メモリセルの基準層の磁気的向きを小さな磁界で変更できるようにすること。【解決手段】 データ層(110)と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層(130)と、前記データ層(110)と前記軟らかい基準層(130)の間に配置されたスペーサ層(120)とを含む磁気メモリセル。

    軟らかい基準層を有する磁気メモリセル

  6. 【課題】磁気メモリセルによって生成されたより多くの熱を利用して、磁気メモリセルの切り換えを容易にすること。【解決手段】磁気メモリデバイス(100,200,300)は、磁界をかけることによって2つの抵抗状態の間で切り換え可能な磁性材料を含む磁気メモリセル(102,202,302)を含む。また、デバイス(100,200,300)は、磁気メモリセル(102,202,302)...

    磁気メモリデバイス

  7. 【課題】高い精度で磁気メモリセルのデータを読み取ること。【解決手段】メモリセルのアレイ(100)において選択されたメモリセル(120)からデータを読み取るための方法であり、この場合、選択されたメモリセル(120)は、第1の書き込み線(130)と第2の書き込み線(132)との間に配置される。その方法は、第1の書き込み線(130)に第1の電流を供給するステップと、第1の電...

    メモリセルを読み取るための方法

  8. 技術 メモリ

    【課題】 安価な工程技術により製造可能な高密度の固体記憶装置を提供する。【解決手段】 基板上に形成された、それぞれが情報ビットを記憶するように適合されている磁気メモリセル110のアレイと、前記磁気メモリセル110と連絡している相互接続と、前記磁気メモリセル110及び前記相互接続と連絡しており、アレイの隣り合う前記磁気メモリセルの間の空間116を充填している導体11...

    メモリ

  9. 【課題】 熱アシスト型磁気メモリ構造とその製造方法を提供すること。【解決手段】 クラッディング(110)によって包囲された第1の導体(120)と、熱抵抗領域(130)によって前記第1の導体から熱的に分離されたメモリセル(170)と、前記メモリセル(170)と電気的に接触する第2の導体(180)とからなる熱アシスト型磁気メモリ構造。

    熱アシスト型磁気メモリ構造

  10. 【課題】MRAMメモリセルにより正確な書込みを行うための手段を提供する。【解決手段】本発明は、磁気メモリセルを含む。磁気メモリセルは、予め設定された磁化を有する基準層(320)を含む。障壁層(330)が基準層(320)に隣接して形成される。センス層(340)が障壁層(330)に隣接して形成される。第1の書込み導線(310)が基準層(320)に電気的に接続される。磁気メ...

    磁気メモリセル構造

  11. 【課題】高速で、安価で、消費電力の小さい磁気メモリの提供。【解決手段】磁気メモリ内の導体を結合するための方法と装置。メモリ素子(104)は、第1の磁気メモリ素子(222)と、第1の磁気メモリ素子(222)に磁気的に結合された第1のグループの導体(229,230)と、第2の磁気メモリ素子(223)と、第2の磁気メモリ素子(223)に磁気的に結合された第2のグループの導体...

    磁気メモリ内の導体を結合する方法および装置

  12. 【課題】磁気メモリセルの論理状態を切り換える可能性がある漂遊磁界から磁気メモリセルを保護すること。【解決手段】メモリウェーハ(100)は、その上に配置されたメモリチップ(110)を有する第1の表面(152)であって、そのメモリチップ(110)がメモリウェーハの外面(154)を画定する、第1の表面(152)と、外面(154)と反対側にある第2の表面(158)とを含む。透...

    磁気メモリデバイス

  13. 【課題】磁気メモリセル特性の位置に依存する変動に対処した読み取り動作を提供すること。【解決手段】磁気集積メモリに格納されたデータを検索するための方法および装置が開示される。一実施形態において、本方法は、a)磁気集積メモリ(100)内の磁性素子(204,206)に、摂動を起こさせるための磁化困難軸磁界をかけること、およびb)前記摂動を起こさせるための磁化困難軸磁界によっ...

    磁気集積メモリに格納されたデータの検索