ラッチ に関する公開一覧

ラッチ」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「ラッチ」の詳細情報や、「ラッチ」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「ラッチ」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】2つのコネクタを接続するためのコネクタ装置において、2つのコネクタの分離を容易にする。【解決手段】第1コネクタ5と、挿入室19を備えた第2コネクタ3とを備えたコネクタ装置1であって、第2コネクタは挿入室を画定する側壁15と、係止部29とを有し、第1コネクタは、ハウジング本体25と、係止部と協働して、両コネクタを結合した状態でロックするためのアーム部31と、ロッ...

    コネクタ装置

  2. 【課題】データの読み出しに関する特性の向上を図ることができるメモリシステムおよびメモリシステムの制御方法を提供することである。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、メモリ装置と、コントローラとを持つ。前記コントローラは、第1メモリセルに第1データ値が書き込まれているかを判定する場合に、第1ワード線に対して第1値と第1差分値とに基づき決定された判定電圧を印加することを...

    メモリシステムおよびメモリシステムの制御方法

  3. 【課題】動作性能を向上できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板上に設けられた絶縁層80と、絶縁層80内に設けられた導電層35_3と、絶縁層80内に導電層35_3に隣接して設けられた導電層35_4と、導電層35_3の上面に接続されたビア36とを備える。基板に直交するZ方向においてビア36と重なる導電層35_3,35_4の上面は、絶縁層...

    半導体記憶装置

  4. 【課題】書き込み動作の信頼性を向上させる。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板の上方に設けられた第1メモリセルに電気的に接続されたワード線WLn−1と、第1メモリセルの上方に設けられた第2メモリセルに電気的に接続されたワード線WLnと、第2メモリセルの上方に設けられた第3メモリセルに電気的に接続されたワード線WLn+1と、第3メモリセルの上方に設けられた第4メ...

    半導体記憶装置

  5. 【課題】半導体記憶装置のサイズを縮小化し、さらに半導体記憶装置における動作の信頼性を向上させる。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板の上方に設けられたビア35Aと、ビア35A上に設けられた導電層35Bと、導電層35B上に設けられたビア35Cとを備える。ビア35A、導電層35B、及びビア35Cは、連続した1つの層である。

    半導体記憶装置

  6. 【課題】 ワード線を所望の電圧に高速に設定する。【解決手段】 実施形態の半導体記憶装置は、メモリセルアレイと、複数のメモリセルトランジスタのゲートにそれぞれ接続された複数のワード線のうち読み出し対象のメモリセルトランジスタが接続された選択ワード線に供給する読み出し電圧及び読み出し電圧に第1電圧を付加した電圧、選択ワード線に隣接する隣接ワード線に供給する固定の第2電...

    半導体記憶装置

  7. 【課題】出力電流及び/又は過電流検出を備えた半導体装置の回路面積を小さくする。【解決手段】半導体装置は、負荷に電力供給を行う出力トランジスタと、出力トランジスタの負荷電流を検出するためのセンストランジスタと、センストランジスタの出力に並列に接続される第1と第2のトランジスタと、反転入力が出力トランジスタの出力に接続され、非反転入力がセンストランジスタの出力に接続され、...

    半導体装置、および、パワーデバイス

  8. 【課題】構成部品が各種誤差を含んだ状態であっても、フラップの外板に対する位置を所期の位置に調整することのできるフラップ開閉機構を提供する。【解決手段】車体側に軸支され被係合部13が形成されたフラップ10と、フラップ10の被係合部13と係合する係合部23を有しフラップ10をロック可能なロック部20と、を備えたフラップ開閉機構において、ロック部20は、車体側に取り付けられ...

    フラップ開閉機構

  9. 【課題】ロック部の揺動部材の回転軸方向がフラップの回転軸方向と直交する場合であっても、開閉操作時に加わる負荷によるフラップの外板とのずれを抑制することのできるフラップ開閉機構を提供する。【解決手段】車体側に軸支され開口部3を開閉するフラップ10と、フラップ10をロック可能なロック部20と、を備えたフラップ開閉機構1において、ロック部20はフラップ10の回転軸方向と略直...

    フラップ開閉機構

  10. 【課題】高速に動作する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、第1、第2チップ、及び、第1、第2電源電極を備える。第1チップは、複数の第1導電層と、これらと対向する半導体柱と、複数の第1導電層に接続された複数の第1コンタクトと、第1電源電極に接続された複数の第2コンタクトと、第2電源電極に接続された複数の第3コンタクトと、複数の第1コンタクトに接続され...

    半導体記憶装置

  11. 技術 遊技機

    【課題】遊技の興趣向上を図ることが可能な遊技機を提供すること。【解決手段】スロットマシン10は、ストップスイッチ42〜44の操作順序の報知が行われるATモードの上乗せ抽選が、AT乱数とゲームの抽選結果に応じて行われる。有利区間の上限ゲーム数に達することが事前に把握されると超過フラグがセットされる。超過フラグがセットされていない状況では、第1特化ゾーンを特定規定数以外の...

    遊技機

  12. 技術 遊技機

    【課題】遊技の興趣向上を図ることが可能な遊技機を提供すること。【解決手段】スロットマシン10は、ストップスイッチ42〜44の操作順序の報知が行われるATモードが設定されており、また、当該ATモードのゲーム数の上乗せを行い易い特化ゾーンと、ATモードに移行し易いCZモードとが設定されている。そして、特化ゾーンやCZモードのゲーム数を長引かせることで、有利区間中のATモー...

    遊技機

  13. 技術 遊技機

    【課題】遊技の興趣向上を図ることが可能な遊技機を提供すること。【解決手段】スロットマシン10は、ストップスイッチ42〜44の操作順序の報知が行われるATモードの上乗せ抽選が、AT乱数とゲームの抽選結果に応じて行われる。また、ATモードの上乗せ抽選に当選し易いAT乱数に対応する報知や、ATモードの上乗せ抽選に当選しにくいAT乱数に対応する報知が行われる場合があり、これら...

    遊技機

  14. 【課題】便器本体を交換することなく、汲み取り式と水洗式とに切り替えることができる、便器および仮設トイレを提供する。【解決手段】この便器は、便器本体10と、交換部品である第1切替部材50および第2切替部材60と、を有する。便器本体10は、縦排出路14とS字排出路15とを有する。第1切替部材50および第2切替部材60は、縦排出路14に択一的に装着可能である。縦排出路14に...

    便器および仮設トイレ

  15. 【課題】半導体記憶装置における動作の信頼性を向上させる。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板の上方に設けられたメモリセルと、基板とメモリセルとの間に設けられ、メモリセルに供給される高電圧を生成する高電圧生成回路26−1と、基板とメモリセルとの間に設けられ、前記高電圧を生成し、高電圧生成回路26−1と等価な回路構成を有する高電圧生成回路26−2とを備える。

    半導体記憶装置

  16. 【課題】複数の基板を同時に搬送する搬送装置を小型化する。【解決手段】基板を搬送する搬送装置であって、第1の基板を保持する保持部を有する第1の保持アームと、第2の基板を保持する保持部を有する第2の保持アームと、一端部が駆動部を介して前記第1の保持アーム及び前記第2の保持アームに接続される駆動アームと、を有し、前記駆動部は、少なくとも前記第1の保持アームを水平方向に回転さ...

    搬送装置及び搬送方法

  17. 【課題】 より高性能なメモリシステムを提供する。【解決手段】 一実施形態によるメモリシステムは、各々がj(jは2以上の自然数)ビットのデータを保持できるn(nは2以上の自然数)個のメモリセルと、論理アドレスが連続するn×j個のデータのうちの第1データから第nデータの各々の第1部分をn個のメモリセルに1つずつ書き込むように構成されたコントローラと、を含む。第1データ...

    メモリシステムおよび記憶装置

  18. 【課題】 吐出口の突起部の破損による記録品位の低下を抑制することができる記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】 記録装置1000は、吐出口13の内側に向かって延在する突起部12を有する吐出口13と、液体を加熱する加熱素子15を備えた基板901と、基板901の温度を検知する温度検知素子905と、を備える液体吐出ヘッド3を有する。加熱素子15を駆動させる駆動...

    記録装置、記録装置の制御方法

  19. 【課題】高速に動作可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、第1方向に並ぶ複数のメモリブロックと、複数のメモリブロックの各々に設けられデータを記憶するメモリセルと、第1方向に延伸し、第1方向と交差する第2方向に並ぶ複数のビット線と、複数のビット線の第1方向の一端部に接続された周辺回路と、第2方向に延伸し、複数のビット線の第1方向の他端部と対向し、メ...

    半導体記憶装置

  20. 【課題】好適に制御可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、複数の第1配線と、複数の第2配線と、これらの間に設けられた第1抵抗変化膜と、複数の第3配線と、複数の第2配線及び複数の第3配線に接続された複数の第1半導体部と、複数の第1半導体部に対向する第4配線と、を備える。また、複数の第1半導体部のうちの一つを第2半導体部と呼ぶこととし、複数の第1半導...

    半導体記憶装置

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