回折角 に関する公開一覧

回折角」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「回折角」の詳細情報や、「回折角」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「回折角」の意味・用法はこちら

1〜20件を表示(3,701件中)1/186ページ目

  1. 【課題】表面に凹凸形状が形成された像担持体の寿命に関する情報を判断又は報知することが可能な画像形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】像担持体8と、光学センサ7と、像担持体の寿命に関する情報を報知するための処理を実行可能な制御手段302と、を有する画像形成装置100は、像担持体の寿命期間の少なくとも一部で、光学センサからの照射光によって像担持体の表面で回折が発...

    画像形成装置

  2. 【課題】自動車等の内燃機関から排出される排ガス中の炭化水素の部分酸化性能をより高めることができる炭化水素部分酸化触媒の提供。【解決手段】Nb元素と、Zr、Al、Ce及びYからなる群から選択される少なくとも1種のA元素とを含有する複合酸化物と、白金族元素と、を含有する炭化水素部分酸化触媒。前記複合酸化物は、下記式(1)で求められる複合化度が95%以上。式(1):複合化度...

  3. 技術 トナー

    【課題】従来トナーよりも耐久性に優れ、脂肪酸金属塩を使用することで、安定したクリーニング性を提供でき、脂肪酸金属塩を使用しても再転写を抑制できるトナー。【解決手段】結着樹脂を含有するトナー粒子及び外添剤を含有するトナーであって、該外添剤は外添剤A及び外添剤Bを含有し、該外添剤Aはシリカ微粒子であり、該外添剤Bは脂肪酸金属塩であり、該外添剤Aの一次粒子の個数平均粒径が5...

  4. 【課題】五酸化三チタンの相転移温度よりも低い又は高い相転移温度を有する五酸化三チタン系材料の提供。【解決手段】五酸化三チタン系材料は、五酸化三チタンのTi原子の一部を、Al,Fe,Nb,Ta及びLuからなる群から選択される少なくとも一種からなる置換原子で置換した組成を有し、また、五酸化三チタン系材料の製造方法は、酸化チタンと、Fe,Ta,Lu,Al,及びNbからなる群...

    五酸化三チタン系材料、蓄放熱デバイス、熱管理システム、及び五酸化三チタン系材料の製造方法

  5. 【課題】輝度の面内均一性を向上させつつ、薄型化を図ることが可能な拡散部材、積層体、拡散部材のセット、LEDバックライトおよび表示装置を提供する。【解決手段】第1層2と、第2層3とをこの順で有する拡散部材1であって、第1層は、光透過性および光拡散性を有し、第2層は、第2層の第1層側の面に対する光の入射角の絶対値が小さくなるにつれて反射率が大きくなり、第2層の第1層側の面...

    拡散部材、積層体、拡散部材のセット、LEDバックライトおよび表示装置

  6. 【課題】コーティングされたインプラントを提供すること。【解決手段】コーティングされたインプラントは、ドープされたヒドロキシアパタイト部分と未ドープのヒドロキシアパタイト部分とを含むコーティングを含む。コーティングされたインプラントは、ヒドロキシアパタイトコーティングを、ドーパント金属を含む溶液で処理することによって形成することができる。

    イオンを組み込んだプラズマを噴霧されたヒドロキシアパタイトコーティング及びその製造方法

  7. 【課題】動作不良の発生を抑制しつつ、トランジスタに対するストレスを抑制する。【解決手段】パルス信号を出力する機能を有し、該パルス信号をハイレベルに設定するか否かを制御するトランジスタを有するパルス出力回路において、該パルス出力回路が出力するパルス信号がローレベルである期間に、該トランジスタのゲートの電位を、一定の値に保持するのではなく、間欠的に電位VSSよりも高くする...

    半導体装置

  8. 【課題】アナログデジタル変換回路の消費電力の低減。【解決手段】センサ等によって取得したアナログ電位を、オフ電流が極めて低いトランジスタを有するサンプルホールド回路に保持させる。サンプルホールド回路では、トランジスタをオフにすることで電荷の保持を可能としたノードに、アナログ電位を保持させる。そして、サンプルホールド回路が有するバッファ回路等への電源の供給を停止し、消費電...

    無線センサ

  9. 【課題】小型かつ高速動作に適した半導体装置を提供する。【解決手段】第1の回路、書き込み用グローバルビット線対、読み出し用グローバルビット線対およびローカルビット線対を有する半導体装置である。第1の回路は第2乃至第5の回路を有する。第2乃至第5の回路はローカルビット線対によって電気的に接続されている。第2の回路は、書き込み・読み出し選択スイッチとしての機能を有する。第3...

    半導体装置

  10. 【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたnチャネル型のトランジスタにおいて、正のしきい値電圧を有し、所謂ノーマリオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。【解決手段】第1のゲート電極層と第2のゲート電極層との間に、絶縁層を介して酸化物半導体積層を有し、該酸化物半導体積層において、チャネル形成領域の膜厚が、その他の領域よりも小さいトランジスタを構...

    半導体装置

  11. 【課題】リーク電流が低減された回路を提供する。【解決手段】第1トランジスタ、第3トランジスタ、第2トランジスタの順に直列に電気的に接続され、第2トランジスタのドレインと第3のトランジスタのソースは互いに電気的に接続され、かつ出力ノードに電気的に接続されている。第1トランジスタはp型トランジスタである。第2、第3トランジスタはn型トランジスタであり、半導体領域が酸化物半...

    半導体装置

  12. 【課題】中間転写体の表面に凹凸形状を付与した構成であっても、キャリブレーションの精度の低下を抑制することが可能な画像形成装置及び中間転写体を提供する。【解決手段】像担持体1と、中間転写体8と、光学センサ7と、制御手段26と、を有する画像形成装置100は、中間転写体8の表面には、中間転写体8の表面の移動方向に沿った複数の溝が、上記移動方向と交差する中間転写体8の幅方向に...

    画像形成装置及び中間転写体

  13. 【課題】水への再分散性に優れたナノセルロース・界面活性剤複合体及びその製造方法等を提供する。【解決手段】ナノセルロース及び界面活性剤を含むナノセルロース・界面活性剤複合体であって、含水率が10%未満であり、前記界面活性剤が重量平均分子量3000以上のイオン性界面活性剤であるナノセルロース・界面活性剤複合体。

  14. 【課題】結晶性の異なる2つの酸化物半導体が積層された酸化物半導体層の加工において、所望の形状を得やすい加工方法を提供する。【解決手段】加工方法は、酸化物半導体から成る第1半導体膜S1と、第1半導体膜を構成する酸化物半導体よりも結晶性が高い酸化物半導体から成る第2半導体膜S2とが基板側から順に積層された半導体積層体を、イオンミリング法により加工して成形する。

    酸化物半導体の加工法方法及び薄膜トランジスタの製造方法

  15. 技術 金属部材

    【課題】耐クラック進展性に優れた金属部材を提供すること。【解決手段】本発明の金属部材1は、表面から順に変質層3と、変質層3に連なる基層5と、を備える。変質層3は、EBSD(Electron backscatter diffraction)法によって得られる結晶方位マップ像において、変質層3の厚さ方向に沿う縦断面における、表面から300μm2(ただし、厚さ方向の寸法×表...

    金属部材

  16. 【課題】配線間の寄生容量を低減し、表示品質を向上させ、消費電力を低減できる表示装置を提供する。【解決手段】一画素に、第1/第2のトランジスタ136/137と、第1/第2のトランジスタと電気的に接続された第1/第2の画素電極139a/139bと、第1/第2のトランジスタのゲート電極として機能する第1の導電層103と、第1の導電層と同じ材料を有する第2の導電層と、第1/第...

    半導体装置

  17. 技術 表示装置

    【課題】開口率が高く、且つ容量値を増大させることのできる容量素子を備えるとともに、狭額縁化を図ることのできる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第1乃至第4の副画素14R_1,14G_1,14B_1,14W_1を有する第1の画素13_1、及び前記第1の画素の次行に設けられる第1乃至第4の副画素14R_2,14G_2,14W_2,14B_2を有する第2の画素13...

    表示装置

  18. 技術 表示装置

    【課題】使用するマスク数の削減や、工程数を削減し、生産性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。または、歩留まりの高い表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に画素用トランジスタと、駆動用トランジスタを同一工程で作製し、画素用トランジスタと電気的に接続された画素電極を一方の電極とし、もう一方の電極を固定電位とし、一対の電極におい...

    表示装置

  19. 【課題】バックプレーンが酸化物半導体膜で作製された高い信頼性を有する半導体装置の提供。【解決手段】第1の導電膜と、上記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜上において上記第1の導電膜と重なる酸化物半導体膜と、上記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、上記第2の絶縁膜が有する開口部において上記酸化物半導体膜に電気的に接続される一対の第2の導電膜と、を有し、上記第2...

    半導体装置

  20. 【課題】ゲート絶縁膜の絶縁耐圧を高めることで、高い信頼性を得ることができる半導体装置。【解決手段】絶縁表面上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の一対の第1導電膜と、酸化物半導体膜、及び一対の第1導電膜上において順に積層された第1絶縁膜乃至第3絶縁膜と、第1絶縁膜乃至第3絶縁膜上において、酸化物半導体膜と重なる第2導電膜と、を有し、第1絶縁膜及び第3絶縁膜は、酸化珪素...

    半導体装置

  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. ...
  8. 952