プラズマCVD装置 に関する公開一覧

プラズマCVD装置」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「プラズマCVD装置」の詳細情報や、「プラズマCVD装置」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「プラズマCVD装置」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】圧力を調整する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板を載置する載置台を有する処理容器と、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器から排気する排気部と、バラストガスを供給することにより、前記排気部の排気量を低下させ、前記処理容器内の圧力を上昇させるバラストガス供給部と、前記バラストガスの温度を制御する温度制御部と、を備える、基...

    基板処理装置及び基板処理方法

  2. 【課題】膜の均一性を図ることを提供する。【解決手段】ステージに対向してチャンバ内に配置される誘電体窓と、前記チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、前記マイクロ波導入部に接続される、前記チャンバ内の第1の室と前記誘電体窓と前記第1の室との間に配置され、マイクロ波が通過する開口部を有する導電性窓部材と、前記導電性窓部材を回転させる駆動機構と、を有する、プラズ...

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

  3. 【課題】基板とマスクの位置整列の精度をさらに改善させる。【解決手段】アライメントマーク位置検出装置は、アライメントマークが設けられた基板を支持する基板支持手段と、アライメントマークを撮影するカメラと、カメラでアライメントマークを撮影して得られるマーク撮影画像を、予めカメラでアライメントマークを撮影した実画像より作成された第1のモデル画像と比較することにより当該マーク撮...

    アライメントマーク位置検出装置、蒸着装置および電子デバイスの製造方法

  4. 【課題】欠陥準位密度の少ない酸化物半導体膜を成膜する。または、発明の一態様は、不純物の濃度の少ない酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体膜を用いた半導体装置などにおいて、電気特性を向上させる。【解決手段】透過電子回折測定装置を用いて、一次元的に300nmの範囲で観察箇所を変化させたとき、配向性を示す輝点を有する回折パターンが観察される割合が70%以上100%未満である...

    半導体装置

  5. 【課題】帯電寿命が長いエレクトレット膜の提供。【解決手段】赤外分光分析装置(FT−IR)におけるATR(Attenuated Total Reflection)法により、厚み方向に対向するエレクトレット膜の第一の面側および第二の面側から各々測定された赤外線吸収スペクトルにおける2800cm−1乃至3150cm−1の間の最大吸収ピーク強度比=I(第一の面)/I(第二の面...

    エレクトレット膜、エレクトレット部材、及びエレクトレット膜の製造方法

  6. 【課題】酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】駆動回路部に設けられた第1のトランジスタと、画素部に設けられた第2のトランジスタとを有する半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタは構造が異なる。また、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタであって、ゲート電極とソース...

    半導体装置

  7. 【課題】基板に形成される膜の応力を制御する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板の第2面に、第2の向きの応力を有するダミー膜を成膜する工程と、前記ダミー膜が成膜された後、前記第2面の反対面である前記基板の第1面に、前記第2の向きとは逆向きである第1の向きの応力を有する所望膜を成膜する工程と、前記ダミー膜を除去する工程と、を有する、基板処理方法。

    基板処理方法及び基板処理装置

  8. 【課題】基材上に形成され、少なくとも基材と接触していない側の面に珪素を含む非晶質炭素膜を備えた構造体、或いは非晶質炭素膜上にさらにシランカップリング剤からなる層を備えた構造体又はシランカップリング剤層の機能が劣化した構造体において、シランカップリング剤層による撥水・撥油性、或いは超親水性等の各種機能を再生及び/又は該機能を付与する方法を提供する。【解決手段】構造体の表...

    シランカップリング剤層による機能再生及び/又は機能付与方法

  9. 【課題】酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】、酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接する絶縁層と、酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層は、10nm以下のサイズの結晶を有する第1の領域と、第1の領域を挟んで絶縁層と重なり、c軸が酸化物半導体層の表面の法線...

    半導体装置

  10. 【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、1×1016atoms/cm3未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、H2Oに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する...

    半導体装置の作製方法

  11. 【課題】ノイズの影響を防ぎ、位置情報の取得を行うことができる液晶表示装置の提供。【解決手段】第1絶縁膜を間に挟んで部分的に重なる画素電極及び共通電極を有する第1基板と、第2絶縁膜を間に挟んで部分的に重なる一対の電極、一対の上記電極を覆う樹脂膜、及び、上記樹脂膜上の導電膜を有する第2基板と、上記第1基板と上記第2基板の間において、上記画素電極及び上記共通電極と、上記導電...

    液晶表示装置

  12. 【課題】CFRP材、スタック材等の難削材に対して、長期にわたって十分な耐摩耗性と耐チッピング性を有しているダイヤモンド被覆工具を提供する。【解決手段】工具基体表面に、1層または2層以上のダイヤモンド皮膜を有する3〜25μmの厚さのダイヤモンド被覆層が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、前記ダイヤモンド皮膜における少なくとも1層は、ラマン分光測定により求められた...

  13. 【課題】CFRP材スタック材等の難削材に対して、長期にわたって十分な耐摩耗性と耐チッピング性を有しているダイヤモンド被覆工具を提供する。【解決手段】工具基体表面に、1層または2層以上のダイヤモンド皮膜を有する3〜25μmの厚さのダイヤモンド被覆層が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、前記ダイヤモンド皮膜における少なくとも1層は、ラマン分光測定により求められるs...

  14. 【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、オフ電流がきわめて低減されている薄膜トランジスタを含んで構成される表示装置を提供することにより、開口率の向上を図る。【解決手段】酸化物半導体のエネルギーギャップは2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上として、ドナーを形成する水素等の不純物を極力低減し、キャリア濃度を1×1014/c...

    半導体装置

  15. 【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物を低減し、酸化物半導体膜の被形成面近傍の結晶性を向上し、該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、シリコンを含む下地絶縁膜104と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜108と、ゲート絶縁膜と接...

    半導体装置

  16. 【課題】回路の機能に合わせて、デバイス構造の異なる複数種類のトランジスタを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】同一基板上に、デバイス構造の異なる第1のトランジスタ乃至第3のトランジスタを有する。第1のトランジスタの半導体層は、積層構造の酸化物半導体膜でなり、第2および第3のトランジスタの半導体層は、単層構造の酸化物半導体膜でなる。また、第1および第2のトランジスタ...

    半導体装置、および表示装置

  17. 技術 シール材

    【課題】帯電防止性能が安定で且つ識別性も優れるシール材を得る。【解決手段】シール材は、未架橋の架橋性フッ素ゴムと、イオン液体と、架橋剤と、を含有するシール材用ゴム材料の前記架橋性フッ素ゴムが架橋したJIS L1094:2014に規定されるA法(半減期測定法)に準じて測定される半減期が2.0秒以下であるゴム組成物で形成されている。

  18. 【課題】優れたガスバリア性を有するガスバリアフィルム、および、このガスバリアフィルムの製造方法の提供を課題とする。【解決手段】支持体12と、ケイ素を含む無機層16および無機層16の下地層14の組み合わせの1組以上とを有し、下地層14はアルコキシシランの重合物を含み、下地層14と無機層16との間に、下地層14と無機層16との両方の成分を含む混合層18を有するガスバリアフ...

    ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法

  19. 【課題】処理室の外部にアンテナを配置するプラズマ処理装置において、アンテナから生じた高周波磁場を処理室に効率よく供給する。【解決手段】プラズマを用いて被処理物を処理するプラズマ処理装置であって、真空排気され且つガスが導入される処理室1を形成する真空容器2と、前記処理室1の外部に設けられ、高周波電源4に接続されて高周波磁場を生じさせるアンテナ3とを備え、前記真空容器2が...

    プラズマ処理装置

  20. 【課題】表面が酸化している表面層を有するa−Si感光体の表面状態が変質・変化した場合でも、画像品質の低下が抑えられる電子写真装置の制御方法を提供する。【解決手段】電子写真感光体の表面層204の表面が酸化されており、電子写真感光体の表面層204がa−C:Hまたはa−SiC:Hで形成されており、制御方法が電子写真装置の電源OFF時および電源ON時に電子写真感光体の回転トル...

    電子写真装置の制御方法

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