CMP法 に関する公開一覧

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出願人・発明者

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  1. 技術 半導体装置およびその製造方法

    【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】ハフニウム、酸素および第１元素を含むアモルファス膜ＡＭ１を形成し、アモルファス膜ＡＭ１上に、ハフニウム、酸素および第１元素の何れとも異なる第２元素を含む複数の粒を形成する。続いて、複数の粒上およびアモルファス膜ＡＭ１上に、ハフニウムおよび第２元素の何れとも異なる第３元素を含む絶縁膜ＩＦ２を形成することで、第２元素と第３...

    半導体装置およびその製造方法

  2. 技術 半導体装置

    【課題】受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つ暗電流の不均一性を改善しうる半導体装置を提供する。【解決手段】各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、半導体層の上に配された配線構造体と、を有する半導体装置であって、複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、配線構造体は、第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、第１の受光...

    半導体装置

  3. 技術 発光装置

    【課題】高画質で信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供する。【解決手段】第１の基板上のトランジスタと、トランジスタ上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第１の電極と、第１の電極の端部を覆う領域を有し、且つ上面に凸部が設けられた第２の絶縁層と、第１の電極上の有機化合物を有する層１８８と、有機化合物を有する層上の第２の電極１８９と、第２...

    発光装置

  4. 技術 半導体装置およびその製造方法

    【課題】半導体装置の信頼性を高める。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１絶縁層上に第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜上に第１無機膜を形成する工程と、第１無機膜の一部上に第１エッチングマスクを形成する工程と、第１エッチングマスクを用いて、第１無機膜および第１導電膜をパターニングして、第１配線を形成する工程と、第１無機膜の一部上に第２エッチングマスクを形成する工程...

    半導体装置およびその製造方法

  5. 技術 半導体装置

    【課題】放熱構造を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、基板および熱伝導膜を有する。基板は、互いに反対側に位置する表面および裏面を有する。基板の裏面には、第１開口部が形成されている。熱伝導膜は、第１開口部内に形成された第１熱伝導部を含む。第１熱伝導部は、第１開口部内にボイドが形成されるように第１開口部内に埋め込まれている。

    半導体装置

  6. 技術 不揮発性メモリセル、不揮発性メモリセルアレイ、及び、不揮発性メモリセルアレイの情報書き込み方法

    【課題】選択用トランジスタにおいて双方向に電流を流すことなく、単一の方向に電流を流すことで情報の書き込みを行うことを可能とする不揮発性メモリセルを提供する。【解決手段】不揮発性メモリセルは、抵抗変化型の不揮発性メモリ素子５０及び選択用トランジスタＴＲから構成されており、不揮発性メモリ素子５０の一端は、選択用トランジスタＴＲの一方のソース／ドレイン領域１５Ａに接続されて...

    不揮発性メモリセル、不揮発性メモリセルアレイ、及び、不揮発性メモリセルアレイの情報書き込み方法

  7. 技術 光電変換装置およびカメラ

    【課題】 光電変換の性能を向上した光電変換装置を提供する。【解決手段】 半導体層１００の表面１側に配され、絶縁体１１によって構成された素子分離部１０と、画素分離部２０と、を備える光電変換装置であって、画素分離部は、法線方向において分離領域１０２に重なる部分２０１を有し、中間面３では半導体領域１２１、１２４、１２３に渡って半導体層１００が連続しており、かつ、部分２０...

    光電変換装置およびカメラ

  8. 技術 減少した表面スクラッチを示すメモリハードディスクを研磨するための組成物および方法

    【課題・解決手段】本発明は、（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）（ｉ）式（Ｉ）のアルコールと（ｉｉ）式（ＩＩ）のアルコールとの組み合わせと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含む化学機械研磨組成物を提供し、その研磨組成物は、約１〜約５のｐＨを有する。本発明はまた、基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させて、基板に対して研磨パッドおよび研磨組成物を動かし...

  9. 技術 基板の洗浄方法

    【課題】一実施形態において、表面の一部が酸化珪素である半導体デバイス用基板の基板表面に残留するセリアに対する洗浄性に優れる基板の洗浄方法の提供。【解決手段】本開示は、一実施形態において、下記工程（１）及び（２）を含む、基板の洗浄方法に関する。（１）被洗浄基板を、分子内にカルボキシル基を２個以上有する化合物（成分Ａ）及び水を含むｐＨ５以下の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工...

  10. 技術 半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物

    【課題】一実施形態において、基板表面に残留するセリアに対する洗浄性に優れる半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物の提供。【解決手段】本開示は、一実施形態において、水溶性重合体（成分Ａ）及び水（成分Ｂ）を含有する洗浄剤組成物であって、成分Ａが、主鎖に、下記式（Ｉ）で表される構成単位、及び、下記式（ＩＩ）で表される基を含む構成単位を含有し、ｐＨが１以上５以下であり、半導...

  11. 技術 酸化珪素膜用研磨液組成物

    【課題】一態様において、酸化珪素膜の研磨速度を向上できる研磨液組成物の提供。【解決手段】本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性高分子（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表される構成単位ｂ１と、下記式（ＩＩ）で表される構成単位、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位、及び下記式（ＩＶ）で表される構成単位から選ばれる少なくとも１種...

  12. 技術 半導体装置の製造方法

    【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】ＳＯＩ基板の製品領域にメモリセルアレイを設け、ＳＯＩ基板のスクライブ領域にテスト用セルアレイＴＥＧＡを設ける。テスト用セルアレイＴＥＧＡには、メモリセルアレイと同じ構造からなる活性領域ＡｃＮ１、活性領域ＡｃＮ２および給電領域ＴＡＰが形成されている。活性領域ＡｃＮ１、活性領域ＡｃＮ２および給電領域ＴＡＰには、それぞれプ...

    半導体装置の製造方法

  13. 技術 撮像装置及び電子機器

    【課題】今までと同等のチップサイズで、１画素あたりの面積の微細化を阻害することのない撮像装置を提案する。【解決手段】本開示の実施形態に係る撮像装置は、光電変換素子、及び、当該光電変換素子から出力された電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョンからなる画素を有する第１の半導体基板と、前記第１の半導体基板上に絶縁膜を介して設けられ、前記フローティングディフュージ...

    撮像装置及び電子機器

  14. 技術 研磨パッド

    【課題】 高密度研磨層であっても、ドレス処理を少なくさせることができ、また、塊が脱落しにくい構造の研磨層を有する研磨パッドを提供することを目的とする。【解決手段】 研磨層を構成する硬化樹脂がジャイロイド構造状に相分離した研磨パッドであって、前記相分離した硬化樹脂の少なくとも一種は、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、及びポリウレタンポリウレア樹脂からなる群から選択さ...

    研磨パッド

  15. 技術 酸化珪素膜用研磨液組成物

    【課題】一態様において、酸化珪素膜の研磨速度を確保しつつ、研磨選択性を向上できる研磨液組成物を提供する。【解決手段】本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性高分子（成分Ｂ）と、アニオン性縮合物（成分Ｃ）と、水系媒体とを含有し、成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表される構成単位ｂ１を含む重合体ある、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。

  16. 技術 カラーフィルタアレイの形成方法および電子デバイスの製造方法

    【課題】 色シェーディングを低減する上で有用な技術を提供する。【解決手段】 所定の方向における第１間隙の幅は、所定の方向における第２間隙の幅よりも大きく、第１のカラーフィルタおよび第２のカラーフィルタのそれぞれは、基体の側の面である下面と下面とは反対側の面である上面とを有し、表面に沿った平面を基準面として、基準面から第１のカラーフィルタの上面までの距離と基準面から...

    カラーフィルタアレイの形成方法および電子デバイスの製造方法

  17. 技術 電子デバイスおよびその製造方法

    【課題】枠体を用いて機能素子を封止する電子デバイスの製造方法を簡略化する。【解決手段】電子デバイスの製造方法は、複数の機能素子（弾性波素子１２）が設けられた支持基板１０上に、複数の機能素子をそれぞれ囲み第１空隙２９を介し互いに離れる複数の枠体２０を形成する工程と、複数の機能素子が第２空隙２８に封止されるように、複数の枠体上にリッド２６を接合する工程と、リッドを接合する...

    電子デバイスおよびその製造方法

  18. 技術 電気光学装置、および電子機器

    【課題】十分な保持容量と、高い遮光性とを備え、コンパクトな構成の電気光学装置を提供すること。【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０は、データ線と走査線３との交差に対応して設けられたトランジスターと、画素の４辺に沿って形成されたトレンチ４と、トレンチ４の側面に沿って設けられる第１の容量電極８１ｂ，８１ｄと、トランジスターの半導体層２８が、第１の容量電極８１ｂ，８１ｄと...

    電気光学装置、および電子機器

  19. 技術 配線基板の製造方法及び積層構造

    【課題】研磨の際の剥離層の剥離を抑制することができる配線基板の製造方法及び積層構造を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、支持体と、前記支持体上の剥離層と、を備えた支持基板を準備する工程と、前記剥離層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内及び前記絶縁層上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層を研磨する工程と...

    配線基板の製造方法及び積層構造

  20. 技術 トランジスタ

    【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させると共に信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、酸化物半導体膜を有し、トランジスタは、トランジスタのゲート電圧が０Ｖより大きく１０Ｖ以下の範囲での電界効果移動度の最大値が、４０ｃｍ２／Ｖｓ以上１５０ｃｍ２／Ｖｓ未満である領域と、しきい値電圧が、−...

    トランジスタ

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