密着性 に関する公開一覧

密着性」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「密着性」の詳細情報や、「密着性」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「密着性」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】多くの太陽光が出射されるCSPミラー。【解決手段】CSPミラーであって、ガラス基板と、銀を含む反射層と、前記ガラス基板と前記反射層の間に設置されたコーティング層と、を有し、前記ガラス基板は、Fe2O3換算で、全Fe濃度が200ppm以下であり、前記コーティング層の前記反射層側の表面は、0.4nm以上の表面粗さ(算術平均粗さRa)を有し、当該CSPミラーは、前記...

    CSPミラー、およびCSPミラー用の膜付きガラス基板の製造方法

  2. 【課題】より簡便に細胞培養基材上で培養された細胞を回収し得る、細胞の製造方法を提供する。【解決手段】基材本体と基材本体上に配置された撥水層とを有する細胞培養基材の撥水層上で細胞の培養を行う工程1と、撥水層と、水以外の溶媒とを接触させて、撥水層上から細胞を剥離して回収する工程2とを有し、以下の溶解度測定方法によって算出される撥水層の溶解度が1mg/g以上である、細胞の製...

    細胞の製造方法、キット

  3. 【課題】より簡便に細胞培養基材上で培養された細胞を回収し得る、細胞の製造方法を提供する。【解決手段】基材本体と基材本体上に配置された撥水層とを有する細胞培養基材の撥水層上で細胞の培養を行う工程1と、撥水層と、水以外の溶媒とを接触させて、撥水層上から細胞を剥離して回収する工程2とを有し、撥水層とリン酸緩衝生理食塩水とを接触させて測定される撥水層とリン酸緩衝生理食塩水との...

    細胞の製造方法、キット

  4. 【課題】 本発明は、カールの発生を抑制し、ガラス基材の破損を抑制することができるガラス積層体を提供すること。【解決手段】ガラス積層体1は、キャリアフィルム2と、その上側に配置され、厚みが150μm以下であるガラス基材3とを備えるガラス積層体1であって、キャリアフィルム2は、厚みが100μm以下であるプラスチック基材4と、その上側に配置される粘着剤層5とを備え、ガラス...

    ガラス積層体

  5. 【課題】シール性を確保しつつ、分割軌道輪にシール部材を容易に設けることが可能な分割転がり軸受を提供する。【解決手段】周方向に分割された分割軌道輪11a、11bを周方向に連結することによって構成される軌道輪11と、軌道輪11の軸方向両端部の周方向全周に亘って形成されたシール溝11cに設けられ、軸受内部空間をシールする環状のシール部材13と、を備えた分割転がり軸受10にお...

    分割転がり軸受

  6. 【課題】優れた酸素バリア性を有するとともに、酸素インジケーターが配置されている層間における剥離を十分に抑制できる外装材を提供する。【解決手段】本発明に係る外装材は、外側層と、第1の接着層と、酸素バリア層と、第2の接着層と、内側層とが外側から内側に向けて、この順序で積層された構造を有し、酸素バリア層は、基材フィルムと、無機酸化物蒸着層と、保護層とが外側から内側に向けて、...

    外装材及びこれを用いた密封体

  7. 【課題】高温耐久性、加工性、及びガラスの反り抑制性に優れる粘着剤層を形成できる偏光板用粘着剤組成物並びに粘着剤層付偏光板の提供。【解決手段】ガラス転移温度が60℃以上である重合体(C)を含み、粘着剤層を形成した場合に、23℃における貯蔵弾性率が9.5×104Pa以上であり、85℃における貯蔵弾性率が5.0×104Pa以上1.0×105Pa以下の範囲であり、上記85℃に...

  8. 【課題】高温耐久性、加工性、及びガラスの反り抑制性に優れる粘着剤層を形成できる偏光板用粘着剤組成物並びに粘着剤層付偏光板の提供。【解決手段】水酸基含有単量体単位と50質量%以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステル単量体単位とを含み、Mwが80万以上140万未満の重合体Aと、水酸基含有単量体単位と50質量%以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステル単量体単位とを含み、Mw...

  9. 【課題】フレキシブルプリント配線基板の実装面積の拡大が可能及びフレキシブルプリント配線基板の熱応力による変形の抑制が可能なディスク装置用のアクチュエータアッセンブリ、およびこれを備えるディスク装置を提供する。【解決手段】アクチュエータアッセンブリ22は、設置面29aと、設置面と交差して延在する第1面291と、第1面に形成された第1溝60aとを有するアクチュエータブロッ...

    ディスク装置のアクチュエータアッセンブリおよびこれを備えるディスク装置

  10. 【課題】端子ピンと端子ピンを挿入する接続部材との密着性を確保すること。【解決手段】半導体装置(1)は、絶縁基板(20)の一方の面に金属層(21)が形成された絶縁回路基板(2)と、金属層に接合材(50)を介して接合された筒状の接続部材(5)と、接続部材に挿入された端子ピン(4)と、接続部材の外周に配置された筒状の補強部材(6)と、を備える。補強部材は、接続部材よりも硬い...

    半導体装置、半導体装置の製造方法

  11. 【課題】信頼性を保つことができ、特性変動を大幅に抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置30は、封止樹脂25からの応力により特性変動を起こす回路ブロックCの回路素子の表面に選択的に空隙部11を形成して樹脂封止する。一方この選択的に形成した空隙部以外の半導体チップ20表面は封止樹脂25と密着する。

    半導体装置およびその製造方法

  12. 【課題】 100℃以下の焼結温度条件で焼成された場合にも低抵抗値及び密着性を両立できる導電性微粒子分散体を提供する。【解決手段】 銀微粒子、含窒素ヘテロ環を有する化合物、及び、分散媒を含み、上記含窒素ヘテロ環を有する化合物は、少なくとも1つのヘテロ環内に2つ以上の窒素原子を有し、分子中にアルコキシ基及び/又はアルコキシシリル基を1つ以上有する。

  13. 【課題】本発明はトナーの帯電安定性に優れる2成分現像剤を提供する。【解決手段】本発明の2成分現像剤はキャリアとトナーとを含む。キャリアはキャリア粒子を含む。キャリア粒子はキャリアコアとキャリアコアの表面を被覆するコート層とを備える。コート層は熱硬化性樹脂及び第1シリカ粒子を含有し、かつ径方向内側の第1領域と径方向外側の第2領域とから構成される。第1シリカ粒子は99.9...

    2成分現像剤及びその製造方法

  14. 【課題】放射線硬化前は高い粘着力を有し、放射線硬化後は被着体から容易に剥離でき、粘着剤由来の転写汚染物や被着体表面のシミ汚れが少ない粘着テープの提供。【解決手段】基材フィルムと粘着剤層を有し、粘着剤層が、N,N−ジアルキル(メタ)アクリルアミド、N−(メタ)アクリロイルモルフォリン、N−アルコキシアルキルアクリルアミド等から選択される構造単位と架橋性官能基を有する構造...

  15. 【課題】防錆性を有するとともに、鉄系金属部材と他の部材との接合性が良好な建築材料を提供する。【解決手段】微細凹凸構造を有する窒化物層が表面の少なくとも一部に形成された鉄系金属部材(A)と、鉄系金属部材(A)に接合された部材(B)と、を備える建築材料。

  16. 【課題】要求される微細な位相シフト膜パターンをウェットエッチングにより形成する際に、120%以内の少ないオーバーエッチングタイムであっても、位相シフト効果が良好な断面形状を有する位相シフト膜パターンが形成できる位相シフトマスクブランクを提供する。【解決手段】透明基板上に位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜は、遷移金属と、ケイ素と、酸素...

    位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法

  17. 【課題】水性のインクジェット用インクで形成する被膜について、耐水性を更に向上させること。【解決手段】水性インクと反応液とを有するインクジェット用インクセットであって、前記水性インクは、水、顔料及び反応性二重結合を有する樹脂粒子を含み、前記反応液は、水及び求核反応を起こす基を有する化合物を含む、インクジェット用インクセット。

  18. 【課題】小型化または軽量化が困難であり、また製造コストが低減された蓄電池と光電池が一体化された蓄電型光電池とそれを利用した蓄電型光電池システムの提供。【解決手段】光透過性基板と、 複数の光電池セルが前記基板上に配置され、かつ電気的に接続された構造を有し、前記基板に略平行な方向に導出された外部接続端子を具備する光電池モジュールと、 複数の蓄電セルが電気的に接続された...

    蓄電型光電池およびそれを用いた蓄電型光電池システム

  19. 【課題】信頼性を向上させることが可能なヘッドチップおよびその製造方法、並びに、そのヘッドチップを備えた液体噴射ヘッドおよび液体噴射記録装置を提供する。【解決手段】ヘッドチップは、液体に圧力を印加するアクチュエータプレートを備え、前記液体を噴射するヘッドチップであって、前記アクチュエータプレートは、互いに側壁を介して配置された複数の溝と、前記側壁に設けられるとともに、蒸...

    ヘッドチップ、液体噴射ヘッド、液体噴射記録装置およびヘッドチップの製造方法

  20. 【課題】信頼性を向上する。【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、第1配線層44と、第1配線層44と隣り合って配置された第2配線層44と、第1配線層44と第2配線層44との間に設けられた半導体層34と、第1配線層44と半導体層34との間に設けられた第1電荷蓄積層32aと、第2配線層44と半導体層34との間に設けられた第2電荷蓄積層32bとを含む。第1配線層と第...

    半導体記憶装置

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