SiC基板 に関する公開一覧

SiC基板」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「SiC基板」の詳細情報や、「SiC基板」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「SiC基板」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】キャリアの移動度の低下を抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、ゲート電極と、炭化珪素層とゲート電極との間のゲート絶縁層と、炭化珪素層とゲート絶縁層との間に位置し、3個の第1のシリコン原子と結合する3配位の第1の窒素原子と、3個の第2のシリコン原子と結合する3配位の第2の窒素原子と、3個の第3のシリコン原子と結合する3配...

    半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  2. 【課題】マスクと基板との間の隙間のサイズの変化に対応可能なスパッタエッチング装置を提供する。【解決手段】スパッタエッチング装置100は、基板2が載置されたステージ3と、プラズマが通過する開口H1を有するマスク6と、マスク6と基板2との間の隙間C1のサイズS1を調整するための調整機構M1とを備える。

    スパッタエッチング装置

  3. 【課題】複数の回路に対する電源供給を個別に制御する。【解決手段】CPUと、CPUの演算処理の際に、データの読み出し及び書き込みが行われるメモリと、CPUの演算処理により生成されるデータ信号を変換して出力信号を生成する信号処理回路と、CPUに対する電源電圧の供給を制御する第1の電源供給制御スイッチと、メモリに対する電源電圧の供給を制御する第2の電源供給制御スイッチと、信...

    半導体装置

  4. 【課題】ターゲット材料ディスペンサに過度の質量を付加しないようにターゲット材料ディスペンサにターゲット材料を供給する。【解決手段】ターゲット材料ディスペンサ及びターゲット材料貯蔵庫を含むEUV光源ターゲット材料ハンドリングシステムが開示される。ターゲット材料貯蔵庫内の固体ターゲット材料が、誘導加熱の使用により、液状のターゲット材料に変換される。

    ターゲット材料を供給するための装置及び方法

  5. 【課題】膜厚が500nm以上の結晶性AlGaO系半導体の厚膜を提供する。【解決手段】原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を熱反応させて成膜する際に、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させることにより、アルミニウムおよびガリウムを少なくと...

    結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

  6. 【課題】ウェハに成膜するエピタキシャル層のウェハ面内におけるキャリア濃度の均一性を高めることができるサセプタ及び化学気相成長装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るサセプタは、ウェハの主面上に、化学気相成長法によってエピタキシャル膜を成長させる化学気相成長装置に用いられるサセプタであって、基台と、前記基台の外周部に配置され、前記ウェハの外周部を支持する3個の突...

    サセプタ及び化学気相成長装置

  7. 【課題】SiCデバイスの欠陥の原因となりうる箇所を特定できるSiC基板の評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるSiC基板の評価方法は、SiCインゴットから切り出したSiC基板の第1面に、エピタキシャル膜を積層する前にSiCのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光をSiC基板に照射し、SiC基板から発光されるフォトルミネッセンスの強...

    SiC基板の評価方法、SiCエピタキシャルウェハの製造方法及びSiCエピタキシャルウェハ

  8. 【課題】局所的な発熱と寄生容量の上昇とを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、活性領域及び当該活性領域を囲む外領域と、活性領域上で第1の方向に沿って延在するゲート電極、ドレイン電極及びソース電極と、ドレイン電極の平面形状に沿った形状を有するドレインフィンガ、及び、第1の方向に直交する第2の方向に沿って延在し、当該ドレインフィンガに接続されるドレイン...

    半導体装置

  9. 【課題】均一に封止された封止体を提供する。均一に封止された発光モジュールを提供する。均一な封止体の作製方法を提供する。【解決手段】封止材131を挟んでエネルギー線の入射側と対峙する側に設ける構成に着目し、エネルギー線に対する反射率が高い領域105aと低い領域105bを、被封止体110を囲む封止材に重なるように、交互に設ける構成に想到した。

    封止体及び発光装置

  10. 【課題】第2の被着体の第1の被着体に対向した部位における応力の不均一化が防止されていることで、第2の被着体の特性変化と破壊が防止され、第2の被着体に優れた動作の信頼性を付与できる接合構造体、及び接合構造体の製造方法を提供する。【解決手段】接合構造体1は、第1の被着体11と、第1の被着体上に形成された金属多孔質体13と、金属多孔質体上に配置された第2の被着体12とを備え...

    接合構造体及び接合構造体の製造方法

  11. 【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置は、SiCパワーMISFET形成領域MRおよびSiC−SBD形成領域DRを有する。n型の半導体基板11上には、n-型のエピタキシャル層12が形成されている。n-型のエピタキシャル層12内には、p+型のボディ領域14が形成され、p+型のボディ領域14内には、n++型のソース領域19およびn+型の電流拡散領域18...

    半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車並びに鉄道車両

  12. 【課題】クラックの発生を抑制する窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法であって、スパッタ装置内に基板を準備する第1工程(S21)と、前記スパッタ装置内に成膜材料であるターゲットを準備する第2工程(S22)と、0.5Paよりも小さい内圧で前記ターゲットをスパッタリングすることにより、前記ターゲット材料の組成を含む窒化物層を前記基板上...

    窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

  13. 【課題】従来に比べて低転位密度の半導体層を形成する半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体を提供する。【解決手段】半導体積層構造体の製造方法は、基板1上にシングルドメインのシード層2が臨界膜厚以下で積層される工程と、シード層2が積層された基板1が熱処理されてシード層2との界面に犠牲層31が形成され、基板1とシード層2との結合を分子間力を主とした結合とすることでシ...

    半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体

  14. 【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに好適に酸素を供給することで、該酸化物半導体膜の酸素欠損を補填し、電気特性の安定したトランジスタを提供する。また、当該トランジスタに接続された配線、及び電極等への酸素の拡散を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】半導体装置として、酸化物半導体膜をチャネル形成領域とし...

    半導体装置

  15. 【課題】煩雑な工程を経ることなく製造可能な高品質の半導体装置及びその製造方法を提供するする。【解決手段】炭化珪素で構成された半導体基板11の一方の表面に不純物イオンを注入し、半導体基板11の不純物イオンを注入した領域12’に波長域が紫外領域であるレーザ光を照射し、レーザ光を照射して形成した高濃度不純物層12の表面に、金属により構成され、高濃度不純物層12とのオーミック...

    半導体装置及び半導体装置の製造方法

  16. 【課題】SiCインゴットからSiC基板を効率よく経済的に生成することができるSiC基板の加工方法を提供する。【解決手段】SiC基板の加工方法は、SiCに対して透過性を有する波長のレーザー光線LBの集光点をSiCインゴット2の上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線LBをSiCインゴット2に照射して剥離層38を形成する剥離層形成工程と、SiCインゴット2の上面にサ...

    SiC基板の加工方法

  17. 【課題】エピタキシャル成長中における半導体基板の温度分布の均一化を図ることができるトレイ、半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供すること。【解決手段】トレイ10は、炭化珪素基板が載置されるザグリ15を有する。ザグリ15の底面のうち、凹形状部14の上面を囲む斜面部13の上面における高さは、凹形状部14から離れるほど線形に低くなっている。この...

    トレイ、半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法および半導体製造装置

  18. 【課題】SiC基板の価格を低減することができると共に、デバイスチップの価格も低減することができるSiC基板の加工方法を提供する。【解決手段】SiC基板の加工方法は、SiCに対して透過性を有する波長のレーザー光線LBの集光点をSiC基板2の内部に位置づけてレーザー光線LBをSiC基板2に照射して分離層22を形成する分離層形成工程と、SiC基板2の表面2aに第一のサブスト...

    SiC基板の加工方法

  19. 【課題】積層欠陥を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、積層欠陥24の進展方向に対する半導体装置10のケミカルポテンシャルの変化量と、積層欠陥24の積層欠陥エネルギーと、の合計値がゼロ以上である。

    半導体装置、および半導体装置の製造方法

  20. 【課題】被加工物の表面を平坦化する表面加工技術に関して、前記課題を解決するために、仕上加工時間を短縮できると共に、潜傷を限りなくゼロにし、被加工物の表面をデバイスで求められる程度に平坦に仕上げること。【解決手段】被加工物の加工方法は、表面処理により被加工物に形成された潜傷を、被加工物の仕上加工前に、砥粒を使用しない化学反応又は紫外線光を利用した表面処理により、少なくと...

    被加工物の加工方法及び加工装置

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