ドメインウォール に関する公開一覧

ドメインウォール」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「ドメインウォール」の詳細情報や、「ドメインウォール」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「ドメインウォール」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】半導体パッケージ装置内の不揮発性メモリへのデータ書き込みが、不成功に終わった場合のデータ回復方法を提供する。【解決手段】半導体パッケージ装置(電子処理システム)10は、プロセッサ11と不揮発性メモリ12とロジック13を含む。ロジックは不揮発性メモリの第1の部分においてデータのプログラミングを試行するとともに試行が成功したかどうかを判定し、試行が不成功に終わった...

    NANDプログラミングフェイルを処理するための内部コピー

  2. 【課題】環境に対する負荷が小さく、且つ大きい圧電定数と大きい機械的品質係数を両立する圧電材料を提供する。【解決手段】圧電材料は、Ba、Ca、Ti、Zr、Mn、Oを含有する複数の結晶粒を含み、複数の結晶粒の平均円相当径が1.0μm以上且つ10μm以下であり、複数の結晶粒は、幅が300nm以上且つ800nm以下の第1のドメインを有する結晶粒Aと、幅が20nm以上且つ50n...

    圧電材料、圧電素子、振動波モータ、光学機器及び電子機器

  3. 【課題】磁気メモリの面積抵抗(RA)生成物を減少する。【解決手段】磁化自由層425、磁化固定層および磁化自由層と固定層との間のトンネル障壁426を含む磁気トンネル接合(MTJ)と、磁化自由層の第2の面に直に接触する酸化物層420とを備える。トンネル障壁は、磁化自由層の第1の面に直に接触する。トンネル障壁は、酸化物を含み、第1面積抵抗(RA)生成物を有する。酸化物層は、...

    装置、方法およびメモリ

  4. 【課題・解決手段】複数の動作電圧の範囲を改善し、カンチレバーの寸法の制御を改善するための複数のナノ磁石を有するナノエレクトロメカニカル(NEMS)デバイスが記載されている。例えば、一実施形態において、ナノエレクトロメカニカル(NEMS)デバイスは、基板層、基板層の上に配置される第1磁性層、第1磁性層の上に配置される第1誘電体層、第1誘電体層の上に配置される第2誘電体層...

    スティクション補償のための磁気ナノメカニカルデバイス

  5. 【課題】 鉛とカリウムを使用しない、圧電定数が大きく、機械的品質係数が良好な圧電材料およびそれを用いた圧電素子を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物よりなる主成分と、Znと、Mgを含む圧電材料であって、前記Znの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1molに対して0.005mol以上0.050mol以下であり、前記Mgの...

    圧電材料、圧電素子および電子機器

  6. 【課題】 鉛とカリウムを使用しない、圧電定数が大きく、機械的品質係数が良好な圧電材料およびそれを用いた圧電素子を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物よりなる主成分と、MnおよびNiの少なくとも一方と、Mgとからなる圧電材料であって、前記Niの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1molに対して0mol以上0.05mol以...

    圧電材料、圧電材料の製造方法、圧電素子および電子機器

  7. 【課題・解決手段】一実施形態は、磁化自由層、磁化固定層、および自由層と固定層との間のトンネル障壁を含む磁気トンネル接合(MTJ)と、自由層の第2の面に直に接触する酸化物層とを備える。トンネル障壁は、自由層の第1の面に直に接触する。トンネル障壁は、酸化物を含み、第1面積抵抗(RA)生成物を有する。酸化物層は、第1RA生成物より低い第2RA生成物を有する。MTJは、垂直ス...

    高安定スピントロニクスメモリ

  8. 【課題・解決手段】一実施形態は、CMOSでない複数のデバイスとして同一のチップ上に集積された、分散されたコンデンサを用いた超低電圧の非CMOSベースの複数のデバイスに、(低電圧、高電流、および高電流密度を有する)パワーを提供する。例えば、一実施形態は、誘電体材料に隣接するスピンロジックゲート、ならびにコンデンサの第1のプレートおよび第2のプレートを提供する。コンデンサ...

    集積コンデンサベースの電力分散

  9. 【課題】本発明は、誘電体磁器組成物、それを含む積層セラミックキャパシター、及び積層セラミックキャパシターの製造方法に関する。【解決手段】本発明は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Naを含む第1副成分と、Baを含む第2副成分と、Siを含む第3副成分と、を含み、上記第1副成分の含量は、主成分100モル当たりNa元素のモル数を基準に0.3〜4.0モルの範囲であ...

    誘電体磁器組成物、それを含む積層セラミックキャパシター、及び積層セラミックキャパシターの製造方法

  10. 【課題】圧電特性に優れるとともに、リーク電流密度が低く、かつ絶縁破壊耐圧が高いPZT圧電体膜及びその形成方法並びにPZT圧電体膜形成用組成物の提供。【解決手段】圧電体膜21がNd、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy又はErの希土類元素Xを少なくとも1種含有し、粒径が1μm以上であって、かつ圧電体膜21の結晶配向性と異なる結晶粒22の数が膜表面672μm2当たり1個以下であり...

    PZT圧電体膜及びその形成方法並びにPZT圧電体膜形成用組成物

  11. 【課題】磁気トポロジカルソリトンを検出するための簡単で効果的な手段と方法を提供する。【解決手段】磁気トポロジカルソリトンの存在または不存在を表す電気信号を形成するための固体デバイス1は、磁気トポロジカルソリトン蓄積するための蓄積要素2を含む。蓄積要素2は、トポロジカル絶縁体3と、トポロジカル絶縁体の上に配置された磁気ストリップ4とを含む。デバイスは、更に、蓄積要素の検...

    磁気トポロジカルソリトン検出

  12. 【課題・解決手段】変換効率が高く、十分な音量で再生可能な電気音響変換フィルムおよびその製造方法、ならびに、電気音響変換器、フレキシブルディスプレイ、声帯マイクロフォンおよび楽器用センサーを提供する。常温で粘弾性を有する高分子材料からなる粘弾性マトリックス中に圧電体粒子を分散してなる高分子複合圧電体と、高分子複合圧電体の両面に積層された2つの薄膜電極と、2つの薄膜電極上...

    電気音響変換フィルムおよびその製造方法、ならびに、電気音響変換器、フレキシブルディスプレイ、声帯マイクロフォンおよび楽器用センサー

  13. 【課題】圧電定数とキュリー温度を両立した圧電セラミックスを提供する。【解決手段】単位格子の中心元素が非対称位置にある結晶構造を有するペロブスカイト型金属酸化物より構成される第一の領域と、単位格子の中心元素が対称位置にある結晶構造を有するペロブスカイト型金属酸化物より構成され、前記第一の領域の内部に存在する第二の領域と、を有する結晶粒を備えた圧電セラミックスであって、前...

    圧電セラミックス、圧電素子および電子機器

  14. 【課題】多値化を実現する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、半導体層と、第1の部分と、半導体層の表面に沿う方向において第1の部分と離間して設けられた第2の部分と、第1の部分と第2の部分との間に設けられたスペーサと、を有するゲート電極と、半導体層とゲート電極との間に設けられ、強誘電体、フェリ誘電体又は反強誘電体を含む第1の領域と、強誘電体、...

    半導体記憶装置

  15. 【課題】コンピューティングデバイスにおいて、ゼロ電力状態からの低レイテンシブートを提供する。【解決手段】半導体パッケージ装置は、ウェイクイベントがコンピュータオペレーティングシステムのゼロ電力状態に対応しているか否かを判断し、オペレーティングシステムをゼロ電力状態からウェイクさせるべくランタイム状態が有効か否かを判断し、ランタイム状態が有効と判断された場合にオペレーテ...

    ゼロ電力状態からの低レイテンシブート

  16. 【課題】ニューラルネットワークにおける積和演算にニューロモルフィック素子を使用する場合に、演算時間の増加を抑制する。【解決手段】入力信号の離散値を、予め定められた閾値に基づいて入力信号の量子化段階数よりも少ない段階数の離散値に変換することにより間引き信号を生成する間引き部と、間引き部が生成する間引き信号の離散値をパルス幅変調することにより、間引き信号の離散値をパルス幅...

    ニューラルネットワーク装置、信号生成方法およびプログラム

  17. 【課題】積和演算にニューロモルフィック素子を使用する場合に、結果の精度を向上させることができるニューロモルフィック素子を含むアレイの制御装置などを提供する。【解決手段】可変な特性の値に応じた重みを信号に乗算するニューロモルフィック素子を含むアレイの制御装置であって、前記ニューロモルフィック素子の前記特性の分解能よりも高い精度で求められた前記重みの真値を用いた場合と前記...

    ニューロモルフィック素子を含むアレイの制御装置、離散化ステップサイズの演算方法およびプログラム

  18. 【課題】誘電正接を抑制し、圧電定数と機械的品質係数を両立した、非鉛型の圧電材料を提供する。【解決手段】本発明の圧電材料は、一般式Nax+s(1−y)(BiwBa1−s−w)1−yNbyTi1−yO3(式中、0.84≦x≦0.92、0.84≦y≦0.92、0.002≦(w+s)(1−y)≦0.035、0.9≦w/s≦1.1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物よりなる...

    圧電材料、圧電素子、および電子機器

  19. 【課題・解決手段】本発明は、多数の磁区と磁区の間に介在された磁区壁を備える磁性構造体に、磁区壁の磁化方向に平行な第1方向に第1磁場及び磁区の磁化方向に平行な第2方向に第2磁場を印加する第1段階と、磁性構造体に第1方向の逆方向に第3磁場及び第2方向の逆方向に第4磁場を印加する第2段階とを含んで行うことによって、磁区壁を磁区壁の磁化方向又は磁区の磁化方向と平行な方向に均一...

    磁性構造体の磁区壁制御方法、及びそれを用いた磁気メモリ素子

  20. 【課題・解決手段】アレイ装置(1)は、可変な特性の値に応じた重みを信号に乗算するニューロモルフィック素子を含み、入力信号に対してニューロモルフィック素子に応じた処理を行った結果の第1の信号を出力する第1のアレイ領域と、第1のアレイ領域から出力された第1の信号または第1の信号が所定の演算部に入力された場合に出力される第2の信号を保持し、保持された第1の信号または第2の信...

    ニューロモルフィック素子を含むアレイ装置およびニューラルネットワークシステム

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