窒化アルミニウム に関する公開一覧

窒化アルミニウム」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「窒化アルミニウム」の詳細情報や、「窒化アルミニウム」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「窒化アルミニウム」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】ダイシングテープ粘着剤層について高い紫外線硬化速度を実現するのに適した接着フィルム付きダイシングテープを提供する。【解決手段】本発明の接着フィルム付きダイシングテープXは、ダイシングテープ10および接着フィルム20を含む積層構造を有する。ダイシングテープ10は、基材11と紫外線硬化性の粘着剤層12とを含む積層構造を有する。接着フィルム20は、ダイシングテープ1...

    接着フィルム付きダイシングテープ

  2. 【課題】基板に対する基板処理の面内均一性を良好に保つこと。【解決手段】載置台は、基板処理の対象とされた基板が載置される載置面を分割した分割領域ごとに温度を調整可能な第1のヒータが設けられている。ピンは、載置面に形成された貫通穴から先端部分が突没可能とされ、先端部分に第2のヒータおよび温度を検出する検出部が設けられている。制御部は、検出部により検出される温度に応じて第1...

    基板処理装置および基板処理方法

  3. 【課題】2液を混合させて調整される、イソシアヌル酸トリグリシジルを含む硬化性組成物において、撹拌性および印刷性が改善された硬化性組成物を提供すること【解決手段】(A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)光重合開始剤と、を含む第1液と、(C)イソシアヌル酸トリグリシジルを含み、25℃、5rpmにおける粘度が10〜100dPa・sの範囲内である第2液と、を混合してなる、25℃、5...

  4. 【課題】ケース及び外部接続端子の界面における剥離の進展を抑制することができる。【解決手段】ケース15は、内壁面15a2から開口領域15a1に突出する配置面15b1を有し、おもて面16aの表出領域16a1を表出し、外部接続端子16の裏面16bを埋設する端子配置部15bを備える。さらに、ケース15では、外部接続端子16の表出領域16a1における1組の対辺の両側の少なくとも...

    半導体装置

  5. 【課題】電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムの提供。【解決手段】電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、熱伝導性層A、耐熱性樹脂層Bおよび離型層Cをこの順番に備える離型フィルム。

    離型フィルムおよび電子装置の製造方法

  6. 【課題】バインダ成分と熱伝導性フィラとを含有する熱伝導性材料において、熱伝導性フィラとしてアルミニウム粒子を使用しても、良好な熱伝導性を維持しつつ、バインダ成分の劣化を防止できるようにする。【解決手段】バインダ成分と熱伝導性フィラとを含有する熱伝導性材料の当該熱伝導性フィラは、酸化アルミニウム膜で被覆されているアルミニウム粒子を含む。アルミニウム粒子を被覆する酸化アル...

  7. 【課題】大型化を抑制しつつ、より大きな振動素子を搭載することのできる振動デバイス、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】振動デバイスは、前記ベースに支持されている中継基板と、前記中継基板に支持されている振動素子と、を有し、前記中継基板は、直接または間接的に前記ベースに固定されている固定部と、前記振動素子が載置されている載置部と、前記固定部と前記載置部とを接続...

    振動デバイス、電子機器および移動体

  8. 【課題】減衰量の急峻性を向上させる。【解決手段】フィルタ11は、入力端子T1と出力端子T2との間に直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのいずれか一方である第1素子と、入力端子と出力端子との間に第1素子と並列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち第1素子と異なる他方である第2素子と、入力端子と出力端子との間に第1素子と並列にかつ第2素子と直列に接続され、キャ...

    フィルタおよびマルチプレクサ

  9. 【課題】メンテナンス性に優れた異常放電対策を講じた基板固定装置を提供する。【解決手段】本基板固定装置は、内部にガス供給部を備えたベースプレートと、前記ベースプレート上に設けられた静電チャックと、を有し、前記静電チャックは、一方の面が吸着対象物の載置面である基体と、前記基体を貫通する、内側面に雌ねじが切られた挿入孔と、を備え、前記挿入孔内には、側面に雄ねじが切られたねじ...

    基板固定装置

  10. 【課題】角部が円弧状に形成されたセラミックス基板を有する絶縁回路基板を寸法精度よく確実に製造できる絶縁回路基板の製造方法及びセラミックス板を提供すること。【解決手段】セラミックス板の一方の面に、第1スクライブラインと、第1スクライブラインに囲まれた第1領域内に第2領域を区画する第2スクライブラインと、第1領域の各角部と該角部に対応する第2領域の角部との間に配置される第...

    絶縁回路基板の製造方法及びセラミックス板

  11. 技術 記憶装置

    【課題】スイッチ素子に掛かる負荷を軽減できる記憶装置を提供することである。【解決手段】実施形態の記憶装置は、第1導体と、第2導体と、抵抗変化層と、第1部分と、第2部分と、を有する。抵抗変化層は、第1導体又は第2導体と接続する。第1部分は、第1導体と第2導体との間に設けられ、抵抗値が変化する第1閾値電圧値を持つ。第2部分は、第1導体と第1部分との間、及び第2導体と第1部...

    記憶装置

  12. 【課題】長期的な信頼性を有する電気特性を有する半導体装置及び半導体装置の作製方法を提供すること。【解決手段】半導体装置は、基材と、前記基材の上に設けられる下地層と、前記下地層の上に設けられる半導体層と、前記半導体層の上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられるゲート電極と、を有し、前記下地層と前記半導体層とのうち、前記ゲート電極と重畳する部分において、前記下地層...

    半導体装置及び半導体装置の作製方法

  13. 【課題】検出部に電気的に接続される配線の数を減らすことができるヒータ、および画像形成装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係るヒータは、導電部と、前記導電部の一方の面に設けられた第1の絶縁部と、を有する基板と;前記第1の絶縁部の、前記導電部側とは反対側の面に設けられ、前記基板の長手方向に沿って延びる少なくとも1つの発熱体と;前記導電部の、前記第1の絶縁部側と...

    ヒータ、および画像形成装置

  14. 【課題】放熱性を向上可能な発光装置、発光モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光モジュール1は、アノード用電極及びカソード用電極を有する発光素子40と、それぞれが電気的に独立している、アノード用パッド32、カソード用パッド33並びに放熱用パッド34a及び34bを有し、アノード用電極とアノード用パッド32とが接続され、カソード用電極とカソード用パッド33と...

    発光装置、発光モジュール及びその製造方法

  15. 【課題】絶縁耐久性に優れたインクジェットヘッドを提供する。【解決手段】実施形態によると、インクジェットヘッドが提供される。インクジェットヘッドは、ノズルプレートと、圧電部材と、電極と、電極保護膜とを備える。ノズルプレートは、ノズルが設けられている。ノズルは、記録媒体へ向けてインクを吐出する。圧電部材は、ノズルと連通する位置に圧力室を形成する。圧電部材は、圧力室内の圧力...

    インクジェットヘッド及びインクジェットプリンタ

  16. 【課題】埋め込み性が良好であり、高いドライエッチング耐性、耐熱性等を有するリソグラフィー工程に用いられるレジスト下層膜用の架橋剤の提供。【解決手段】(A)下記の式(i)構造又は式(ii)構造を有する架橋性化合物、(B)架橋性化合物(A)と架橋反応可能な膜材料、(C)酸触媒、及び(D)溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。又は。

  17. 【課題】本発明は、破損し難いセラミック基板を提供しようとすることを目的とする。【解決手段】セラミック基板1は、回路の少なくとも一部を構成する回路素子が実装される実装領域2と、実装領域2を囲む、回路素子が実装されない非実装領域3と、を備える。非実装領域3における結晶粒の平均結晶粒径は、実装領域2における結晶粒の平均結晶粒径よりも大きい。

    セラミック基板

  18. 【課題】低抵抗の金属含有窒化膜を成膜する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理容器内に準備する工程と、有機金属含有ガスと窒素含有ガスを交互に供給する工程を第1の所定サイクル繰り返して、前記基板に金属含有窒化膜を成膜する工程と、前記処理容器内にてプラズマを発生させ、前記金属含有窒化膜を改質する工程と、前記金属含有窒化膜を成膜する工程と、前記金属含...

    基板処理方法及び基板処理装置

  19. 【課題】適切にチップ化すること。【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に設けられ、粗面領域において前記支持基板との間に粗面である第1面が設けられ、前記粗面領域を囲み前記支持基板の側面に沿った領域を少なくとも含む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の表面粗さが前記第1面の表面粗さより小さい絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ...

    弾性波デバイスおよびその製造方法、ウエハ、フィルタ並びにマルチプレクサ

  20. 【課題】従来、ミストCVD法は主に酸化物薄膜の成膜に使用され、窒化物薄膜を作製することは難しかった。本発明は、窒化物膜を作製することのできるミストCVD法を提供する。【解決手段】金属を含む第1原料と、窒素を含む第2原料とを溶媒に溶解又は分散させた溶液を用意する。前記溶液に超音波振動を投入することにより溶液ミストを生成し、所定温度以上に加熱した基板上に前記溶液ミストをキ...

    金属窒化物膜製造方法

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