ツゥエヌエン さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】少なくとも1つの中間厚みを有するフォトレジストマスクのパターンを転写して誘電体層内に複数の中間レベル層を形成する。【解決手段】誘電体層をハードマスク層とレジストマスクで覆う。レジストマスクパターンからハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンは少なくとも1つの中間厚みを有する。ハードマスクパターンの開口部を介して、誘電体層の第1の深さに達する相互接続...

    集積回路ウェハにおける電気的相互接続部の形成方法、エッチング方法、及びフォトレジストパターンの転写方法

  2. 【課題】集積回路基板内の拡散バリアー材料へのCuの接着を向上させた銅の堆積方法および接着性導電体界面を提供する。【解決手段】拡散バリアー材料は、反応性ガス種または反応性ガスを含有するプラズマに曝される。拡散バリアー表面の汚染物質を除去し、拡散バリアー表面と反応性ガスとの間に弱い分子結合を形成することにより、拡散バリアー表面が保護されCuの接着のための予備処理が行われる...

    銅の堆積方法および接着性導電体界面

  3. 【課題】非導電性表面と共存する導電性表面にCVD銅を選択的に堆積する方法および接着性導電体界面を提供する。【解決手段】導電性表面と非導電性表面の両方を不活性ガスの低エネルギーイオンエッチングによって調製する。エッチングは該導電性表面の銅の堆積を促進する。エッチングの後、CVD銅を堆積し、その後再び表面はエッチングされて非導電性表面から残余銅が除去され、銅のさらなる堆積...

    銅の選択堆積方法および接着性導電体界面

  4. 【課題】集積回路基板内の拡散バリアー材料への銅の接着を向上させた銅の堆積方法および集積回路を提供する。【解決手段】拡散バリアーは、反応性酸素種または酸素を含有するプラズマに曝される。酸素環境への曝露に反応して、拡散バリアーの薄い層、典型的には50Åより薄い層が酸化される。次に、銅がCVDにより酸化された拡散バリアー表面に堆積される。酸化層は銅と拡散バリアー表面との間の...

    銅の堆積方法および集積回路

  5. 【課題】多数のフォトレジストマスクを用いて多数のエッチング工程を行う従来のデュアルダマシンプロセスにおいて、接続配線および相互接続部のサイズをさらに小さくするために、複数のフォトレジストマスクの位置合わせに起因する問題を解消する方法を提供する。【解決手段】誘電体中の第1の深さに達する接続部を、フォトレジストパターンに設けた開口部を介して形成する。フォトレジストプロフィ...

    マルチレベルフォトレジストパターンを転写するための方法