オン電流 に関する公開一覧

オン電流」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「オン電流」の詳細情報や、「オン電流」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「オン電流」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】 画像表示装置の各表示素子に配置されて用いられる、酸化物半導体を活性層に用いた電界効果型トランジスタにおいて、小面積化が可能な電界効果型トランジスタなどの提供。【解決手段】 ソース電極又はドレイン電極である第1の電極と、 前記第1の電極上に配された、酸化物半導体からなる活性層と、 前記活性層上に配され、前記第1の電極と対となるソース電極又はドレイン電極...

    電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム

  2. 【課題】積層基板の反りを抑制でき、インダクタンスを低減できる半導体モジュールを提供すること。【解決手段】互いに直列に接続された一対の半導体素子2と、一対の直流端子3と、積層基板10とを備える。積層基板10は、絶縁材料からなる絶縁基板4と、該絶縁基板4の半導体素子2側の主面S1に形成された素子側金属層50と、反対側の主面S2に形成された反対側金属層60とを備える。素子側...

    半導体モジュール

  3. 【課題】微小な電流が測定可能な電流測定方法を提供する。【解決手段】被試験用トランジスタのゲートに第1の電位を与え、被試験用トランジスタの第1の端子と、第1のトランジスタの第1の端子が電気的に接続されるノードに、第1のトランジスタを介して電荷を蓄積させ、第1のトランジスタを非導通にし、ノードと電気的に接続する読み出し回路の出力端子の第2の電位と、第1の電位を定期的に測定...

    電流測定方法

  4. 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させると共に信頼性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、半導体装置は、ゲート電極と、ゲート電極上の絶縁膜と、絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の一対の電極と、を有し、酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、を...

    半導体装置の作製方法

  5. 【課題】新規な酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】Inと、M(MはAl、Ga、Y、またはSnを表す。)と、Znと、を有する酸化物半導体膜であって、酸化物半導体膜は、In1+xM1−xO3(ZnO)y(xは0<x<0.5を満たす数、yは概略1を表す。)構造の固溶域近傍の組成を有する。特に、酸化物半導体膜のIn、M、及びZnの原子数の比は、In:M:Zn=4:2:3近傍...

    半導体装置

  6. 【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う...

    液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置

  7. 【課題】電気特性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタは、絶縁体と、第1の導電体416aと、第2の導電体416bと、島状の半導体406と、を基板400上に有する。導電体は、半導体の上面と接する領域を有し、半導体の側面と接する領域を有さない。導電体は、第1〜第4の側面を有する。第1、第2の導電体は、第1の側面と第4の側面とが、互いに向かい合うように配置さ...

    半導体装置

  8. 【課題】酸化物半導体を用いたプレナー型の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、トランジスタ150と、容量素子160と、を有する。トランジスタは、ゲート電極104aと、ゲート電極104a上の絶縁膜102と、絶縁膜102上の第1の領域106及び第1の領域を挟む一対の第2の領域107a、107bを有する酸化物半導体膜126と、酸化物半導体膜126と接するゲート絶縁...

    半導体装置

  9. 【課題】信頼性が高く、良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、トランジスタ100は、第1の保護絶縁層111と、第1の保護絶縁層111上に、酸化物半導体層102と、酸化物半導体層102と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極103と、ソース電極およびドレイン電極103上に位置するゲート絶...

    半導体装置の作製方法および半導体装置

  10. 【課題】しきい値電圧の異なるトランジスタを有する半導体装置を提供する。または、複数種の回路を有し、回路ごとに電気特性の異なるトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、酸化物半導体と、導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、第3の絶縁体と、を有し、導電体は、導電体と酸化物半導体と、が...

    半導体装置

  11. 技術 表示装置

    【課題】発光素子に供給される電流を制御するTFTの特性によって、発光素子の輝度がばらつくのを防ぐことができ、有機発光層の劣化による発光素子の輝度の低下を防ぎ、なおかつ有機発光層の劣化や温度変化に左右されずに一定の輝度を得ることができる発光装置の駆動方法の提供。【解決手段】発光素子の輝度をTFTに印加する電圧によって制御するのではなく、TFTに流れる電流を信号線駆動回路...

    表示装置

  12. 【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の...

    トランジスタ

  13. 【課題】微細化しても容易に作製することのできる構造を有し、微細化に伴う電気特性の低下を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接して設けられた第1の導電物と、第1の導電物に接して設けられた絶縁物と、を有し、酸化物半導体層、第1の導電物および絶縁物に開口部が設けられ、開口部において、酸化物半導体層、第1の導電物および絶縁物の側面が連...

    半導体装置

  14. 【課題】酸化物半導体中のチャネル形成領域における酸素欠損を低減し、電気特性の安定したまたは信頼性の高いトランジスタを含む半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極上のゲート絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に、スパッタリング法により酸化物層を形成して、酸化物半導体層と酸化物層とを含む酸化物積層膜を形成し、酸化物積...

    酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法

  15. 【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】加熱処理により第1の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第2の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜...

    半導体装置

  16. 【課題】細胞応答計測装置の性能を向上する。【解決手段】細胞応答計測装置MD1は、電解質溶液RSと、電解質溶液RS中に配置された第1細胞C11および第2細胞C12と、第1細胞C11および第2細胞C12に覆われた第1電極EL11および第2電極EL12とを有している。第1細胞C11は、第1物理化学的刺激に応答する第1受容体ERが発現しており、第2細胞C12は、第1受容体ER...

    細胞応答計測装置

  17. 【課題】発光デバイス及び光電変換デバイスを有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板に光電変換デバイスを形成し、それと共に当該基板に開口部を設ける。次に、当該開口部に埋め込むように導電層を形成する。その後、基板上にトランジスタを形成する。次に、トランジスタを形成した基板の裏面を、上記導電層が露出するように研磨する。その後、画素電極と、発光層と、共通電極と、を有する発...

    半導体装置及びその作製方法

  18. 【課題】成膜条件や薄膜トランジスタの製造条件に依存して、組成が変化することなく、欠陥が生成されることで電気的特性が変動しずらいトランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層112の一方の面の側(基板102の反対側)に第1ゲート電極116が配置される。酸化物半導体層112と第1ゲート電極116との間には第1...

    トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置

  19. 【課題】ベアチップ状態である縦型のMOSトランジスタが複数内蔵されたMOSトランジスタ内蔵基板及びこれを用いたスイッチング電源装置において、配線パターンのレイアウトを単純化する。【解決手段】MOSトランジスタ内蔵基板1は、一方の表面にソース電極Sが形成され、他方の表面にドレイン電極Dが形成されたMOSトランジスタQ1,Q2と、MOSトランジスタQ1のソース電極SとMO...

    MOSトランジスタ内蔵基板及びこれを用いたスイッチング電源装置

  20. 【課題】信頼性が良好な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の酸化物と、第1の酸化物上の、第2の酸化物、第1の層、および第2の層と、第2の酸化物上の絶縁体と、絶縁体上の第1の導電体と、第1の層上の第2の導電体と、第2の層上の第3の導電体と、を有し、第1の層、および第2の層はそれぞれ、膜厚が0.5nm以上3nm以下である領域を有し、第2の導電体、および第3...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

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