シェンテンスー さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】アクティブデバイスを必要としない3次元構造超高密度メモリアレイに適した信頼できる抵抗不揮発性を提供することである。【解決手段】3D RRAMで用いられるメモリアレイ層は、シリコン基板上の周辺回路で形成され、シリコン酸化物層、下部電極材料、シリコン酸化物、抵抗器材料、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物、上部電極およびカバーリング酸化物が堆積されて、...

    3DRRAM