成膜 に関する公開一覧

成膜」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「成膜」の詳細情報や、「成膜」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「成膜」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】仮固定材の残渣の除去などの半導体製造プロセスにおいて、残渣を良好に除去することができる洗浄剤を提供する。【解決手段】水酸化テトラメチルアンモニウム(A)を3〜10質量%、水(B)を20〜60質量%、ジメチルスルホキシド(C)、および炭素数2〜4のアルキレングリコールモノ炭素数1〜4のアルキルエーテル(D)を、含有する洗浄剤。【効果】仮固定材の残渣の除去などの半...

    洗浄剤、洗浄剤の製造方法、および対象物の処理方法

  2. 【課題】的確に露光マスクを形成できるワイドバンドギャップ半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】事前準備として、半導体ウェハ10の裏面の傷の位置や凹凸量を測定する。そして、半導体ウェハ10として、裏面に傷が存在しないもの、もしくは存在していても凹凸量が50nm以下のものを半導体素子の形成に用いるようにしている。これにより、デフォーカスの発生を抑制してレジスト11の...

    ワイドバンドギャップ半導体装置の製造方法

  3. 【課題】基板上に複数の発光部を備える発光装置を低コストで製造する方法を実現する。【解決手段】発光装置の製造方法は、複数の発光部がその射出面をおもて面に向けて配置され、複数の発光部に接続される複数の電極が裏面から露出するように形成されている基板を用意すること、基板の裏面に、電極の少なくとも一部に接続される、導電性ペーストを用いた配線を形成すること、を備える。

    発光装置の製造方法、および発光装置

  4. 【課題】レーザ光による加工にも適用可能な高速剥離強度を有し、背面から高速で引き剥がす際の剥離音が抑制され、かつ金属板等に貼り付けた状態で重ね置きしても滑り過ぎない粘着シートを提供する。【解決手段】基材としての樹脂フィルム10と、該基材の第一面10Aに設けられた粘着剤層20とを備えた粘着シート1であって、前記基材の第二面10Bは剥離面であり、前記第二面の滑り抵抗値が3....

    粘着シート

  5. 【課題】はんだの空洞に樹脂が侵入するのを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体モジュールは、半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面上に設けられている一対の表面電極と、前記一対の表面電極の間に設けられており、前記一対の表面電極の間に配設されているゲートライナーを被覆する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上の一部に設けられているセンスダイオードと、前記一対の表面電極の各々...

    半導体モジュール

  6. 【課題】 従来のCD固着基材に比べてゴワツキが少なく、より広い用途で利用することのできるCD固着基材及びこれを材料として用いたCD固着製品を提供する。【解決手段】 本発明のCD固着基材は、基材1に設けられた柔軟剤膜2の上にCD膜3が設けられたものである。本発明のCD固着基材は、基材1に設けられたCD膜3の上に柔軟剤膜2が設けられたものや、基材1に柔軟剤入りCD膜9...

    CD固着基材及びCD固着製品

  7. 【課題】小型であっても精度よく安定した姿勢に保持(設置)することができる反射型光学素子、および当該反射型光学素子を効率よく高精度に作製する方法を提供せんとする。【解決手段】X線の反射面20が形成された反射部2と、反射部2の前記反射面20に沿った光軸方向である子午線方向に直交する方向の端部2aに連続して設けられ、前記子午線方向に延びる把持部3とよりなる反射型X線光学素子...

    反射型X線光学素子、該反射型X線光学素子を用いたX線集光システム、および該反射型X線光学素子の製造方法

  8. 【課題】 シャドーイング効果がより低減された反射型マスクを製造するための反射型マスクブランクであるだけでなく、耐薬性がより向上した吸収体膜を備える反射型マスクブランクを提供することを目的とする。【解決手段】 この反射型マスクブランクは、基板の主表面上に、多層反射膜およびパターン形成用の薄膜をこの順に備える反射型マスクブランクであって、薄膜は、スズ、タンタル、ニオブ...

    反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法

  9. 【課題】破断伸びが従来よりも大きく向上した架橋高分子組成物と、その原料として用いることができる高分子組成及びポリロタキサンを提供する。【解決手段】直鎖状分子と環状分子と封止基とを有するポリロタキサンにおいて、環状分子がヒドロシリル基を有している。高分子組成物は、該ポリロタキサンとポリマーとを含み、ポリマーは、主鎖又は側鎖の少なくとも一方に二重結合を有したものである。架...

    ポリロタキサン、高分子組成物、架橋高分子組成物及びその製造方法

  10. 【課題】ステージの下方に冷却部を有する構造でありながら静電チャックへの給電異常が生じ難く取り付けが容易な給電機構を有するステージ装置、給電機構、および処理装置を提供する。【解決手段】ステージ装置は、銅製の本体部と静電チャックとを有するステージと、ステージの下方に設けられた冷却部と、ステージの下方に設けられた直流電源から静電チャックの電極に給電する給電機構とを有し、給電...

    ステージ装置、給電機構、および処理装置

  11. 【課題】除去処理の終点を作業者の熟練度によらず正確に決定することが可能な終点判定用装置及び終点判定方法を提供する。【解決手段】除去処理の終点を判定するための終点判定用装置であって、前記除去処理は、基板処理装置での基板に対する基板処理後に前記基板処理装置の処理容器内に残った反応生成物を除去する処理であり、前記終点判定用装置は、前記処理容器内において前記除去処理時に前記基...

    終点判定用装置及び終点判定方法

  12. 【課題】ポリシリコンを用いた素子と酸化物半導体を用いた素子との両方を電子回路に含む半導体装置を好適に製造する。【解決手段】絶縁基板50上にポリシリコン膜54からなる第1の半導体領域を形成し、その上に絶縁膜55,58を積層する。絶縁膜55,58にコンタクトホール63を形成した後、絶縁膜58bの表面に酸化物半導体膜82を形成する。酸化物半導体膜82の表面にエッチングマスク...

    半導体装置及びその製造方法

  13. 【課題】基板の状態が変わる場合や、大型の基板に処理を実施する場合においても、露光開始時の光軸の高さ方向の調整時間を短縮できる露光装置を提供する。【解決手段】基板を露光することで、基板の複数のショット領域のそれぞれに原版M303のパターンを転写する露光装置M300であって、ショット領域の露光を開始する前の基板M306の待機位置から露光の開始位置までの基板ステージM307...

    露光装置、露光方法、露光システム、情報処理装置、および、物品の製造方法

  14. 【課題】調製が簡便であり、貯蔵安定性が高く保管後も安定した外観の塗膜を作製可能であり、加熱装置を汚染することが少なく、加工性が良好であり、さらに雨筋汚れが生じ難い塗装金属板を作製可能である金属板用塗料を提供する。【解決手段】金属板用塗料は、Si原子の総モル量に対して、5〜50モル%のシラノール基を含み、かつSi原子に直接結合する炭化水素基の総量に対する、アルキル基の割...

  15. 【課題】効率の変動を抑制することができる電気機械変換器を提供する。【解決手段】電気機械変換器30は、板状の回転子51と、回転子に係合された第一回転軸52と、を有する回転部材5と、回転子の第一面51aと対向する第一固定子11と、回転子の第二面51bと対向する第二固定子12と、第一面および第一固定子の一方に配置された第一帯電膜64と、第一面および第一固定子の他方に配置され...

    電気機械変換器

  16. 【課題】Ti合金、Ni合金等の高速切削で優れた耐溶着剥離性を示し、長期の切削性能を発揮する切削工具の提供。【解決手段】硬質被覆層は、平均厚0.5〜10.0μmの硬質皮膜と工具基体と硬質皮膜との界面領域の工具基体直上に平均厚10〜500nmのW膜とW膜の直上に硬質皮膜に接する組成傾斜膜とを有し、硬質皮膜の平均組成は、(Ti(1−x−y)AlxMy)N、0.40≦x≦0....

    表面被覆切削工具

  17. 【課題】炭素鋼、合金鋼、ステンレス鋼、鋳鉄等の高速切削加工に用いても、長期の使用にわたって優れた切削性能を発揮する切削工具を提供する。【解決手段】工具基体1の表面に、平均層厚が0.5〜10.0μmの(Me1−x—yAlxMy)Nz(0.35≦x≦0.80、0.00≦y≦0.20、0.20≦(1−x−y)≦0.65、0.90≦z≦1.10(但し、MeはTiまたはCr、x...

    硬質皮膜切削工具

  18. 【課題】ステンレス鋼の連続切削加工に供しても、優れた耐剥離性、耐チッピング性を示し、長期の使用にわたって優れた切削性能を発揮する切削工具を提供【解決手段】工具基体と該工具基体の表面に第1層とその上部の第2層を含む複数の層を有する表面被覆切削工具であって、前記第1層は、前記工具基体と接するTiN層であり、前記工具基体側にありTiN結晶粒子の平均粒径が30nm以下で、5....

    表面被覆切削工具

  19. 【課題】 スパッタレートが安定したイットリウム製スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 厚さ5mm以上のイットリウム製スパッタリングターゲットにおいて、スパッタ面のイットリウム結晶の平均粒径をA(μm)、ターゲットの厚み方向の中心面の平均粒径をB(μm)としたとき、|A−B|≦20μm、であることを特徴とする。また、平均粒径Aが30〜300μmの範囲内で...

    イットリウム製スパッタリングターゲットおよびそれを用いた成膜方法

  20. 【課題】簡易にプラズマパラメータを取得する技術を提供する。【解決手段】処理容器内に供給したガスからプラズマを生成するプラズマ生成部と制御部とを有するプラズマ処理装置と、撮像装置と、を備える測定システムであって、前記撮像装置は、前記処理容器に設けられたビューポートを介して撮影したプラズマの画像データから前記プラズマの光学的情報を生成し、前記制御部は、前記プラズマの光学的...

    測定システム及び測定方法

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