入射周期 に関する公開一覧

入射周期」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「入射周期」の詳細情報や、「入射周期」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「入射周期」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題・解決手段】加速器(1)は、荷電粒子ビーム(B)が通過可能な高周波空洞(2)と、基本周波数の電磁波を高周波空洞(2)に入力する高周波源(3)と、レーザ光(L)を出力するレーザ出力部(10)と、レーザ光(L)が照射されることで荷電粒子を発生させるターゲット部(11)と、荷電粒子を一方向に加速することで荷電粒子ビーム(B)を引き出すビーム引出部(12)と、基本周波数...

    加速器、加速器の運転方法および加速器を用いた半導体の製造方法

  2. 【解決手段】可撓性を有する長尺のシート基板Pを長尺方向に送る搬送部12と、シート基板Pに電子デバイスのパターンを形成する為の所定の処理を施す処理部14とを備えた基板処理装置10の性能をテストする基板処理装置10の性能確認方法は、搬送部12と処理部14とにシート基板Pが通された状態で、搬送部12による搬送方向に関して所定の長さを有する可撓性のテスト用シート基板TFを処理...

    基板処理装置の性能確認方法

  3. 【課題】高精度な倍率補正にきめ細かく対応できるパターン描画装置の提供。【解決手段】基板上でスポット光を主走査方向に走査する複数の描画ユニットの各々によって基板上にパターンを描画するパターン描画装置は、スポット光となるビームLB1〜6を射出する光源装置と、複数の描画ユニットの各々に対応して設けられ光源装置からのビームLBを順番に透過するように配置すると共に駆動信号の印加...

    パターン描画装置

  4. 【課題】自由電子レーザー光のCEPを安定化する。【解決手段】この自由電子レーザー装置10においては、レーザー光(シードレーザー光300)を発するシードレーザー光発振器20が用いられ、シードレーザー光300は、電子線100及び共振器ミラー15A・15B間の放射光200Aの光路に入射する。シードレーザー光300は発振されるレーザー光200と同一の波長をもち、最終的にレーザ...

    自由電子レーザー装置

  5. 【課題】有効にレーザ光を活用することができるパターン描画装置を提供する。【解決手段】発振周期を調整可能なパルス状のビームを発生するパルス光源装置と、投射期間の間にビームを被照射体上にスポット光としつつ第1描画ラインに沿ってスポット光を走査する第1描画ユニットと、投射期間の間にビームを被照射体上にスポット光として投射しつつ第2描画ラインに沿ってスポット光を走査する第2描...

    パターン描画装置

  6. 【課題】光源からのビームをパターン情報に応じて強度変調しつつ、ビームを基板上に投射して主走査方向に走査することで、基板上にパターンを形成するパターン描画装置において、高精度な倍率補正を提供する。【解決手段】ビームの主走査方向への走査のために、光源からのビームを偏向する偏向部材を含む複数の走査ユニットを基板上に投射されるビームの走査軌跡が互いにずれるように配置した走査装...

    パターン描画装置およびパターン描画方法

  7. 【課題】有効にレーザ光を活用することができるビーム走査装置、ビーム走査方法、およびパターン描画方法を提供する。【解決手段】光源装置からのビームを繰り返し偏向する回転多面鏡と、偏向されたビームを入射して被照射体上で1次元走査されるスポット光に集光する投射光学系とを備えた走査ユニットを、所定の位置関係で複数配置したビーム走査装置であって、複数の走査ユニットのうちスポット光...

    ビーム走査装置、ビーム走査方法、およびパターン描画方法

  8. 【課題】被照射体に投射される描画用ビームを回転多面鏡の回転によって繰り返し走査して、被照射体上に所定のパターンを描画するパターン描画装置技術を提供する。【解決手段】回転多面鏡PMの複数の反射面RPのうち描画用ビームLB1を反射する第1反射面RPaと異なる第2反射面RPbが所定の角度位置になったことを検知したときに原点信号を発生する原点検出部60と、原点信号が発生してか...

    パターン描画装置およびパターン描画方法

  9. 【課題・解決手段】露光装置(EX)は、描画データに基づいて変調されるビーム(LB)を基板(P)上に投射する露光ヘッド(14)を有し、基板(P)を副走査方向に移動させることによって、基板(P)上に描画データに対応したパターンを描画する。露光装置(EX)は、基板(P)に描画すべきパターンの副走査方向に関する描画倍率の変更位置を、基板(P)の移動量の変化を計測する計測機構で...

    パターン描画装置

  10. 【解決手段】基板Pにパターンを描画する露光装置EXは、ポリゴンミラーPMによりスポットSPを主走査してパターンを描画する走査ユニットUnの複数を、スポットSPの走査範囲が主走査方向につながるように配置した露光ヘッド14と、発振周波数Faでパルス発振するとともに、パターンを規定する画素単位が複数のスポットSPで描画されるように、ビームLBを複数の走査ユニットUnに供給す...

    パターン描画装置、およびパターン描画方法

  11. 【課題】電子デバイスや配線等のパターンを形成するための長尺シート基板に所定の処理を連続して施す基板処理装置及びテスト用シート基板を提供する。【解決手段】可撓性を有する長尺の第1シート基板を長尺方向に送りつつ、第1シート基板に所定の処理を施す基板処理装置は、第1シート基板に所定の処理を施す処理部を通るように、第1シート基板を長尺方向に搬送する基板搬送部と、基板搬送部によ...

    基板処理装置およびテスト用シート基板

  12. 【課題】パルス光源部からのビームのスポット光を相対的に走査して、被照射体上にパターンを描画する描画装置において、高精度に倍率補正できる方法を提供する。【解決手段】スポット光SPの走査中に1画素当りN個のクロックパルスを生成し、クロックパルスに応答してビームを発生するようにパルス光源部を制御するとともに、順次送出される描画データの画素毎の論理情報に基づいてスポット光の強...

    パターン描画装置、パターン描画方法、基板処理装置、および、デバイス製造方法

  13. 【解決手段】パターンに応じて強度変化するビームを基板上に投射して主走査方向に走査するとともに、前記基板と前記ビームとを副走査方向に相対移動させるパターン描画方法であって、前記ビームの前記主走査の速度をVs、前記画素の前記主走査方向の寸法をPyとしたとき、Vs/Pyで決まる周波数に対してN倍高い周波数のクロック信号を用意し、前記ビームの主走査の際、非補正画素については前...

    パターン描画方法およびパターン描画装置

  14. 【課題】変調(偏向)可能な周波数等に依存しないビーム走査速度(回転多面鏡の回転速度)を有するマルチビーム露光装置を提供する。【解決手段】被照射体にパターンを露光するための露光用のビームLBを射出する光源装置12Aは、露光用のビームLBの元となる種光を発生する光源部と、種光を入射して増幅するファイバー光増幅器216と、増幅された種光から露光用のビームLBを生成する波長変...

    光源装置および露光装置

  15. 【課題】露光装置を提供【解決手段】露光装置は、第1偏光状態でパルス発振する第1種光と、第1種光のピーク強度より低く第1種光と略同一のエネルギーを持ち第1偏光状態に対して偏光方向を90度変えた第2偏光状態でパルス発振する第2種光S2とを生成する光源部と、On状態のときに入射した第1種光および第2種光の偏光方向を90度変えて射出する電気光学変調器と、電気光学変調器から射出...

    パターン露光装置

  16. 【解決手段】パターン描画装置は、スポット光の元となる周波数Fbでパルス状に発生する種光のピーク強度を描画データに応答して変調し、変調された種光を増幅して高調波の周波数Fbのパルス状の第1ビームを生成する第1の光源装置と、スポット光の元となる周波数Fbでパルス状に発生する種光のピーク強度を描画データに応答して変調し、変調された種光を増幅して高調波の周波数Fbのパルス状の...

    パターン描画装置

  17. 【課題】単一の光検出部を用いて発光部の光量及び主走査方向における静電潜像の書き出しタイミングの両方を調整することが可能な光走査装置及び画像形成装置を提供すること。【解決手段】時間取得部12は、発光部61を発光させるように制御してから光検出部68により検出される光の光量が第1閾値s1に達するまでの第1閾値到達時間t1と、発光部61を発光させるように制御してから光検出部6...

    光走査装置及び画像形成装置

  18. 【課題】ファントムによる測定値を測定開始時の基準として、頭蓋における左右の血流の差を評価でき、しかもその後のヘモグロビンの相対濃度変化と酸素飽和度の相対変化を測定できる酸素飽和度測定装置を提供する。【解決手段】酸素飽和度測定装置は、センサー部2と装置本体部3とからなり、センサー部には近赤外線を照射する光源11,12と、光源から一定の距離に配置されて光源からの透過光を受...

    ヘモグロビンの相対濃度変化と酸素飽和度測定装置

  19. 【課題・解決手段】パターン描画装置(EX)は、複数の描画ユニット(Un)によって描画すべき基板(P)上の被露光領域の位置を計測する位置計測部(MU)と、描画ユニット(Un)の各々で描画されるパターンの被露光領域に対する位置誤差を低減する為に、位置計測部(MU)で計測された位置に基づいて描画ユニット(Un)の各々によるスポット光(SP)の位置を基板(P)の移動中に第2方...

    パターン描画装置、およびパターン描画方法

  20. 【課題】長尺基材の伸縮が変動しても下地パターンとの重ね合せ精度やトータルピッチ精度を劣化させない倍率補正機能を備えるパターン描画装置を提供する。【解決手段】パターン描画装置EXは、描画ビームLBnのスポットが主走査方向の走査開始位置になったことを表す検知信号を繰り返し走査の度に出力する原点センサと、スポットが主走査方向に走査される間に描画すべきパターンに対応した描画デ...

    パターン描画装置

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