ブランカー に関する公開一覧

ブランカー」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「ブランカー」の詳細情報や、「ブランカー」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「ブランカー」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】不純物によって短期間で塞がってしまうことを防止することが可能なマルチビームの個別ビーム検出器を提供する。【解決手段】電子ビームにより構成されるマルチビームのビーム間ピッチよりも小さく、ビーム径より大きいサイズの通過孔が1つ形成された、マルチビームが透過可能な膜厚の基板12と、基板を支持すると共に、基板における通過孔を含む領域下に開口部が形成され、開口部の幅サイ...

    マルチビームの個別ビーム検出器、マルチビーム照射装置、及びマルチビームの個別ビーム検出方法

  2. 【課題】MBWの描画方法に適合するよう、パターンのパターン要素に関連する割当て線量の分布を改善するためにパターンを修正する。【解決手段】最初にそれぞれの割当て線量(D1〜D3)に関連付けられたパターンのパターン要素(t1〜t3)は、公称線量(D1)を割当て線量として有する再形成パターン要素(rt1〜rt3)を得る観点から再計算される。D1は、所定の標準値を表す。D1か...

    マルチビーム描画装置において露光される露光パターンにおける線量関連の特徴再形成

  3. 【課題】荷電粒子ビームを照射する装置本来の荷電粒子ビーム光学系を構成する電磁レンズが発生させる磁場に影響を与えることなく、帯電の低減若しくは/及び汚染物質の除去が可能な装置を提供する。【解決手段】照射装置100は、電子ビームを放出する電子銃201と、電子ビームを屈折させる対物レンズ207と、対物レンズ207の磁場空間に配置されると共に、電子ビームの通過領域の外側の空間...

    荷電粒子ビーム照射装置及び基板の帯電低減方法

  4. 【目的】マルチビーム描画において欠陥ビームが存在する場合でも最大照射時間の増大を抑制することが可能な装置を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、欠陥ビームが識別可能な欠陥ビーム情報を用いて、マルチ荷電粒子ビームの設計上の照射位置となる複数の設計グリッドの設計グリッド毎に、実際の照射位置が当該設計グリッドに近接または略一致する欠陥ビームを除く...

    マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

  5. 【課題】 変調装置およびそれを使用する荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムを提供することである。【解決手段】 本発明は荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムに関する。システムは、複数の小ビーム、複数の小ビームをパターン化するための小ビームブランカーアレイ、光ファイバ配置を生成するためのビーム発生装置を有し、プロジェクションシステムを備える。小ビームブラン...

    変調装置およびそれを使用する荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム

  6. 【課題】位置ずれが生じているビームを含むマルチビームが照射されることによって形成されるパターンの位置ずれを補正しながら、データ処理の高速化が可能なマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】画素領域毎に、算出された当該画素領域へのビームの第1のドーズ変調率を画素領域の位置に定義すると共に、画素領域の周囲の少なくとも1つの画素領域へとドーズ分配するための第2のド...

    マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

  7. 【目的】帯電効果補正が不十分となる一部の領域を含めて帯電現象に起因した位置ずれを補正する装置を提供する。【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム装置は、かぶり荷電粒子の設計上の分布中心をずらした分布関数と、荷電粒子ビームの設計上の照射中心をずらしていない照射量分布とを畳み込み積分することによって、かぶり荷電粒子量分布を演算するかぶり荷電粒子量分布演算部34と、かぶり荷電...

    荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの位置ずれ補正方法

  8. 【課題】帯電効果補正が不十分となる一部の領域を含めて帯電現象に起因した位置ずれを補正する装置を提供する。【解決手段】電子ビーム装置は、変曲点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数との組み合わせ関数を用いて、パターン密度に依存する、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する帯電量分布演算部...

    電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法

  9. 【課題】描画データを利用して、隙間を設けて図形パターンが配置される部分と図形パターンが配置されない部分とを描画可能な描画装置を提供する。【解決手段】本発明のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、描画データを記憶装置から読み出し、図形パターンの辺毎に、図形パターンの辺から所定の距離だけ外側に離れた辺と平行な直線を設定する直線方程式設定部と、複数の図形パターンと上述した直線とを...

    マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法

  10. 【課題】基板の表面にパターンを転写するためのマルチビームレット荷電粒子ビームレットリソグラフィシステムを提供する。【解決手段】システムは、前記基板の前記表面上に複数の荷電粒子ビームレットを投影するための投影系と、前記投影系に対して移動可能なチャックと、前記荷電粒子ビームレットの一つ以上の特性を測定するためのビームレット測定センサーを備えており、前記ビームレット測定セン...

    アライメントセンサーとビーム測定センサーを備えている荷電粒子リソグラフィシステム

  11. 【目的】マルチビームの収差を抑えながら、散乱電子等による不具合を抑制可能なマルチ荷電粒子ビーム露光装置を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム露光装置は、第1の領域にビームの照射を受けて複数の第1の開口部を通過する第1のマルチビームを形成する第1の成形アパーチャアレイ基板と、第1のマルチビームの各ビームの一部が複数の第2の開口部の対応する開口部をそれぞ...

    マルチ荷電粒子ビーム露光装置

  12. 【目的】マルチビームを成形したアパーチャ像の結像歪みを抑制しながらマルチビームの縮小倍率を大きくすることが可能な照射装置を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム照射装置は、マルチビームを形成すると共にマルチビームを成形する成形アパーチャアレイ基板203と、最終段のレンズによるマルチビームの縮小倍率よりも最終段の手前側の少なくとも1つのレンズによるマルチ...

    マルチ荷電粒子ビーム照射装置、マルチ荷電粒子ビームの照射方法及びマルチ荷電粒子ビームの調整方法

  13. 【課題】電子ビームを用いたパターン検査においてステップアンドリピート動作に起因する検査を行えない時間を短縮することが可能なパターン検査装置を提供する。【解決手段】パターン検査装置100は、複数の電子ビームにより構成されるマルチビームを用いて、パターンが形成された基板上を走査する電子ビームカラム102と、基板の検査領域全面にマルチビームを照射可能な第1のストロークを移動...

    パターン検査装置

  14. 【目的】電子ビームを用いたパターン検査においてステップアンドリピート動作に起因する検査を行えない時間を短縮することが可能なパターン検査装置を提供する。【構成】本発明の一態様のパターン検査装置100は、複数の電子ビームにより構成されるマルチビームを用いて、パターンが形成された基板上を走査する電子ビームカラム102と、基板を載置する、移動可能なXYステージ105と、基板に...

    パターン検査装置

  15. 【目的】真空中に配置される熱源を移動可能に載置すると共に、熱源で生じた熱を排熱することが可能な低い熱抵抗と可動性を兼ね備えたステージ機構を提供する。【構成】本発明の一態様のステージ機構は、真空雰囲気中で熱源を移動可能に配置するステージ60,62と、熱源に接続されたヒートパイプ50と、ヒートパイプ50の一部を用い、ステージの移動に伴うヒートパイプの移動に応じて可動する可...

    ステージ機構

  16. 【目的】マルチビーム描画のスループットの劣化を抑制しながら、クーロン効果を抑制可能な露光方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム露光方法は、荷電粒子線を用いたマルチビームのそれぞれ対応するビームが通過する複数の通過孔が形成された基板と、基板に配置され、マルチビームの各ビームを個別にブランキング偏向する複数の個別ブランキング機構とが搭載されたブランキ...

    マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置

  17. 【目的】マルチビームのうちブランキング制御不能なビームON固定の不良ビームを形成しないように制御可能なブランキング装置を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置は、荷電粒子線を用いたマルチビームが通過する、アレイ配置された複数の通過孔が形成された基板上であって、複数の通過孔のそれぞれ対応する通過孔の近傍に配置され、グランド電位ではない基...

    マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビームのブランキング方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

  18. 【課題】ビームの照射状態の検出を短時間で行う。【解決手段】ターゲットにビームを照射する複数の光学系カラム20を有する光学系を備えた露光装置で用いられるキャリブレーション方法は、ステージ85bから保持部材が取外された状態で、基準マークが形成された基準部材130を光学系に対向して位置づけることと、基準マークにビーム(例えば電子ビーム)を照射し、基準マークから発生する反射成...

    基準部材及びキャリブレーション方法

  19. 【目的】多重露光を行うマルチビーム露光において、データ転送量の増加を抑制しながら、必要な照射時間を制御可能なマルチビーム露光方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム露光方法は、マルチビームを用いてビーム毎に同じ照射位置に連続して複数回のビームのショットが行われる多重露光のうち、少なくとも1回の露光処理についてマルチビームの各ビームの照射時間を制御す...

    マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置

  20. 【目的】マルチビームに常時ONビーム(故障ビーム)が生じた場合でも高精度な照射時間制御が可能なマルチビーム描画方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、多重描画の1回のパスあたりのマルチビームの最大照射時間に相当する1つのビームのドーズ量に、1つの画素を露光する常時ONになる故障ビームの最大数を乗じた画素全てに照射されるオフセットドーズ量...

    マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

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