石英 に関する公開一覧

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出願人・発明者

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  1. 技術 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

    【課題】基板上に形成される酸化膜の特性を向上する半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラムを提供する。【解決手段】基板に対して、中心原子Ｘに第１基と第２基とが結合した分子構造を有する、第１基とＸとの結合エネルギーが第２基とＸとの結合エネルギーよりも高い原料を供給し、基板上に、Ｘに第１基が結合した成分を含む第１層を形成する工程Ａと、基板に対して酸化剤を供給し、...

    半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

  2. 技術 成膜装置、成膜ワーク製造方法、膜評価方法

    【課題】ガスバリア性に優れた膜を形成できる成膜装置及び成膜ワーク製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る成膜装置は、内部を真空とすることが可能であり、スパッタリングにより成膜処理を行うための処理空間４１を有するチャンバ２０と、処理空間４１に設けられ、Ｚｎ及びＳｎを含む成膜材料からなるターゲット４２と、処理空間４１へスパッタガスＧ１を導入するスパッタガス導入部４９...

    成膜装置、成膜ワーク製造方法、膜評価方法

  3. 技術 半導体装置、表示装置、及び電子機器

    【課題】 半導体装置に外力が印加された際に対向基板と平面視で重ならない領域の素子、回路、絶縁層等が損傷されるのが抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】 発明の一様態は、第１基板の一主面側に複数の有効画素を有する有効画素領域と、前記有効画素領域の周辺に位置する周辺領域と、を有する素子基板と、第２基板と、前記素子基板と前記第２基板を接合する第１接合部材及び第２接...

    半導体装置、表示装置、及び電子機器

  4. 技術 半導体装置、発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置、及び移動体

    【課題】下部電極の間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】素子基板１に配される第１電極と、第１電極の端を覆い、素子基板１の上に配された絶縁層３と、第１電極及び絶縁層３の上に配された電荷輸送層４１及び機能層４２を有する有機層４と、第２電極と、を有し、素子基板１、絶縁層３、及び有機層４を通る断面において、絶縁層３は、第１電極の下面に平行な平行面と成す角...

    半導体装置、発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置、及び移動体

  5. 技術 半導体装置、表示装置、及び光電変換装置

    【課題】下部電極と上部電極の間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、素子基板の上に配される第１電極２０と、第１電極の端を覆い、素子基板の上に配される絶縁層３０と、第１電極及び絶縁層の上に配される機能層４０と、機能層を挟んで第１電極及び絶縁層の上に配される第２電極５０と、を有し、素子基板、絶縁層、及び機能層を通る断面において、絶縁層は、...

    半導体装置、表示装置、及び光電変換装置

  6. 技術 炭素素材、グラフェン、炭素素材の製造装置及び炭素素材の製造方法

    【課題】本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、ナノカーボンの素材であるグラフェンの大量生産に適した製造装置を提供し、及びこの製造装置を使用し高純度なグラフェン等を提供することにある。【解決手段】植物性原料を乾燥し、乾燥し粉砕して炭素源を得る前処理工程（Ｓ１）と、 前記炭素源を炭化し炭化物を得る炭化工程と（Ｓ２）、前記炭化工程で得られた前記炭化物から...

    炭素素材、グラフェン、炭素素材の製造装置及び炭素素材の製造方法

  7. 技術 グラフェン及びグラフェンの製造装置

    【課題】植物性原料を炭素源として、高純度の炭素素材を短時間に大量生産することに適した製造装置、及びこの製造装置を使用して得られた炭素素材の提供。【解決手段】植物性原料を乾燥し、乾燥し粉砕して炭素源を得る前処理工程（Ｓ１）と、前記炭素源を炭化し炭化物を得る炭化工程と（Ｓ２）、前記炭化工程で得られた前記炭化物からケイ素を含む不純物を除去する賦活工程（Ｓ３）と、を含み、前記...

    グラフェン及びグラフェンの製造装置

  8. 技術 カーボンナノチューブ製造基材用ステンレス鋼帯およびその製造方法

    【課題】カーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴともいう）製造基材用ステンレス鋼帯およびその製造方法を提供する。【解決手段】質量％で、Al：0.30〜10.00％を含む組成を有するステンレス冷延鋼帯を素材とし、該素材に800℃以上の温度で10ｓ以上保持する熱処理を施し、表面に厚さ：20nm以上の酸化アルミニウム層を有するステンレス鋼帯とする。なお、熱処理は、900〜1000...

  9. 技術 多孔質堆積物の形成方法、多孔質膜を備えた構造体および分相性母体ガラス

    【課題】耐熱性に劣る基材への多孔質堆積物の設置をする多孔質堆積物の形成方法を提供する。【解決手段】分相性母体ガラスを原料とした物理気相成長法によって、第１の相７と第２の相９とに相分離した堆積物１１を、基材３の表面に設ける相分離堆積物設置工程と、前記相分離堆積物設置工程で設けられた堆積物１１のうちの第２の相９を除去して多孔質堆積物５を形成する第２の相除去工程とを有する。

    多孔質堆積物の形成方法、多孔質膜を備えた構造体および分相性母体ガラス

  10. 技術 プラズマ処理装置

    【課題】プロセス特性の変動を抑制し、かつ、デバイスの歩留まりを向上させること。【解決手段】実施形態のプラズマ処理装置は、基板を処理する処理容器と、処理容器内に電力を供給してプラズマを生成する電源と、処理容器内に設置される上部電極と、上部電極に対向する下部電極を有し、基板が載置される基板載置台と、基板載置台の外縁部に配置され、基板の周囲を囲むエッジリングと、エッジリング...

    プラズマ処理装置

  11. 技術 評価方法及び真空蒸着装置

    【課題】加熱手段により収容箱内の有機材料を加熱したときの有機材料への熱負荷を簡便な手法で評価できる評価方法及び真空蒸着装置ＤＭを提供する。【解決手段】固体の有機材料Ｏｍを収容箱Ｄｓの内容器４２に充填し、真空雰囲気の真空チャンバ１内で加熱手段としてのシースヒータ４３ａ〜４３ｄにより内容器内の有機材料を加熱してこの有機材料を昇華または気化させるのに先立って、有機材料への熱...

    評価方法及び真空蒸着装置

  12. 技術 プラズマ処理装置及び処理方法

    【課題】イオンエネルギー分布を制御する。【解決手段】基板を載置する第１の電極と、プラズマを生成するためのプラズマ生成源と、前記第１の電極にバイアスパワーを供給するバイアス電源と、前記プラズマ生成源に前記バイアスパワーよりも高い周波数のソースパワーを供給するソース電源と、前記バイアス電源及び前記ソース電源を制御する制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、前記ソースパ...

    プラズマ処理装置及び処理方法

  13. 技術 光反応用フロー式リアクター

    【課題】本発明の目的は、反応の均一性を高めることが可能な光反応用フロー式リアクターを提供することにある。また本発明の目的は、好ましくは、リアクター部を流れる反応液のレイノルズ数が低くても、反応の均一性を高めることが可能な光反応用フロー式リアクターを提供することにある。【解決手段】原料送液部と、前記原料送液部からの原料液を出口に向けて流通するリアクター部と、該リアクター...

    光反応用フロー式リアクター

  14. 技術 金属酸化物粒子分散用組成物

    【課題】耐熱性に優れ、インクジェット法を適用することができる、ＯＬＥＤ表示素子等のディスプレイ用途等又はＯＬＥＤ照明等における高屈層形成用の高屈折材料を調製可能な金属酸化物粒子分散用組成物を提供すること。【解決手段】フルオレンにナフタレン環が結合した特定のシリル基変性フルオレン化合物と、特定の（メタ）アクリレート化合物とを含有する、金属酸化物粒子分散用組成物とする。シ...

  15. 技術 金属膜形成方法

    【課題】 原料溶液中への金属の分散性を改善することで、高品質な金属膜を安価に形成することができる金属膜形成方法を提供する。【解決手段】 基体上に金属膜を形成する金属膜形成方法であって、前記金属膜の原料を含有する原料溶液を調製する原料溶液調製工程と、前記原料溶液を霧化又は液滴化してミストを発生させるミスト化工程と、前記ミストにキャリアガスを供給するキャリアガス供給工...

    金属膜形成方法

  16. 技術 シリコン素材及びそのシリコン素材を含むリチウムイオン電池

    【課題】シリコン素材の体積変化を吸収し、金属製物質の少ない植物性原料からシリコン素材及びそのシリコン素材を含むリチウム二次電池を提供することにある。【解決手段】植物性原料を粉砕してシリカ源を得る前処理工程と、シリカ源を燃焼しシリカを抽出する燃焼工程と、燃焼工程で得られた燃焼物から炭素を除去する精製工程と、を含み、燃焼工程は、チャンバー内に燃焼用ガスを供給し、チャンバー...

    シリコン素材及びそのシリコン素材を含むリチウムイオン電池

  17. 技術 光モジュール及びその製造方法

    【課題】Ｓｉ基板上のゲルマニウムの結晶性及び結晶成長効率を良好にしつつ、下部クラッド層をできるだけ薄くしながらＳｉ基板による光吸収損失を低減する。【解決手段】光モジュール１は、Ｓｉ基板１０と、Ｓｉ基板上に形成されたＧｅパターン２１を含むＧｅフォトダイオード２０と、Ｇｅフォトダイオードと光結合するようにＳｉ基板上に設けられた光導波路３０とを備えている。光導波路は、Ｓｉ基...

    光モジュール及びその製造方法

  18. 技術 樹脂被覆装置及び樹脂の被覆方法

    【課題】固形樹脂を使用して、樹脂を被覆する樹脂被覆装置及び樹脂の被覆方法を提供すること。【解決手段】樹脂被覆装置１は、収容部１０と、蓋部２０と、蓋部２０を収容部１０に対して開閉可能に駆動させる蓋部駆動部３０と、被加工物に固形樹脂を供給する樹脂供給部４０と、収容部１０と蓋部２０とで密閉される加工空間４を真空にする真空ポンプ５０と、加工空間４に大気圧を供給して被加工物に被...

    樹脂被覆装置及び樹脂の被覆方法

  19. 技術 積層構造体及び半導体装置並びに積層構造体の製造方法

    【課題】 熱的に安定であり、電気的特性が優れた結晶性酸化物膜を有する安価な積層構造体を提供することを目的とする。【解決手段】 結晶性基板と、ガリウムを主成分としベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性基板がタンタル酸リチウム結晶基板であり、該タンタル酸リチウム結晶基板の主面上に、β−Ｇａ２Ｏ３を主成分として含む前記結晶性酸化物...

    積層構造体及び半導体装置並びに積層構造体の製造方法

  20. 技術 熱電対構造、熱処理装置及び熱電対構造の製造方法

    【課題】複数の測温部を有する熱電対構造を省スペース化できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による熱電対構造は、第１の熱電対素線と、前記第１の熱電対素線の先端又は途中の異なる位置に接合され、前記第１の熱電対素線と異なる材料により形成された複数の第２の熱電対素線と、前記第１の熱電対素線及び前記第２の熱電対素線の少なくともいずれかを被覆する絶縁性の被覆部材と、前記...

    熱電対構造、熱処理装置及び熱電対構造の製造方法

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