多結晶化 に関する公開一覧

多結晶化」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「多結晶化」の詳細情報や、「多結晶化」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「多結晶化」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】より大きいサイズのNa−Siクラスレート単結晶を製造可能な製法を提供する。【解決手段】Naと、Siと、Sn、Ag、Cu、Bi、Ge、Ga、In、NiおよびZnからなる群より選ばれた一種以上の添加物とを含む融液2を生じさせる工程、Na−Siクラスレート単結晶からなる種結晶3を融液2に接触させる工程、および融液2からNaを蒸発させることによって種結晶3上にNa−S...

    Na−Siクラスレート単結晶の製造方法およびこれを有する複合体

  2. 技術 表示装置

    【課題】高精細の表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、表示部と、前記表示部に配置され、第1半導体層を含む第1トランジスタと、表示部において第1トランジスタと隣接し、前記第1半導体層と異なる層に設けられた第2半導体層を有する第2トランジスタと、前記第1トランジスタと接続された第1信号線と、前記第2トランジスタと接続された第2信号線と、前記第1トランジスタおよび前記...

    表示装置

  3. 技術 記憶装置

    【課題】エンデュランス特性が向上する記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の記憶装置は、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、及び、テルル(Te)を含む抵抗変化素子と、抵抗変化素子と第1の導電層との間に設けられ、炭素を主成分とする第1の層と、抵抗変化素子と第2の導電層との間に設けられ、炭...

    記憶装置

  4. 【課題】VB法、VGF法による鉄ガリウム合金単結晶の育成において、側面が特定の結晶方位となるような角柱形状の単結晶を簡便に育成することができる種結晶および種結晶の設置方法、単結晶育成用坩堝を提供することを目的とする。【解決手段】VB法あるいはVGF法により単結晶を育成するための種結晶であって、前記種結晶は円柱形状であり、前記種結晶の上面は傾斜面であり、前記傾斜面は特定...

    単結晶育成に用いる種結晶および種結晶の設置方法、単結晶育成用坩堝

  5. 【課題】リッジ・ポリの発生を抑制して高単結晶化率で安定的に高品質のニオブ酸リチウム(LN)単結晶をチョコラルスキー(Cz)法により育成する方法を提供する。【解決手段】内径dの坩堝12を用い、坩堝内の原料融液に種結晶1を接触させると共に、種結晶を回転させながら引上げて結晶肩部とこれに続く結晶径Dの結晶直胴部を育成するCz法によるLN単結晶の育成方法において、種結晶の引上...

    ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法

  6. 【課題】高品質なIII族窒化物結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、基板上に複数のドット状のIII族窒化物を、III族窒化物結晶の成長のための複数の種結晶として準備する種結晶準備工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記種結晶の表...

    III族窒化物結晶の製造方法

  7. 【課題】多結晶化を抑制し、III族窒化物結晶の品質を向上させるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、種基板を準備する工程と、過飽和比(P0/Pe)が1より大きく5以下となるように、III族元素酸化物ガスと窒素元素含有ガスとを供給して、種基板にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を含み、P0は、III族酸化物ガスの供給分圧...

    III族窒化物結晶の製造方法

  8. 【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第2の酸化物半導体層、ソース電...

    半導体装置

  9. 【課題】本発明は、SiCの基板に生じたマイクロパイプを原因とする様々な弊害を抑制し得る炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願の発明に係る炭化珪素半導体基板は、第1導電型のSiC基板と、該SiC基板の表面に接する第1導電型のSiCエピタキシャル層と、該SiC基板の裏面に接する多結晶Si...

    炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法

  10. 【課題】FeGa合金単結晶において、1〜2°の方位差の結晶粒界の有無を、広範囲の面において一度に観察することのできる評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】鉄ガリウム合金結晶の結晶粒界の評価方法であって、前記鉄ガリウム合金結晶の表面を、硝酸濃度が2〜5質量%のナイタールでエッチングする第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程後、エッチング面を洗浄する洗浄工...

    鉄ガリウム合金結晶の結晶粒界の評価方法

  11. 技術 表示装置

    【課題】反射光により表示を行う反射表示性能と、発光素子の発光による発光表示性能とを両立することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第1基板SU1と、第1基板と対向する第2基板SU2と、第1基板と第2基板との間に設けられた無機発光素子LEDと、アノード電極ADを介して無機発光素子と電気的に接続された第1トランジスタDTRと、無機発光素子を覆う絶縁層LSN...

    表示装置

  12. 技術 表示装置

    【課題】発光素子を容易に基板に配置することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第1基板SU1と、第1基板に設けられた複数の画素PxG,PxRと、複数の画素に跨がって設けられる発光素子基板SULEDと、複数の画素のそれぞれに対応して発光素子基板に設けられた複数の発光部BLED2,BLED3と、を有する発光素子BLEDと、第1基板に設けられ、発光素子に電気...

    表示装置

  13. 【課題】ゲート閾値電圧の再現性を高め、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、単結晶の窒化物半導体20上に作製されたゲート絶縁膜42を有する。ゲート絶縁膜のうち、窒化物半導体と接する部分が、窒化物半導体の結晶構造に倣った結晶構造を備える。また、ゲート絶縁膜42は、窒化物半導体と接する部分を含む第1絶縁層42aと、第1絶縁層上に設けられており、窒化...

    半導体装置および半導体装置の製造方法

  14. 【課題】酸化物単結晶の初期肩部育成時の出力操作のバラツキを抑制し最適化を図り、酸化物単結晶を、特にLT、LN単結晶を生産性良く育成する方法及び結晶育成装置を提供する。【解決手段】坩堝内に投入された原料を加熱溶融した後に、該原料融液に種結晶を接触させて、回転させながら引上げることで単結晶を育成するCz法による酸化物単結晶育成方法であって、 育成中の単結晶の重量測定値と...

    酸化物単結晶の製造方法及び結晶育成装置

  15. 【課題】チャンバの外部からシリコン単結晶の育成状況を適切に把握することを可能にするパージチューブを提供すること。【解決手段】パージチューブ5は、円筒状に形成され、チャンバ21の外部から導入される不活性ガスをシリコン融液M側に案内する円筒部51と、円筒部51の外周面から外側に向けて鍔状に突出する鍔部52とを備え、鍔部52の少なくとも一部には、チャンバ21の外部に設けられ...

    パージチューブ、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法

  16. 【課題】フローティングゲート電極に電荷を蓄積するフローティングゲートスプリット構造を有するメモリセルを備えた半導体装置において、読み出し動作の信頼性を高め、かつ、半導体装置の設計の自由度を高める。【解決手段】フローティングゲート電極FGおよびゲート電極G1を、互いに同様の膜厚で形成することで、フローティングゲート電極FGを含みメモリセルMCを構成するメモリセルトランジ...

    半導体装置およびその製造方法

  17. 【課題】本発明は、より広いボア空間を有する核磁気共鳴用磁場発生装置を提供する。【解決手段】本発明に係る核磁気共鳴用磁場発生装置は、単結晶状のREBa2Cu3Oy相にRE2BaCuO5相が分散した組織を有し、かつ、リング状である、複数の酸化物超電導バルク体を含む磁石ユニットと、磁石ユニットを内部に収容する収容槽と、を備え、磁石ユニットは、複数の酸化物超電導バルク体のそれ...

    核磁気共鳴用磁場発生装置及び核磁気共鳴用磁場発生装置の製造方法

  18. 【課題】石英ルツボの溶損を少なくするとともに、再育成時に石英ルツボ内表面の剥離を抑制し、有転位化を防止することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】石英ルツボ内に収容したシリコン融液に、水平磁場印加装置により水平磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行うチョクラルスキー法(HMCZ法)を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶が育成中...

    シリコン単結晶の製造方法

  19. 【課題】単結晶の育成時に種結晶の側面へ原料融液が流れ込んだとしても、側面の融解を防止して多結晶化を低減できるFeGa合金単結晶育成用種結晶を提供する。【解決手段】鉄ガリウム合金単結晶育成用種結晶であって、鉄ガリウム合金単結晶と、前記鉄ガリウム合金単結晶の側面を周回して被覆する第1鉄膜と、を備え、原料融液と接触する接触面は、前記鉄ガリウム合金単結晶が露出している、種結晶。

    鉄ガリウム合金単結晶育成用種結晶

  20. 【課題】本発明は、大型結晶を繰り返し製造するにあたって、結晶育成に直結する融液の温度勾配に着目し、融液の温度勾配の大きさを好適な範囲に維持管理することで、大型の単結晶を繰り返し製造しても多結晶化や結晶曲り等の不良の発生を防止し、収率よく安定してLN単結晶を製造する製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ニオブ酸リチウム単結晶原料の融液から単結晶を育成するチョク...

    ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法

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