RC遅延 に関する公開一覧

RC遅延」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「RC遅延」の詳細情報や、「RC遅延」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「RC遅延」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】垂直制御ゲートを有するマルチゲートNORストリングアレイの提供する。【解決手段】マルチゲートNORフラッシュ薄膜トランジスタストリングアレイは、シリコン基板の表面に平行に延びる水平アクティブストリップのスタックとして組成され、各スタック内のTFTはアクティブストリップのスタックの一方又は両方の側壁に沿って設けられた垂直ローカルワードラインによって制御されている...

    積層水平アクティブストリップに配置され、垂直制御ゲートを有するマルチゲートNORフラッシュ薄膜トランジスタストリング

  2. 【課題】アンテナアレイ構造の素子において、効率のよいテラヘルツ波の発生または検出を実現する。【解決手段】素子は、第1の導体層と、第1の導体層と電気的に接続される、テラヘルツ波を発生または検出する半導体層と、半導体層と電気的に接続される、半導体層を介して第1の導体層と対向する第2の導体層と、誘電体層とを含むアンテナが複数設けられたアンテナアレイを備え、基板、第1の導体層...

    素子、素子の製造方法

  3. 【課題】高速動作を可能にする半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】本実施形態に係る半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルに接続されるワード線と、メモリセルに接続されるソース線と、メモリセルに接続されるビット線と、メモリセルに接続されるセンスアンプと、制御回路とを備え、メモリセルの読み出し動作において、制御回路は、ワード線に、第1電圧を印加し、第1電圧を印加した...

    不揮発性半導体記憶装置

  4. 【課題】電源投入時においても装置内の動作を安定できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、電源電圧VCCを監視し、リセット信号RSを生成する第1回路10と、リセット信号RSに応じて出力信号の論理レベルを制御するロジック回路13と、電源電圧VCCとリセット信号RSとに応じて電流を発生させる第2回路11と、電流とリセット信号RSとに応じて制御信...

    半導体装置

  5. 【課題】タッチライン及びタッチ電極の間に形成される寄生キャパシタンスを低減することができるタッチディスプレイ装置を提供する。【解決手段】各サブ画素に配置される発光素子を封止する封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、タッチ電極から離隔するようにタッチ電極の間に配置され、タッチラインに沿...

    タッチディスプレイ装置

  6. 【課題】半導体記憶装置の読み出し動作を高速化すること。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、ビット線とソース線との間に接続されたメモリセルと、メモリセルのゲートに接続されたワード線と、読み出し動作を実行するコントローラと、を含む。読み出し動作においてコントローラは、ワード線WLselに第1読み出し電圧NRと第2読み出し電圧BRとを印加し、第1読み出し電圧が印加されて...

    半導体記憶装置

  7. 【課題・解決手段】バイオポリマー分子を特徴付けるための3Dナノポアデバイスは、第1の選択軸を有する第1の選択層を含む。このデバイスはまた、第1の選択層に隣接して配置され、第1の選択軸に直交する第2の選択軸を有する第2の選択層を含む。デバイスは、第2の選択層に隣接して配置された第3の電極層をさらに含み、第1の選択層、第2の選択層、および第3の電極層は、Z軸に沿って層のス...

    ナノポア装置およびその製造方法

  8. 【課題】シリカ膜形成時のシリカ膜厚(THK)の均一性に優れたシリカ膜形成用組成物を提供する。【解決手段】パーヒドロポリシラザンおよび溶媒を含むシリカ膜形成用組成物であって、CDCl3を用いて測定されるパーヒドロポリシラザン(PHPS)の1H−NMRスペクトルにおいて、N3SiH1およびN2SiH2に由来するピークをPeak1とし、NSiH3に由来するピークをPeak2...

    シリカ膜形成用組成物、前記組成物から製造されるシリカ膜、および前記シリカ膜を含む電子素子

  9. 【課題・解決手段】アンテナアパーチャにおけるRFリップル補正のための方法及び装置が記載される。1つの実施形態において、アンテナは、液晶(LC)を有するアンテナ素子のアレイと、アレイに結合されており、各々が、アレイのアンテナ素子に結合されてアンテナ素子に駆動電圧を印加するように動作できる複数のドライバを有する駆動回路と、駆動回路に結合されて、駆動電圧を調整してリップルを...

    アンテナアパーチャにおけるRFリップル補正

  10. 【課題】 導電体層と絶縁体層との間の剥がれの発生を低減する。【解決手段】 導電体部310と絶縁体部410の間にシリコンおよび銅を含有する中間領域51が位置しており、導電体部320と絶縁体部420の間にシリコンおよび銅を含有する中間領域52が位置しており、中間領域51の最高窒素濃度は、中間領域52の最高窒素濃度よりも高い。

    半導体装置および機器

  11. 【課題】ロジック・エレメントごとに電力供給および電力供給停止を制御することが可能なプログラマブル・ロジック・デバイス(PLD)を提供する。【解決手段】PLDは、プログラム可能なロジック・エレメント、外部の電源から電位が入力される端子、端子とロジック・エレメント間の導通を制御するスイッチ、及びスイッチの導通状態を設定する制御信号を出力するメモリを少なくとも有する。メモリ...

    半導体装置

  12. 【課題】帯域幅効率、計算効率、堅牢性に関して改善されたパラメトリック・マルチチャネル・オーディオ符号化システムを提供する。【解決手段】オーディオ・エンコード・システム500は、ダウンミックス信号および空間的メタデータを示すビットストリーム564を生成するよう構成され、マルチチャネル入力信号561からダウンミックス信号を生成するダウンミックス符号化ユニット510、マルチ...

    パラメトリック・マルチチャネル・エンコードのための方法

  13. 【課題】揮発性メモリデバイス及び揮発性メモリデバイスにおける効率的なバルクデータ移動、バックアップ動作の方法を提供する。【解決手段】データにアクセスするように構成された複数のサブアレイ150を有し、各サブアレイが互いに電気的に結合された揮発性メモリデバイスであって、行、列制御は、複数のサブアレイのそれぞれの行、列を制御する。複数のセンスアンプSAは、複数のサブアレイの...

    揮発性メモリデバイス及びその揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法

  14. 【課題】高速動作を可能にする半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置1は、メモリセルと、前記メモリセルに接続されるワード線と、前記メモリセルに接続されるソース線と、制御回路とを備え、前記制御回路は、前記ワード線に、第1電圧を印加し、前記第1電圧を印加した後に、前記第1電圧より大きい第2電圧を印加し、前記第2電圧を印加した後に、前記第1電圧より大き...

    半導体記憶装置

  15. 【課題】CMOS回路を有する半導体装置の構成において、貫通電流を低減する。【解決手段】電源線間に設けられた第1のCMOS回路と、電源線間に設けられた、第1のCMOS回路が有するトランジスタよりも、オフ電流が小さい第1のトランジスタと、電源線間に設けられた第2のCMOS回路と、第1のCMOS回路の出力端子と、第2のCMOS回路の入力端子との間に設けられた、第1のCMOS...

    半導体装置

  16. 【課題】サイズやコストの増大を抑えつつ、電力変換装置の高効率化を図る。【解決手段】DC−DCコンバータ100において、制御回路50は、高圧バッテリV1を介さずに入力スイッチング回路10、リアクトル成分L1およびトランス20を循環する循環電流が流れる循環期間において、スナバ回路33に電流が流れることで循環電流が増大するように、出力スイッチング回路30を制御する。また、制...

    電力変換装置

  17. 【課題】被処理体が大気に暴露されることによって被処理体の表面および内部に生じ得る様々な反応を回避し得る技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る処理システムは、真空ポンプによる真空引きを用いて、または、不活性ガスによる置換を用いて移送装置の内部の酸素分圧を127[Pa]以下に調整するとともに移送装置の内部の水蒸気分圧を24.1[Pa]以下に調整する制御部と被処理...

    処理システムおよび処理方法

  18. 【課題】読み出し動作時において、クロック信号と読み出しデータの送信方向を同じにする。【解決手段】半導体記憶装置は、メモリセルアレイ30と、第1クロック信号線C1Lと、一端から他端に向かって第1バッファ回路及び第2バッファ回路35が順に接続された第2クロック信号線P0C1Lと、第2クロック信号線P0C1Lの一端に接続された第1スリーステートバッファ200と、第2クロック...

    半導体記憶装置

  19. 【課題・解決手段】不揮発性メモリシステムが、複数のメモリセルをプログラムすると共に、プログラミングを検証するように構成された1つまたは複数の制御回路を含む。プログラムされたメモリセルを検証することが、未選択のメモリセルに関連するチャネル領域のブースティングを実行するための1つまたは複数の電圧を印加すること、1つまたは複数の電圧を印加している間の一部の時間においては、チ...

    プログラム性能の改良のためのプログラム検証中の注入型擾乱の制御がカスタマイズされる不揮発性メモリ

  20. 【課題】大画面及び高解像度のディスプレイに適用可能な、タッチ感度の低下がない、タッチ表示装置、タッチ駆動回路及びタッチ駆動方法を提供する。【解決手段】タッチ駆動回路がタッチ電極を駆動するに当たって、タッチ電極別に、時定数(例:RC遅延)の差、タッチ駆動回路からタッチ駆動信号の伝達を受ける信号伝達長の差またはタッチ駆動回路から離れた距離の差のようなタッチ電極別またはセン...

    タッチ表示装置、タッチ駆動回路、及びタッチ駆動方法

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