RC遅延 に関する公開一覧

RC遅延」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「RC遅延」の詳細情報や、「RC遅延」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「RC遅延」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】帯域幅効率、計算効率、堅牢性に関して改善されたパラメトリック・マルチチャネル・オーディオ符号化システムを提供する。【解決手段】オーディオ・エンコード・システム500は、ダウンミックス信号および空間的メタデータを示すビットストリーム564を生成するよう構成され、マルチチャネル入力信号561からダウンミックス信号を生成するダウンミックス符号化ユニット510、マルチ...

    パラメトリック・マルチチャネル・エンコードのための方法

  2. 【課題】揮発性メモリデバイス及び揮発性メモリデバイスにおける効率的なバルクデータ移動、バックアップ動作の方法を提供する。【解決手段】データにアクセスするように構成された複数のサブアレイ150を有し、各サブアレイが互いに電気的に結合された揮発性メモリデバイスであって、行、列制御は、複数のサブアレイのそれぞれの行、列を制御する。複数のセンスアンプSAは、複数のサブアレイの...

    揮発性メモリデバイス及びその揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法

  3. 【課題】高速動作を可能にする半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置1は、メモリセルと、前記メモリセルに接続されるワード線と、前記メモリセルに接続されるソース線と、制御回路とを備え、前記制御回路は、前記ワード線に、第1電圧を印加し、前記第1電圧を印加した後に、前記第1電圧より大きい第2電圧を印加し、前記第2電圧を印加した後に、前記第1電圧より大き...

    半導体記憶装置

  4. 【課題】CMOS回路を有する半導体装置の構成において、貫通電流を低減する。【解決手段】電源線間に設けられた第1のCMOS回路と、電源線間に設けられた、第1のCMOS回路が有するトランジスタよりも、オフ電流が小さい第1のトランジスタと、電源線間に設けられた第2のCMOS回路と、第1のCMOS回路の出力端子と、第2のCMOS回路の入力端子との間に設けられた、第1のCMOS...

    半導体装置

  5. 【課題】サイズやコストの増大を抑えつつ、電力変換装置の高効率化を図る。【解決手段】DC−DCコンバータ100において、制御回路50は、高圧バッテリV1を介さずに入力スイッチング回路10、リアクトル成分L1およびトランス20を循環する循環電流が流れる循環期間において、スナバ回路33に電流が流れることで循環電流が増大するように、出力スイッチング回路30を制御する。また、制...

    電力変換装置

  6. 【課題】被処理体が大気に暴露されることによって被処理体の表面および内部に生じ得る様々な反応を回避し得る技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る処理システムは、真空ポンプによる真空引きを用いて、または、不活性ガスによる置換を用いて移送装置の内部の酸素分圧を127[Pa]以下に調整するとともに移送装置の内部の水蒸気分圧を24.1[Pa]以下に調整する制御部と被処理...

    処理システムおよび処理方法

  7. 【課題】読み出し動作時において、クロック信号と読み出しデータの送信方向を同じにする。【解決手段】半導体記憶装置は、メモリセルアレイ30と、第1クロック信号線C1Lと、一端から他端に向かって第1バッファ回路及び第2バッファ回路35が順に接続された第2クロック信号線P0C1Lと、第2クロック信号線P0C1Lの一端に接続された第1スリーステートバッファ200と、第2クロック...

    半導体記憶装置

  8. 【課題・解決手段】不揮発性メモリシステムが、複数のメモリセルをプログラムすると共に、プログラミングを検証するように構成された1つまたは複数の制御回路を含む。プログラムされたメモリセルを検証することが、未選択のメモリセルに関連するチャネル領域のブースティングを実行するための1つまたは複数の電圧を印加すること、1つまたは複数の電圧を印加している間の一部の時間においては、チ...

    プログラム性能の改良のためのプログラム検証中の注入型擾乱の制御がカスタマイズされる不揮発性メモリ

  9. 【課題】大画面及び高解像度のディスプレイに適用可能な、タッチ感度の低下がない、タッチ表示装置、タッチ駆動回路及びタッチ駆動方法を提供する。【解決手段】タッチ駆動回路がタッチ電極を駆動するに当たって、タッチ電極別に、時定数(例:RC遅延)の差、タッチ駆動回路からタッチ駆動信号の伝達を受ける信号伝達長の差またはタッチ駆動回路から離れた距離の差のようなタッチ電極別またはセン...

    タッチ表示装置、タッチ駆動回路、及びタッチ駆動方法

  10. 【課題】簡素化された構成を有するディスプレイ装置を提供する。【解決手段】ディスプレイ装置は、基板110の表示領域DAを通るゲートラインGL、基板110の表示領域DAを通るデータラインDL、基板110の表示領域DAを通る画素駆動電源ラインPL、基板110に定義された少なくとも一つの画素領域Pに実装され隣接したゲートラインGLとデータラインDLに接続した画素駆動チップ12...

    ディスプレイ装置

  11. 【課題】静電容量測定の方法を提供する。【解決手段】静電容量測定回路のフィードバックコンデンサを第1の電圧レベルにリセット502し、測定フェーズを開始するためにセンサ電極と差動増幅器の第1の入力部とを結合506し、フィードバックコンデンサと差動増幅器の出力部との間の複数のスイッチの第1のスイッチを閉じる508ことを含む。第1のスイッチを閉じるときフィードバックコンデンサ...

    多段階フィードバックコンデンサスイッチングスキーム

  12. 【課題】半導体装置の配線を伝播する信号の遅延を減少する技術を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、第一の配線と、第二の配線と、第一の配線と第二の配線との間に設けられ第一の配線と第二の配線とを絶縁する絶縁層と、第一の配線と第二の配線との間に設けられ第一の配線と第二の配線との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整層と、を備える。この半導体装置では、第...

    半導体装置

  13. 【課題・解決手段】圧電発電装置(100)は、レバー(2)と、圧電発電体(7)と、反転バネ(4)と、DC/DCコンバータ(104)と、信号出力部(103)とを備える。反転バネ(4)は、レバー(2)と圧電発電体(7)との間に配置され、レバー(2)の変位に伴い反転する。DC/DCコンバータ(104)は、Hレベルのイネーブル信号(Sen)を受けた場合に、圧電発電体(7)により...

    圧電発電装置およびそれを備えた送信機

  14. 【課題】専用の経路を不要とした簡易な構成で、多段接続した場合でも起動信号の伝達が確実に行える半導体装置、該半導体装置を用いた電池監視システム、および半導体装置の起動方法を提供すること。【解決手段】外部から制御信号を受信する第1の受信部40および第2の受信部42と、制御信号に基づいて対象物Bの監視を制御する制御部48と、内部回路に電力を供給する電源部46と、を含み、第1...

    半導体装置、電池監視システム、および半導体装置の起動方法

  15. 【課題・解決手段】マルチゲートNORフラッシュ薄膜トランジスタ(TFT)ストリングアレイ(「マルチゲートNORストリングアレイ」)は、シリコン基板の表面に平行に延びる水平アクティブストリップのスタックとして組成され、各スタック内のTFTはアクティブストリップのスタックの一方又は両方の側壁に沿って設けられた垂直ローカルワードラインによって制御されている。各アクティブスト...

    積層水平アクティブストリップに配置され、垂直制御ゲートを有するマルチゲートNORフラッシュ薄膜トランジスタストリング

  16. 【課題】Ru配線を製造するための時間を短縮することができるRu配線の製造方法を提供する。【解決手段】表面に凹部203が形成された所定の膜を有する基板に対し、凹部203を埋めてルテニウム配線を製造するにあたり、ルテニウム原料ガスを用いたCVDにより第1のルテニウム膜206を成膜して凹部を埋め込み、凹部203内に埋め込んだ第1のルテニウム膜206の上に、ルテニウム原料ガス...

    ルテニウム配線の製造方法

  17. 【課題】高速に動作することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置10は、nビットデータ(nは1以上の整数)を記憶可能な第1及び第2メモリセルと、第1及び第2メモリセルにそれぞれ接続された第1及び第2ワード線と、一端が前記第1ワード線の一端に接続された第1トランジスタと、一端が前記第2ワード線の一端及び他端にそれぞれ接続された第2及び第3...

    半導体記憶装置

  18. 【課題】メモリセルの読出動作の精度を改善する。【解決手段】ブロックの選択されたメモリセルのセンシングを含む動作を行うためのコマンドに応答して前記動作を行い、且つ前記動作後に前記メモリセルのブロックのソフト消去を行うように制御回路110、122を構成する。

    メモリ内の第1の読出対応

  19. 【課題】電源電位数を増加させることなく所望の電位をデータとして保持することが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】記憶素子は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタがオフすることによって浮遊状態となるノードにおいてデータを保持する。そして、当該トランジスタのゲートの電位をゲートとソース間の容量結合によって上昇させることが可能な構成を有する。これにより、電源電...

    半導体装置

  20. 【課題】放電回路に流れる電流によって負荷が破壊されることを抑制することができる半導体集積回路を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体集積回路は、出力回路と、放電回路と、放電制御回路とを備えている。出力回路は、電源と負荷との間に設けられ、第1制御信号が第1論理のときに電源と前記負荷との間を電気的に接続し、第1制御信号が第2論理のときに電源と負荷との間を電気的に切断...

    半導体集積回路

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