ダングリングボンド に関する公開一覧

ダングリングボンド」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「ダングリングボンド」の詳細情報や、「ダングリングボンド」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「ダングリングボンド」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】目的生成物の収率が良好となる二酸化炭素還元用電極を、低コストで得る。【解決手段】二酸化炭素還元用電極30は、導電体からなる基材40と、該基材40に形成された還元用薄膜42とを備える。この還元用薄膜42は、窒素がドープされ且つ銅を担持した酸化グラフェン(Cu−N−GO)からなり、二酸化炭素を還元する。

    二酸化炭素還元用電極及びその製造方法

  2. 【課題】裏面照射型において、ピニング電圧を得るために高電圧が不要となり、また転送時にポテンシャルバリアが形成されてしまうことを防止することが可能で、低電圧動作、高電荷収集および高電荷転送を実現することが可能な固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器を提供する【解決手段】画素200Aは、受光した光の光電変換機能および電荷蓄積機能を有する光電変換部(フォトダイ...

    固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器

  3. 【課題】暗電流の発生を低減できる固体撮像素子等を提供する。【解決手段】光電変換部(2)を備える基板(1)と、絶縁膜(4)と、反射防止膜(5)と、層間絶縁膜(6)と、パッシベーション膜(8)と、がこの順に形成された積層構造を備え、前記パッシベーション膜(8)は、圧縮方向の応力を有する固体撮像素子(100)。

    固体撮像素子、電子機器および製造方法

  4. 技術 表示装置

    【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供する。【解決手段】第1の絶縁膜501Bと、第1の絶縁膜の第1の開口部に配設される第1の接続部751と、第1の接続部と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される第2の接...

    表示装置

  5. 技術 撮像装置

    【課題】露光時間の自由度が高く、歪の少ない画像を撮像することができる撮像装置を提供する。【解決手段】第n(nは2以上の自然数)のフレーム期間において、第1の電荷蓄積部の電位をリセットし、光電変換素子の出力に応じた第1の電荷蓄積部への電位の蓄積と、第2の電荷蓄積部の電位に応じて出力される第n−1のフレームの撮像データの読み出しと、を並行して行い、第2の電荷蓄積部の電位を...

    撮像装置

  6. 【課題】高品質な窒化物半導体テンプレートを効率的に得ることができる技術を提供する。【解決手段】基板上に窒化アルミニウム層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートであって、前記窒化アルミニウム層は、前記基板上に形成され、窒化アルミニウムからなり、前記基板の側の面が窒素極性面であり、前記窒素極性面と対向する側の面がアルミニウム極性面である第一層と、前記第一層における前記ア...

    窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス

  7. 【課題・解決手段】表示装置の実施形態が記載される。表示装置は、第1量子ドット(QD)フィルムと第1フィルタ素子とを備えた第1サブピクセルを含む。QDフィルムは、UV光及び青色光の両方を受け取り、且つUV光及び青色光と異なる二次光を放出するように、受け取られた光の一部をコンバートする。フィルタ素子は、量子ドットフィルム上に配置され、且つ二次光がフィルタ素子を通過すること...

    ナノ構造体ベースの表示装置における多重励起波長の使用

  8. 【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置を有する表示装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、トランジスタTr1と、Tr1と少なくとも一部が互いに重なるトランジスタTr2と、を有する。Tr1は、基板102上の導電膜104と、基板及び導電膜上の絶縁膜106と、絶縁膜上の酸化物半導体膜108と、酸化物半導体膜上の導電膜112a、112bと、酸化物半導...

    半導体装置

  9. 【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度が低い高...

    半導体装置

  10. 【課題】新規のトランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極と、第1の導電体と、第2の導電体と、ゲート絶縁体と、金属酸化物を有し、ゲート絶縁体は、ゲート電極と金属酸化物との間に位置し、ゲート電極は、ゲート絶縁体を介して、金属酸化物と重なる領域を有し、第1の導電体および第2の導電体は、金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、金属酸化物は、膜厚方向に第1のバンドギャ...

    トランジスタ

  11. 【課題】SiGeチャネルを有する半導体素子の製造工程において、SiGeチャネルにダメージを与えることなく、SiGeチャネルを保護するSi偏析層を形成することが可能にする。【解決手段】少なくともシリコン層とシリコン層上に形成されたシリコンゲルマニウム層とを有する半導体基板に第1の条件によるプラズマ処理を施してシリコンゲルマニウム層を露出させる第1の工程と、半導体基板に第...

    半導体素子の製造方法及びプラズマ処理装置

  12. 【課題】低消費電力の撮像装置を提供する。【解決手段】異なる2つのフレーム間における差分データを出力することができる画素と、当該差分データの有意性を判定する回路と、電源供給を制御する回路と、A/Dコンバータ等を有し、画像データを取得した後、差分データを取得し、差分なしと判定された場合は、A/Dコンバータ等への電源供給を遮断し、差分ありと判定された場合は、A/Dコンバータ...

    電子機器および撮像装置

  13. 技術 撮像装置

    【課題】消費電力が低減された撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置は、撮像部と、エンコーダと、を有する。撮像部で取得した第1画像データはエンコーダに送信される。エンコーダは、ニューラルネットワークを構成する第1回路を有し、第1回路は、当該ニューラルネットワークによる特徴抽出を第1画像に施して、第2画像データを生成する。なお、第1回路が重みフィルタを用いた畳み込み処理...

    撮像装置

  14. 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層...

    半導体装置

  15. 【課題】欠陥準位密度の少ない酸化物半導体膜を成膜する。または、発明の一態様は、不純物の濃度の少ない酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体膜を用いた半導体装置などにおいて、電気特性を向上させる。【解決手段】透過電子回折測定装置を用いて、一次元的に300nmの範囲で観察箇所を変化させたとき、配向性を示す輝点を有する回折パターンが観察される割合が70%以上100%未満である...

    半導体装置

  16. 技術 撮像装置

    【課題】レンズを必要としない撮像装置を提供する。【解決手段】第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有する撮像装置であって、第2の層は、第1の層と第3の層との間に設けられ、第1の層は、回折格子を有し、第2の層は、光電変換素子を有し、第3の層は、活性層に酸化物半導体を有するトランジスタを有する構成とする。

    撮像装置

  17. 【課題】基板を均一に処理することが可能な技術を提供する。【解決手段】複数の基板を処理する反応管と、複数の基板を多段に積載して支持する基板支持部と、少なくとも基板支持部に支持されている下端の基板の高さ位置から上端の基板の高さ位置にわたり、かつ、反応管の内壁に沿って設けられ、処理ガスをプラズマにより活性化するバッファ室と、反応管側面を貫通してバッファ室の下部から上部に挿入...

    基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

  18. 【課題】表面再結合を低減することができる発光装置を提供する。【解決手段】基体と、前記基体に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、を有し、前記柱状部は、n型の第1半導体層と、p型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられている発光層と、前記発光層よりもバンドギャップが大きい第3半導体層と、を有し、前記第3半導体層は、前記発光層と前記第2半導体...

    発光装置およびプロジェクター

  19. 【解決課題】In及びPを含有するコアとZn及びSeを主成分とするシェルからなるコア/シェル型半導体ナノ粒子であって、量子効率が高く、半値幅が小さく、且つ、ストークスシフトが小さい半導体ナノ粒子を提供すること。【解決手段】In及びPを含有するコアと、1層以上のシェルと、有するコア/シェル型半導体ナノ粒子であり、前記半導体ナノ粒子はさらに少なくともZn、Se及びハロゲンを...

    半導体ナノ粒子、半導体ナノ粒子分散液及び光学部材

  20. 【課題】微細化・高密度化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1のトランジスタと、第1のトランジスタ上に第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に第2のトランジスタと、第1のトランジスタに電気的に接続する第1の導電膜と、第1の導電膜及び第2のトランジスタと電気的に接続する第2の導電膜とを有し、第1の導電膜は第1の絶縁膜を貫通し、第2の導...

    半導体装置

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