イオン注入 に関する公開一覧

イオン注入」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「イオン注入」の詳細情報や、「イオン注入」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「イオン注入」の意味・用法はこちら

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  1. 技術 防音材

    【課題】新規な防音機能を発揮する防音材を提供することを目的とする。【解決手段】防音材1は、順に設置された、第一導電強磁性体層10と、帯電絶縁体層20と、第二導電強磁性体層35と、を備え、帯電絶縁体層20の帯電部22と、第一導電強磁性体層10及び第二導電強磁性体層35とは電気的に絶縁されており、音波により第一導電強磁性体層10、帯電絶縁体層20及び第二導電強磁性体層35...

    防音材

  2. 【課題】炭化ケイ素多結晶基板の反りの発生を抑制することができる、炭化ケイ素多結晶基板の製造方法及び炭化ケイ素多結晶基板の製造装置を提供する。【解決手段】本発明の炭化ケイ素多結晶基板の製造方法は、化学蒸着により表面に炭化ケイ素多結晶膜が成膜した黒鉛支持基板を燃焼させて、前記黒鉛支持基板を除去する除去工程を含み、前記炭化ケイ素多結晶膜が成膜した前記黒鉛支持基板は、前記除去...

    炭化ケイ素多結晶基板の製造方法、及び、炭化ケイ素多結晶基板の製造装置

  3. 【課題】アバランシェ増倍層による入射光信号の増倍ができ、例えば100〜200倍程度の適当な増倍率を確保する。【解決手段】受光回路は、APDと、BGR回路を用いて温度を検出し、検出された温度に基づいて、APDのカソードバイアス電圧を変化させて出力する温度センサBGR回路とを備える。APDは、アノード領域のPwell層とカソード領域のNwell層の間において、Nwell層...

    受光回路、受光素子及びAPDアレイ装置

  4. 【課題】従来技術に比較して、APDの増倍率の精度を向上して確保できる。【解決手段】受光回路は、PN接合層においてN型又はP型の不純物を有するアバランシェ増倍層を備え、光電変換電流を出力するアバランシェフォトダイオード(APD)と、バンドギャップリファレンス回路(BGR回路)を用いて温度を検出し、検出された温度に基づいて、前記APDのカソードバイアス電圧を変化させて出力...

    受光回路、及びAPDアレイ装置

  5. 【課題】アバランシェ耐量を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体部と、前記半導体部の表面上に選択的に設けられた第1電極と、前記表面側に設けられたトレンチ内に配置された制御電極と、前記表面上に設けられ前記制御電極に接続された制御配線と、を備える。前記制御電極は、前記半導体部の前記表面に沿った第1方向に延在し、前記第1方向における第1端部と、前記...

    半導体装置

  6. 【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】容量素子またはバイポーラトランジスタなどの半導体素子が形成される領域2Aおよび領域3Aを電気的に分離するための領域1Aが設けられている。p型の半導体基板SUB上にはn型の半導体層EPが形成されている。領域1Aにおいて、半導体基板SUB内にはp型の埋め込み層PBLが形成され、埋め込み層PBLに接するように、半導体層EPの...

    半導体装置およびその製造方法

  7. 【課題】簡易な構造で周回モード安定化が可能な半導体発光素子を提供すること。【解決手段】半導体発光素子は、基板と、光導波路と、前記基板と前記光導波路との間に設けられ、リング状の発光部を含む半導体層と、を備える。前記光導波路は、前記半導体層から前記光導波路に向かう第1方向において前記発光部に重なる光結合部と、前記光結合部に連続し、前記リング状の発光部の内周部から外周部に向...

    半導体発光素子

  8. 【課題】トレンチの角部への電流集中が抑制されたIII 族窒化物半導体からなる半導体素子を提供すること。【解決手段】半導体素子は単位セルを正六角形とし、その正六角形がハニカム状に配列されたパターンである。トレンチT1により、半導体層は正六角形のパターンに区画されている。リセスR1は、トレンチT1により区画される半導体層の正六角形のパターンに内包される小さな正六角形のパタ...

    半導体素子

  9. 【課題】長期的な信頼性を有する電気特性を有する半導体装置及び半導体装置の作製方法を提供すること。【解決手段】半導体装置は、基材と、前記基材の上に設けられる下地層と、前記下地層の上に設けられる半導体層と、前記半導体層の上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられるゲート電極と、を有し、前記下地層と前記半導体層とのうち、前記ゲート電極と重畳する部分において、前記下地層...

    半導体装置及び半導体装置の作製方法

  10. 【課題】薄膜抵抗体の抵抗値ばらつきを低減し、アナログICにおけるブリーダー抵抗回路において正確な分圧比を保持できる高精度のブリーダー抵抗回路を提供する。【解決手段】第一高抵抗領域101と、電流が流れる向きに平行である第1方向の両側面を第一高抵抗領域101により挟まれて配置された第二高抵抗領域102とからなる薄膜抵抗体200において、第二高抵抗領域102のシート抵抗値は...

    半導体装置およびその製造方法

  11. 【課題】従来の製造方法よりも少ない工程数で実施可能な、バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法を提供する。【解決手段】バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法であって、結晶シリコン基板10の裏面に酸化膜20を形成する工程(A)、酸化膜の露出面にシリコン薄膜層30Aを形成する工程(B)、シリコン薄膜層にメカニカルハードマスクを用いたイオン注入法及び活性化アニールによりn...

    バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法

  12. 【課題】吐出部材に付着した液体の除去処理を効率よく行うために有利な技術を提供する。【解決手段】基板上に液体を吐出する液体吐出装置は、液体を吐出する複数の吐出口が設けられた第1面と、各吐出口からの液体の吐出で生じた残液を付着させるように、前記第1面の周囲に位置して前記第1面より撥液性の低い第2面とを有する吐出部材を含み、前記吐出部材は、前記吐出部材に付着した液体の除去処...

    液体吐出装置、基板処理装置、および物品の製造方法

  13. 【課題】寄生ダイオードの逆回復耐量を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】活性領域1の有効領域1aに、縦型MOSFETであるメイン半導体素子11、および、当該メイン半導体素子11のソースパッド21aが設けられている。活性領域1の無効領域1bにおいて半導体基板10のおもて面には、メイン半導体素子11のゲートパッド21bが設けられている。ゲートパッド...

    半導体装置

  14. 【課題】メイン半導体素子と同一の半導体基板に電流センス部を備えた半導体装置を製造するにあたって、寄生ダイオードの逆回復耐量を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】電流センス部12は、半導体基板10のおもて面に平行な方向に互いに隣接して配置された、メイン半導体素子11と同じセル構造の複数の単位セルを有する。電流センス部12のすべての単位セルは、メイ...

    半導体装置

  15. 【課題】光を含む電磁波の一部を通過させることができる光電変換装置を提供する。【解決手段】半導体を含み光14を受光して光電変換する所定の厚みの光電変換部6を備え、光電変換部6には軸方向が光電変換部6の厚み方向15となっている孔2が複数配置されている。

    光電変換装置および電子時計

  16. 【課題】浮遊拡散部に結合される寄生容量を減らして出力信号に重畳するノイズを低減しうる光電変換装置を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられ、光電変換部と、浮遊拡散部と、光電変換部から浮遊拡散部に電荷を転送する転送トランジスタと、を有する光電変換装置であって、比誘電率が5.0未満の絶縁材料により構成され、少なくとも前記転送トランジスタのゲート電極の前記浮遊拡散部の側の...

    光電変換装置、機器及び移動体

  17. 【課題】電圧の印加による耐圧の低下を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1電極、半導体層、第2電極、第3電極、半絶縁層、及び第1絶縁層を有する。半導体層は、第1電極の上に設けられる。半導体層は、第1導電形の第1半導体領域、第2導電形の第2半導体領域、第2導電形の第3半導体領域、及び第1導電形の第4半導体領域を有する。第2半導体領域...

    半導体装置

  18. 【課題】半導体基板の厚さが25μm以下でも、ステルスダイシング技術を用いて、半導体基板をダイシングすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、デバイス層と、反射率低減層と、改質層と、を備える。前記デバイス層は、半導体基板の第1領域の第1面上に配置される。前記反射率低減層は、前記半導体基板の前記第1領域の周囲に設けられる第2領域の前...

    半導体装置および半導体装置の製造方法

  19. 【課題】酸化物半導体をチャネルとして用いる半導体装置において、外部から侵入する水素及び水の侵入を防止することができる構造の半導体装置を実現すること。【解決手段】半導体装置は、ゲート電極と、前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上の酸化物絶縁層と、を有し、前記酸化物絶縁層は、第1の領域、第2の領域、及び欠陥領域を含み、...

    半導体装置及びその作製方法

  20. 【課題】空間変調素子からの光の照射位置と型のパターン形成領域の位置ずれを低減して、インプリント材のはみ出しを低減するインプリント装置を提供する。【解決手段】型14のパターン形成領域19の位置を計測する型計測部と、基板上に照射する照射光の強度分布を制御する光変調素子33と、照明光の位置を計測する照射光計測部と、型計測部によるパターン形成領域の位置の計測結果と照射光計測部...

    インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

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