表示素子 に関する公開一覧
「表示素子」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「表示素子」の詳細情報や、「表示素子」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「表示素子」の意味・用法はこちら
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【課題・解決手段】本出願は、複数のサブピクセル領域を有するアレイ基板を開示する。このアレイ基板は、ベース基板と、ベース基板の複数のサブピクセル領域のうちのサブピクセル領域ごとにそれぞれ形成される複数の第1薄膜トランジスタと、複数のサブピクセル領域のうちのサブピクセル領域ごとにそれぞれ形成される複数のコンデンサ電極とを含む。複数の第1薄膜トランジスタの各々は、第1活性層...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
- 発明者: ソン、 ジェン 、...
- 公開番号:2021-500588号
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技術 半導体装置および機器
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【課題】フレキシブルプリント配線基板の厚みが増すと弾性力が高まり折り曲げに対して反発力が強くなるという問題がある。【解決手段】電気機器は、複数の端子が配列された入力端子部を含む基板と、入力端子部と接続される可撓性を有する配線基板とを有し、配線基板は、ベースフィルムと、カバーフィルムと、ベースフィルム上の複数の配線と、ベースフィルムの一辺に沿って配列された接続部とを含み...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社ジャパンディスプレイ
- 発明者: 浅田 圭介 、...
- 公開番号:2021-002009号
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【課題】本発明は、コントラストおよび耐久性のいずれにも優れた画像表示装置を作製することができる、重合性液晶組成物、硬化物、光学フィルム、偏光板および画像表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】逆波長分散性を有する液晶化合物と、重合性基を4個以上有する重合性化合物とを含有し、分子動力学計算により算出した、液晶化合物1分子と重合性化合物1分子との体積比が、0.4〜...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 富士フイルム株式会社
- 発明者: 稲田 寛 、...
- 公開番号:2021-002021号
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【課題】精細度が高い表示装置を提供する。表示品位の高い表示装置を提供する。【解決手段】第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第1の発光ダイオード、第2の発光ダイオード、及び色変換層を有する表示装置である。第1の絶縁層は、第1のトランジスタ上及び第2のトランジスタ上に位置する。第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードは、第1の絶縁層上に...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 楠 紘慈 、...
- 公開番号:2021-002034号
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技術 表示装置の画像処理方法
【課題】複数の表示パネルで構成される表示領域の継ぎ目を画像処理装置により視認されにくくする、または、継ぎ目が視認されにくい広い表示領域を有する表示システムを提供する。【解決手段】表示システム10は表示装置12と画像処理装置11を有し、第1の表示パネル30aの表示面側に第2の表示パネル30bを重ねて有し、第2の表示パネル30bは表示領域101bと隣接して可視光を透過する...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 武居 記史 、...
- 公開番号:2021-002036号
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技術 半導体装置
【課題】信頼性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】同じ導電型のトランジスタで構成されたパルス出力回路を含むシフトレジスタなどを有する半導体装置において、パルス出力回路の非選択期間中にソースドレイン間に電位差が無くゲートに正のストレスが印加されるトランジスタに、バックゲートを有するトランジスタを用いる。非選択期間中、ゲートとバックゲートの電位を互いに入れ換えること...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 三宅 博之
- 公開番号:2021-002418号
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技術 半導体装置
【課題】配線間の寄生容量を低減し、表示品質を向上させ、消費電力を低減できる表示装置を提供する。【解決手段】一画素に、第1/第2のトランジスタ136/137と、第1/第2のトランジスタと電気的に接続された第1/第2の画素電極139a/139bと、第1/第2のトランジスタのゲート電極として機能する第1の導電層103と、第1の導電層と同じ材料を有する第2の導電層と、第1/第...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 三宅 博之 、...
- 公開番号:2021-002039号
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技術 駆動回路
【課題】表示装置の低消費電力化および高精細化を可能とする回路技術を提供することを課題とする。【解決手段】ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に接続される、トランジスタのゲート電極にスタート信号によって制御されるスイッチを設ける。スタート信号が入力されると、スイッチを介して当該トランジスタのゲート電極に電位が供給され、当該トランジスタをオフする。当該トランジスタが...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 梅崎 敦司 、...
- 公開番号:2021-002042号
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技術 表示装置
【課題】開口率が高く、且つ容量値を増大させることのできる容量素子を備えるとともに、狭額縁化を図ることのできる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第1乃至第4の副画素14R_1,14G_1,14B_1,14W_1を有する第1の画素13_1、及び前記第1の画素の次行に設けられる第1乃至第4の副画素14R_2,14G_2,14W_2,14B_2を有する第2の画素13...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 楠 紘慈 、...
- 公開番号:2021-002044号
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【課題】操作性に優れた新規な情報処理装置又は消費電力の少ない情報処理装置及び表示装置などを提供する。【解決手段】情報処理装置100は、近接または接触するものを検知して、位置情報を供給できる可撓性の位置入力部140を含む。可撓性の位置入力部140は、第1の領域と、第1の領域に対向する第2の領域と、第1の領域及び第2の領域の間に表示部と重なる第3の領域と、が形成されるよう...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 山崎 舜平 、...
- 公開番号:2021-002359号
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技術 表示装置
【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン(またはマイクロクリスタルシリコン)の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレ...
- 公開日:2021/01/07
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 木村 肇
- 公開番号:2021-002046号
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技術 入力装置および電子機器