窒素ガス供給源 に関する公開一覧

窒素ガス供給源」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「窒素ガス供給源」の詳細情報や、「窒素ガス供給源」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「窒素ガス供給源」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】本開示は、埋め込みの最終段階でシームを発生させないシリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】基板の表面に形成された窪み内に、ALDで底面及び側面からシリコン窒化膜を徐々に埋め込んでゆき、前記窪み内の中央部の隙間を狭めるように側面から中央に向かって薄膜を堆積させる工程と、 前記側面から中央に向かって堆積した前記薄膜同士を繋げて前記中央の隙間を...

    シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置

  2. 【課題】ポリシリコン膜の特性を改善することができる熱処理方法を提供する。【解決手段】ポリシリコン膜が形成された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して、当該表面を1秒以下の短時間にて1200℃以上1300℃以下の目標温度T2にフラッシュ加熱することにより、ポリシリコン膜の緻密化および結晶化を促進することができる。次に、半導体ウェハーにハロゲンラ...

    熱処理方法

  3. 【課題】 大きな温度低下等があっても被圧縮体の外部への放出を大幅に抑制することができる、ピストンポンプ装置を提供する。【解決手段】 ピストンポンプ本体とアクチュエータ(60)との間に配設されてピストンポンプ本体の基部側の端部に設けられたピストンロッドの突出口を外側から密に覆う中間部(50)を設け、この中間部内へ気体を供給して中間部内の気圧を高める気体供給機構(71...

    ピストンポンプ装置

  4. 【課題】基板の反りを抑制した状態で基板処理を行うこと。【解決手段】疎水化処理ユニットU5は、処理対象のウェハWを載置する熱板21cと、熱板21cに形成された複数の第1貫通孔211,212を介してウェハWの裏面に吸引力を付与しウェハWを保持する吸引部70と、第1貫通孔211,212よりも熱板21cの外側において熱板21cに形成された複数の第2貫通孔215に流体を吐出し、...

    基板処理装置

  5. 【課題】比較的簡単な設備で電力を必要とせずに低コストでファインバブル水の製造が可能な装置を提供する。【解決手段】水が充填された耐圧容器(12)と、耐圧容器内に配置された少なくとも1基のマイクロノズル(14)と、ガス供給管路(16)を介してマイクロノズルに接続されたガス供給源(18)とを備え、マイクロノズルが、金属パイプの一方の端部を圧縮して平板状の閉鎖端にし、閉鎖端を...

    ファインバブル水製造装置

  6. 【課題】必要な領域の雰囲気調整を確実に行いつつ、雰囲気調整用のガスの使用量を削減する。【解決手段】基板処理装置は、基板Wに処理を施す処理ユニット(60A,60B)と、容器搬出入部(2)と処理ユニットとの間で基板が搬送される搬送空間(33,50A,50B)と、搬送空間内において、容器搬出入部と処理ユニットとの間で、基板を搬送する基板搬送機構(32,51A,51B)と、処...

    基板処理装置

  7. 【課題】乾燥領域の状態が正常であるか否かを、定量的に判定できる判定方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】水平に保持された基板Wの上面に液膜を形成し、液膜が除去される乾燥領域を徐々に拡大させる乾燥処理を実行する装置において、乾燥処理の良否を判定する。具体的には、まず、乾燥処理の実行中に、基板Wの上面を、撮像部70により繰り返し撮影する。そして、撮影により取得され...

    判定方法および基板処理装置

  8. 【課題】基板の表面に洗浄液を確実に供給しつつ、洗浄液の飛散を抑えて処理液の除去を行うことが可能な基板処理方法などを提供する。【解決手段】回転する基板Wの液処理を行った後、洗浄液を供給して処理液を除去するにあたり、吐出位置移動工程では、基板Wの回転方向の下流側へ向けて、基板Wの表面に対して斜めに洗浄液を吐出する洗浄液ノズル421と、洗浄液の着液位置Rから見て、基板Wの中...

    基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体

  9. 【課題】ウェハの研磨レートに影響を与えず、高い精度で膜厚を測定することができる研磨装置を提供する。【解決手段】研磨装置は、ウェハWを研磨パッドに押し付けるための研磨ヘッドと5、研磨テーブル3内の流路7内に配置された先端34aを有し、光源30に接続された投光ファイバー34と、ウェハWからの反射光を波長に従って分解して各波長での反射光の強度を測定する分光器26と、流路7内...

    研磨装置および研磨方法

  10. 【課題】保持部材により基板を保持してガードと保持部材とを共通の洗浄液吐出部によって洗浄する。【解決手段】基板処理装置は、基板を保持し、円板状の基部と基部の周壁部から突出するフランジ部とを備える保持部材と、保持部材を回転させる回転駆動部と、保持部材を囲むガードと、処理液吐出部と、洗浄液吐出部と、基板から排出される処理液を受けることが可能な上方位置と、ガードの上端がフラン...

    基板処理装置および基板処理方法

  11. 技術 成膜方法

    【課題】本発明は、水素含有ガスを用いることなく安定的に酸素プラズマを発生させ、面内均一性の良好なシリコン酸化膜を成膜することができる成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】窪みパターンが形成された基板の表面上にシリコン酸化膜を成膜する成膜方法であって、 前記窪みパターンを含む前記基板の表面上にアミノシランガスを吸着させる工程と、 前記窪みパターンを含む前記...

    成膜方法

  12. 【課題】レーザ光によりアルミニウムを主成分とする被加工物を切断加工する際に、ドロスの付着量を低減する。【解決手段】レーザ加工装置100は、アルミニウムを主成分とする被加工物Wにレーザ光Lを照射しながら被加工物WにアシストガスGを供給して被加工物Wを切断加工するレーザ加工装置100であって、レーザ光Lを出力するファイバレーザを備えるレーザ発振器21と、レーザ発振器21か...

    レーザ加工装置及びレーザ加工方法

  13. 【課題】本発明は、クリーニングにより副生成物として生成された珪フッ化アンモニウムを効率的に除去する洗浄副生成物の付着抑制方法及びこれを用いた反応室内のクリーニング方法、並びに室温成膜装置を提供することを目的とする。【解決手段】加熱手段を有しない室温成膜装置の反応室内のクリーニングの際に副生成物として生成した珪フッ化アンモニウムを除去する洗浄副生成物の除去方法であって、...

    洗浄副生成物の付着抑制方法及びこれを用いた反応室内のクリーニング方法、並びに室温成膜装置

  14. 【課題】雰囲気ガスを冷却させてフラックスを回収する場合の効率の低下を防止する。【解決手段】外周に設けられた隙間に冷媒を通すことによって冷却を行う管状の冷却ユニットと、冷却ユニットの内に溜まる液化したフラックスを回収する回収容器と、冷却ユニットに挿入/離脱自在に配され、はんだ付け装置から導出された雰囲気ガスが通過する通過経路を形成する管内フィンと、冷却ユニットを通過した...

    フラックス回収装置

  15. 【課題・解決手段】潤滑剤組成物には、潤滑剤組成物100重量部当たり70重量部超の量で存在する基油、及び抗酸化剤が含まれる。該抗酸化剤は、以下の構造を有する:式中、各Xは、独立してC-A又はNであり、ここで、少なくとも1つのXはNであるがXのうち2つ以下がNであることを条件とする。さらに、Aは、H、シアノ、或いは(1)芳香族環に直接的に結合されている少なくとも1つの孤立...

    潤滑剤組成物

  16. 【課題】基板の面内温度分布を均一にすることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】ハロゲンランプHLから光を照射したときに半導体ウェハーWに現出する周辺よりも高温のホットスポット99に対向するサセプタ74の保持プレート75の下面の一部領域に切削加工を施して、当該一部領域を他の領域よりも透過率の低い低透過率領域95とする。ホットスポット99が現出していた半導体ウェハー...

    熱処理装置

  17. 【課題】燃料である水素ガスを需要者に供給する水素ステーション等で、貯蔵されている水素ガスを採取し、採取した試料の成分を分析する場合に、効率良く、かつ低コストで試料の成分を採取することができる試料採取システムを提供する。【解決手段】試料採取システム1では点検時に、水素ステーションの蓄圧器に貯蔵した水素ガスから試料を採取する。試料容器50は、試料の流入部51と、その反対側...

    試料採取システム

  18. 【課題】粉体貯留容器内の摩耗を抑えてメンテナンスコストを抑えるとともに、粉体の払出の効率を高め、複数の払出口を備えた場合においても、それぞれの払出口に、より平均化して粉体を供給することを目的とする。【解決手段】粉体払出機構30は、微粉炭やチャーを貯留し、その底部114b,514bに払出口119,519が形成された微粉炭ビン114,チャービン514に設けられ、鉛直上下方...

    粉体払出機構、およびそれを備えた粉体貯留容器、ガス化複合発電装置、粉体払出機構における粉体の払出方法

  19. 【課題】フィルタの径方向外側へのガス等の漏れを抑制するとともに、フィルタのメンテナンス作業を容易に行うことを目的とする。【解決手段】加圧ノズル8Aは、ノズル本体81と、ノズル本体81の一端側の先端部81aにおいて、ノズル本体81の内側断面を覆うようにノズル本体81の中心軸C方向に直交して設けられ、中心軸C方向に所定の厚みを有した焼結金属からなるフィルタ82と、ノズル本...

    フィルタ付ノズル、ガス化複合発電装置、フィルタ付ノズルにおけるフィルタの取り外し方法

  20. 【課題】処理対象の基板に対して所定のガスを供給する処理において、異常処理を適切に検知すること。【解決手段】疎水化処理ユニットU5は、処理対象のウェハWを収容する処理容器21と、処理容器21に空気(第1ガス)を供給する開閉部60(第1供給部)と、処理容器21に、空気とは相対湿度が異なるHMDSガス(第2ガス)を供給するガス供給部30(第2供給部)と、コントローラ100(...

    基板処理装置及び基板処理方法

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