研磨技術 に関する公開一覧

研磨技術」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「研磨技術」の詳細情報や、「研磨技術」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「研磨技術」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】ウェハ全体を均一に研磨することができる研磨パッドを提供する。【解決手段】少なくとも(A)表面研磨層2、(B)接着剤層3及び(C)クッション層4を備え、前記各層が(A)表面研磨層2、(B)接着剤層3、(C)クッション層4の順で積層され、前記(A)表面研磨層2の圧縮率が0.3%以上3.0%以下であり、前記(C)クッション層4の圧縮率>前記(A)表面研磨層2の圧縮率...

    研磨パッド

  2. 【課題】ヒト被験体における眼部障害の処置のための方法およびデバイスを提供すること。【解決手段】後眼部障害または脈絡膜疾病の処置のためにヒト被験体の眼の上脈絡膜腔(SCS)に薬物製剤を非外科的に標的投与するための方法およびデバイスを提供する。1つの実施形態では、本方法は、中空マイクロニードルを挿入部位の該眼内に挿入する工程および挿入されたマイクロニードルを介して眼の上脈...

    ヒト被験体における眼部障害の処置のための方法およびデバイス

  3. 【課題】連続する不規則な非水平被研磨面の場合でも、当たり具合よく研磨を行うことが可能な研磨機を提供する。【解決手段】非水平被研磨面用研磨機であって、研磨動力源10と、前記研磨動力源により駆動される研磨パッド30との間に変形装置20が設けられ、前記変形装置により、前記研磨パッドの一側に、変形夾角を生じる1セットの偏移手段22及び変形具23が独立して設けられ、これにより前...

    非水平被研磨面用研磨機

  4. 【課題】高い面精度を有する光学素子を容易に得ることのできる光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】光学素子の光学面となる第1面とその裏側に位置する第2面とを備えた板状の光学素子素材を用意し(ステップS11)、前記光学素子素材の前記第1面の表面形状を計測して該表面形状と目標形状との差を求め(ステップS12)、前記光学素子素材の前記第2面にレーザを照射して該第2面に凹部...

    光学素子の製造方法

  5. 【課題】眼球注射の装置および方法の提供。【解決手段】装置は、薬剤容器に連結された筐体を含み、薬剤容器は針に連結される。注射アセンブリが、筐体の中に配置され、エネルギー貯蔵部材および作動棒を含む。作動棒の遠位端部分が薬剤容器内に配置される。エネルギー貯蔵部材は、薬剤容器内で作動棒の遠位端部分を移動させるのに充分な力を作動棒の近位端部分に対して生じさせることができる。これ...

    眼球注射の装置および方法

  6. 【課題】本発明は、高真空下での試料の観察を実施する画像形成装置又は解析装置に利用可能な試料ホルダーを提供することを課題とする。【解決手段】 本発明の試料ホルダーは、試料及び/又は試料メッシュ設置部を有する試料ホルダー軸部と、前記試料ホルダー軸部を格納可能な外筒部と、前記試料及び/又は試料メッシュ設置部とは反対側の前記試料ホルダー軸部に設置された試料ホルダーハンドル部...

    試料ホルダー

  7. 【課題】極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着システムを提供する。【解決手段】処理システムは、真空チャンバ110,112と、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハ136を移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステム114,116を含む。極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着シス...

    極端紫外線リソグラフィマスクブランク製造システムとそのための操作方法

  8. 【課題】天候や場所等の環境に影響されず、また、視力の低下が心配な場合でも、釣糸を簡易に短時間で導糸する事が可能である軸受挿入式ガイドリングや、軸受けの滑らかな回転により糸切れや釣竿の捩れ、バックラッシュを防ぐ事が可能である軸受回転式ガイドリングを提供する。【解決手段】軸受ガイドリングに釣糸を挿入する数ミリの開口部を設け、スライドカバーやキャップの開口部カバーを施す事に...

    釣り竿の軸受ガイドリング

  9. 【課題】低オフ角SiC基板上SiCエピタキシャル成長において、膜厚均一性およびキャリア密度均一性に優れ、表面欠陥の少ない高品質なSiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造装置、SiCエピタキシャルウェハの製造方法、および半導体装置を提供する。【解決手段】SiCエピタキシャルウェハ(1)は、4度未満のオフ角基板(2)と、4度未満のオフ角基板(2)上に配...

    SiCエピタキシャルウェハおよび半導体装置

  10. 技術 研磨液

    【課題】研磨レートの向上に寄与する研磨液を提供する。【解決手段】研磨液は、中性のpH領域においてマイナスの表面電荷を有するダイヤモンドなどの砥粒と、中性のpH領域においてプラスの表面電荷を有するキトサンなどの多糖からなる多糖ファイバーとを含んでいる。研磨液において、砥粒と多糖ファイバーとが凝集物を形成している。多糖ファイバーは、その繊維径がナノサイズである。研磨液は、...

    研磨液

    • 公開日:2019/11/28
    • 出願人: 熊本県 、...
    • 発明者: 永岡昭二 、...
    • 公開番号:2019-203098号
  11. 【課題】腐食性ガスを用いるプラズマに曝される処理チャンバ内の構成要素の腐食を抑制するセラミック材料の提供。【解決手段】処理チャンバ用のチャンバ構成要素は、1つ以上の相のY2O3−ZrO2から実質的に構成される焼結セラミック材料から成るセラミック体を含む。セラミック材料は55〜65mol%のY2O3及び35〜45mol%のZrO2から実質的に構成される。

    プラズマ環境にあるチャンバ構成要素のためのY2O3−ZrO2耐エロージョン性材料

  12. 【課題】従来のゾル−ゲルプロセスによる前駆体を経る研磨粒子の製造法で行われている、アルファアルミナ種の使用を省略し、複雑性及び費用を改善できる研磨粒子の作製方法を提供する。【解決手段】前駆体粒子を火炎130に通過させて前駆体粒子を焼結された研磨粒子140に変換させる工程を含み、前駆体粒子がか焼された前駆体110で、500マイクロメートル以下の平均粒径を有する。成形され...

    焼結された研磨粒子、それを作製する方法、及びそれを含む研磨物品

  13. 【課題】被加工物表面の傾斜角度変化に伴う加工痕形状の変化を補正することができるイオンビーム加工装置及びイオンビーム加工方法を提供する。【解決手段】イオンビーム加工装置は、被加工物WにイオンビームB1を照射する照射部と、この照射部から被加工物Wに至るイオンビームB1,B2の照射経路に配置された制限絞り31と、この制限絞り31がイオンビームB1の中心軸Aに対して傾くように...

    イオンビーム加工装置、及び、イオンビーム加工方法

  14. 【課題】研磨加工中に研磨ツールの研磨工具部の摩耗量を予測することが可能な研磨工具摩耗量予測装置、機械学習装置及びシステムを提供すること。【解決手段】本発明の研磨工具摩耗量予測装置1は、研磨加工の加工条件を示す研磨加工条件データを、環境の現在状態を表す状態変数として観測し、該状態変数に基づいて、研磨加工の加工条件に対する前記研磨工具の摩耗量の相関性を記憶する学習モデルを...

    研磨工具摩耗量予測装置、機械学習装置及びシステム

  15. 【課題・解決手段】キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する基層を含む。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層を含む。当該キャリア基板は、150GPa以上のヤング率を有する。キャリア基板は、多結晶性セラミックを含み、ならびに150GPa以上のヤング率を有する。当該キャリア基板は、25℃から500℃...

    半導体加工のためのキャリア基板

  16. 【課題・解決手段】表面から核汚染を除去する方法は、硝酸と添加された塩化物または他の酸化種との組み合わせを含むDCバイアスAC電気酸洗い処理を電気化学的酸化分解処理と組み合わせて適用するステップを含む。

    核除染のための電解処理

  17. 【課題】CARE法を用いたシリコン基板上の半導体材料の平坦化への適用にあたって、均一性および平坦化性能を改善した基板処理装置を提供する。【解決手段】処理液の存在下で基板Wと触媒31とを接触させて、基板の被処理領域を研磨するための基板処理装置10は、基板を保持するように構成された基板保持部20と、触媒を保持するように構成された触媒保持部30と、基板の被処理領域と触媒とが...

    基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法

  18. 【課題・解決手段】開示された装飾部品は、(a)宝石と、(b)宝石の少なくとも一部の領域の上に設けられた導電層と、(c)電子センサと、を備える。

    導電層および電子センサを備えた装飾複合体

  19. 【課題】研磨小片を確実に取り付けられ、費用対効果の高い方法で製造できる研削工具を提供する。【解決手段】研削工具2は、基板21および複数の研磨小片22を備えている。基板21は、第1の面211および第2の面ならびに複数の孔を有し、各々の孔は、基板21を通って延在し、それぞれが第1の開口を第1の面211に、第2の開口を第2の面に有し、第2の開口は第1の開口よりも大きい。研磨...

    研削工具および研削工具の製造方法

  20. 【課題】所定の濃度の酸素析出核をシリコンウエハ中に導入する。【解決手段】ウエハは、シリコンウエハを処理して高密度で不均一な分布の酸素析出核をその中に形成し、本質的に任意の電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクルを行った場合に、バルク中に酸素析出物を形成する。析出物の無い領域を表面近傍に形成するためのプロセスは、約400℃と約600℃の間で少なくとも1時間熱処理を行うこ...

    熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造

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