ステファン・デフローテ さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための新規な方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ge材料からなる第2層と、 上記第2層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。さらに、本発明は、高品質のIII族窒化物層のエピタキシャル成長に非常に適した...

    シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための方法及びそのための装置

  2. 【課題】良好な結晶品質を有するGaN層のようなIII族−窒化物が得られる方法で形成されたIII族−窒化物/基板構造と、少なくとも1つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】基板1の上に、例えばGaN層5のような、III族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板1は、少なくともGe表面3、好適には六方対称を有する。この方法は、基板1を400℃...

    III族−窒化物のGe上への形成