エッチバック に関する公開一覧

エッチバック」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「エッチバック」の詳細情報や、「エッチバック」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「エッチバック」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】本発明は、イメージングエラーを低減しつつ、高密度なメモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】メモリ装置は、導電層のスタックと、スタックを通るピラーアレイとを備える。各ピラーは、ピラーと導電層との交差点におけるピラー位置のレイアウトパターンに配置する複数の直列接続されたメモリセルを備える。アレイにおけるピラーは、第1の方向に延伸するピラーの行のセットに配...

    メモリ装置及びその製造方法

  2. 【課題】占有面積が小さく、集積度の高い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の導電層を形成し、第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層上に第1の導電層と同じ材料を用いて第2の導電層を形成し、第2の導電層上に第3の導電層を形成し、第3の導電層上に第2の絶縁層を形成し、第2の絶縁層上にレジストマスクを形成し、順次上層からエッチングし、第1の導電層の開口部の形成と...

    半導体装置

  3. 課題】【解決手段】 半導体基板上にタングステンなどの遷移金属を堆積させる方法が開示される。この方法は、水素でバランスされたジボランのガス混合物を供給することを含み、水素はガス混合物中のジボランを安定化する役割を担う。本方法は、ガス混合物を半導体基板に送達してホウ素層を形成することを更に含み、ホウ素層は、金属含有前駆体を金属に、例えばタングステン含有前駆体をタングステ...

    3次元垂直NANDワード線用の金属充填プロセス

  4. 【課題】トレンチの微細化に伴うゲート保護ダイオードのESD耐性の低下と縦型トランジスタの電気特性の劣化が抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、半導体基板140に設けられたトレンチ104内にトレンチゲート106を有する縦型トランジスタが形成されたアクティブ領域Aと、アクティブ領域Aを囲み、前記半導体基板表面上のフィールド絶縁膜上...

    半導体装置及びその製造方法

  5. 【課題】光の照射による特性劣化を低減することができる光電変換装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】光電変換装置は、基板に設けられた光電変換部と、基板に設けられ、ゲート電極を含み、光電変換部で生じた電荷を転送する転送トランジスタと、基板の少なくとも光電変換部を含む領域上に設けられたシリコン窒化膜とを有し、シリコン窒化膜は、ゲート電極の光電変換部の側の側面よりも光電...

    光電変換装置及びその製造方法

  6. 【課題】データ書き込み用の電界効果トランジスタとデータ読み出し用電界効果トランジスタを備え、各電界効果トランジスタに適した特性を発揮することができる不揮発性メモリを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】不揮発性メモリセルに含まれるデータ書き込み用電界効果トランジスタ100及びデータ読み出し用電界効果トランジスタ200は、それぞれ、半導体基板上に形成さ...

    半導体装置及び半導体装置の製造方法

  7. 【課題】分析のためにサンプル流体からの化学的または生物学的サンプル保持することが可能なサンプル保持領域のアレイを含む大規模化学電界効果トランジスタアレイを備える装置およびチップを提供する。【解決手段】アレイ中のセンサは、第1の時間インターバル中に反応ウエル内において生じる反応に応答して回路ノードにセンサシグナルを生成する化学感応性電界効果トランジスタと、回路ノードに選...

    生物学的および化学的分析のための集積センサアレイ

  8. 【課題・解決手段】三次元メモリ構造を含みうる半導体構造を形成するために、処理方法を実行することができる。本方法は、処理チャンバの遠隔プラズマ領域でフッ素含有前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、半導体基板をプラズマの放出物と接触させることを含みうる。半導体基板は、処理チャンバの処理領域に収容されうる。本方法は、露出した窒化物材料をプラズマの放出物で選択的...

    改善された金属コンタクトランディング構造

  9. 【課題・解決手段】凹状特徴の側壁から不要な材料を横方向にエッチングするための方法および装置について本明細書で記述する。さまざまな実施形態において、方法は、側壁の一部分をエッチングし、側壁の一部分の全域にわたって保護フィルムを堆積させ、凹状特徴の深さ全体から不要な材料が取り除かれるまで、エッチング操作および堆積操作を反復する。各エッチング操作および各堆積操作は、特徴の側...

    周期的な不動態化およびエッチングを使用する高アスペクト比の選択的横方向エッチング

  10. 【課題】フィールドプレートを含むトレンチゲート構造においてソース・ドレイン間容量を低減する。【解決手段】半導体装置1は、半導体部10と、半導体部の裏面に設けられたドレイン電極20と、半導体部の表面に設けられたソース電極30と、半導体部の表面側に設けられたトレンチの内部に配置されたゲート電極40と、トレンチの内部に設けられ、第1電極と制御電極との間に位置するフィールドプ...

    半導体装置およびその製造方法

  11. 【課題】半導体記憶装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、第1導電体層SLと、複数の第2導電体層WLと、第1ピラーMPと、第1コンタクトHRとを備える。複数の第2導電体層WLは、第1導電体層SLの上方で、互いが第1方向に離れて積層される。第1ピラーMPは、第1方向に沿って複数の第2導電体層WLを貫通し、側面の一部が第1導電体層SLと接触した...

    半導体記憶装置

  12. 【課題】オン抵抗が低く信頼性が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体部分と、前記半導体部分上に設けられた第1絶縁膜と、前記半導体部分上に設けられ、前記第1絶縁膜に接し、前記第1絶縁膜よりも厚く、貫通孔が形成された第2絶縁膜と、下端が前記半導体部分に接続された第1コンタクトと、下部が前記貫通孔内に配置され、下端が前記半導体部分に接続さ...

    半導体装置及びその製造方法

  13. 【課題】有機デバイスの色再現性の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】基板101と基板101の表面の上に配された複数の発光素子とを含む有機デバイス100であって、複数の発光素子のそれぞれは、表面の側から、光を反射する反射層102と、反射層102の上に配される反射部材110と、反射部材110の上に配される第1電極と、第1電極の上に配される発光層を含む有機層105と、有...

    有機デバイス、表示装置、撮像装置、照明装置および移動体

  14. 【課題】 本発明の目的は、サポーターパターンと下部電極との接触面積が均一、又は非常に均一な半導体素子の製造方法を提供することにある。【解決手段】 半導体素子の製造方法は、基板上にサポーター層が順次配置されたモールド層と、サポーター層とを貫通する複数のキャパシタホールを形成し、キャパシタホールを満たす複数の下部電極を形成し、サポーター層及び下部電極上に複数のマスクホ...

    サポーターパターンを有する半導体素子

  15. 【課題・解決手段】システムおよび形成方法は、単一の半導体基板に第1の領域および第2の領域が配置され、第1の領域において、メモリゲート(MG)スタックを形成するステップと、第2の領域において、高誘電率誘電体の上に犠牲ポリシリコンゲートを形成するステップとを含む。そして、セレクトゲート(SG)が、半導体基板の第1の領域において、メモリゲートスタックに隣接して形成され得る。...

    埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法

  16. 【課題】 検体液中の微粒子を高感度に検出する。【解決手段】 検体液中の微粒子を検出するための分析チップであって、基板10と、基板10の表面部に設けられた、検体液又は電解液を流すための流路20と、流路20の一部上に設けられた、検体液を溜めるための液溜め部40と、液溜め部40の底部に液溜め部40と流路20を接続するように設けられた複数の微細孔50と、流路20又は液溜め...

    分析チップ

  17. 【課題】フィン型のMISFETにより構成されるMONOSメモリを備えた半導体装置において、半導体装置の微細化に伴う配線間の寄生容量の増大を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】フィンFAの上部に形成されたMONOS型のメモリセルMCが複数並ぶメモリセルアレイにおいて、フィンFAの短手方向に並ぶ複数のフィンFAのそれぞれに形成されたソース領域MSを、それらの...

    半導体装置およびその製造方法

  18. 【課題】短絡耐量の向上、閾値Vtのバラツキやトレンチゲートの側面の傾斜の抑制が図れると共に、さらには不純物濃度の管理を容易に行える構造のSiC半導体装置を提供する。【解決手段】n型ソース領域8を第1ソース領域8aおよび第2ソース領域8bで構成し、p型ベース領域6および第1ソース領域8をエピタキシャル成長によって形成したのち、イオン注入によって第2ソース領域8bを形成する。

    炭化珪素半導体装置およびその製造方法

  19. 【課題】外周部における電界集中を緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、素子部に形成されたMISFET構造と、外周部26に形成された複数のガードリングトレンチ23と、外周部26に形成された外周部不純物領域67とを含み、複数のガードリングトレンチ23は、第1単位68および第2単位69を含み、外周部不純物領域67は、第1単位68のガードリング...

    半導体装置

  20. 【課題】寄生抵抗によるTMR比の低下を抑えることができるトンネル磁気抵抗素子およびトンネル磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】磁化方向が固定されている固定層17と、磁化方向が変化可能な自由層15と、固定層17と自由層15との間に配置されたトンネルバリア層16とを有している。また、第1の電極層14が、固定層17のトンネルバリア層16とは反対側、および、自由層15のトン...

    トンネル磁気抵抗素子およびトンネル磁気抵抗センサ

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