ステファン・デ・ヘント さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】ピンホールが無く、界面特性に優れた、ALD(原子層堆積)成長high−k誘電体層を備えた、グラフェン系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】グラフェン層2の上にグラフェン酸化物層3を設ける工程と、金属前駆体(プリカーサ)のALDパルスと酸素前駆体のALDパルスとに交互にグラフェン酸化物層3を曝露することによりhigh−k誘電体8を形成する工程...

    グラフェン系の電界効果トランジスタ