ツエヌエン さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】銅前駆体混合体および選択された集積回路表面上に堆積された銅の抵抗率を低減する方法を提供する。【解決手段】集積回路の選択された表面に銅を添加するための揮発性銅前駆体混合体であって、前駆体混合体は、前駆体蒸気圧を有する揮発性Cu(hfac)TMVS前駆体と、水蒸気圧を有する水蒸気であって、水蒸気は揮発性Cu(hfac)TMVSと混合され、水蒸気圧が概ね0.5〜5%...

    水を添加して銅の伝導率を向上させるCu(hfac)TMVS前駆体

  2. 【課題】Cuを選択された表面に化学気相成長法(CVD)により堆積するための揮発性Cu前駆体化合物を提供する。【解決手段】選択された表面に化学気相成長法(CVD)により銅(Cu)を付与させる方法が提供される。この方法は、a)各選択されたCu受容表面を、Cu+1(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)と、珪素原子に結合される少なくとも1つのエトキシ基を含むシリルオレフィンリ...

    前駆体を(アルキルオキシ)(アルキル)シリロレフィンリガンドと共に用いる銅堆積方法

  3. 【課題】二段階堆積プロセスによって、下にある基板に対する、CVDによる銅の高められた接着性を提供する。【解決手段】基板に対する銅の接着性を向上する方法は、単結晶シリコン基板を準備する工程と、基板の活性領域上に集積回路構成要素を形成する工程と、低速度のCVDによって第1の銅層をメタライズする工程と高速度のCVDによって第2の銅層をメタライズする工程とを含む該集積回路構成...

    二段階堆積プロセスにより高められたCVDによる銅の接着性