ビア に関する公開一覧

ビア」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「ビア」の詳細情報や、「ビア」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「ビア」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】有害節足動物に対する優れた防除効果を示す組成物を提供すること。【解決手段】式(1)で示される化合物は有害節足動物に対して優れた防除効果を有する。

  2. 【課題・解決手段】アレイ基板を開示する。ベース基板(7)と、前記ベース基板上に位置するゲート線(1)及び前記ゲート線と交差するデータ線(2)とを備え、前記ゲート線とデータ線により複数の画素領域が画定され、少なくとも一部の前記画素領域内に画像センサ(12)が設けられる。前記画像センサは、敏感素子(5)と、前記敏感素子の一端に位置する第1電極(11)と、前記敏感素子の他端...

    アレイ基板及びその製造方法、表示装置

  3. 技術 配線基板

    【課題】微細化及び優れた高周波伝送特性の要求が高い半導体装置を効率よく、低コストに製造するため、高周波絶縁材料との密着性を確保でき、高周波帯の伝送損失を低減できる配線基板を提供する。【解決手段】本発明の配線基板は、第1絶縁材料層と、第1絶縁材料層上に形成される配線部及び回路形成用の第2絶縁材料層とを備え、前記配線部は、表面処理後の導体表面の平均表面粗さRaが70nm以...

    配線基板

  4. 【課題】個体毎の感度や熱応答性のバラつきが少なく、かつ測定対象物への固定が容易な温度センサを提供する。【解決手段】本発明の一態様において、測定対象物50の温度を検知する感熱体10と、感熱体10が埋め込まれた、第1の凹部110を有する第1の固定部材11と、第2の凹部120を有する第2の固定部材12と、を備え、第1の凹部110と第2の凹部120により形成される貫通孔13に...

    温度センサ

  5. 【課題】Cu導電層のサイドエッチングを低減することができる半導体装置およびこれを備える半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されたパッシベーション膜と、パッシベーション膜上に形成され、Cuを主成分とする金属からなるCu電極層49と、Cu電極層49上に形成され、Pdを主成分とする金属からなるパラジウム層55とを含み、Cu電極層...

    半導体装置および半導体パッケージ

  6. 【課題】記憶領域ではない無効領域を削減することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体記憶装置は、第1方向に積層された複数の電極層と、複数の電極層内を第1方向に延びる半導体膜と、複数の電極層と半導体膜との間に配置されるメモリ膜と、を有する第1チップと、第1チップ上に半導体基板を上にして接合される第2チップであって、半導体基板の下面に設けられ...

    半導体記憶装置およびその製造方法

  7. 【課題】金属配線とビアメタルとの電気的なショート不良を低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた第1ビアと、第1ビア上に設けられた金属配線と、金属配線上に設けられた第2ビアと、を備える。金属配線の第1方向で互いに対向する側面の一方と、第2ビアの第1方向で互いに対向する側面の一方とは、第1方...

    半導体装置

  8. 【課題】接合前の基板の剥離を抑制すること。【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の基板の外周部を除く領域に第1の剥離層を形成し、第1の剥離層の上方に第1の半導体回路を形成し、第2の基板上に第2の半導体回路を形成し、第2の基板の外周部に所定の幅で第2の剥離層を形成し、第1の基板の第1の半導体回路が形成された側の面と、第2の基板の第2の半導体回路が形成された側...

    半導体装置の製造方法および半導体装置

  9. 【課題】無機フィラーの配合量が多いにもかかわらず、銅箔との密着性および解像性に優れる硬化性樹脂組成物等を提供する。【解決手段】(A)エチレン性不飽和基を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)光重合開始剤、(C)エポキシ樹脂、および、(D)無機フィラーを含み、前記(D)無機フィラーの配合量が、固形分換算で50質量%以上である硬化性樹脂組成物であって、実質的に前記(A)エチレン...

  10. 【課題】外部端子から電源スイッチに至る間の配線と接続孔での配線抵抗を抑え、仮想電源の配線での電圧降下を小さくすること。【解決手段】実装表面に金属ボールBPが格子状に配置され、内部に複数の配線層を積層した半導体集積回路10において、複数の配線層(M11〜M1)の最下層下で、金属ボールBP直下位置に配置された電源スイッチ群PSWと、金属ボールBP下の領域で、複数の信号配線...

    半導体装置

  11. 【課題】電子回路基板に放熱構造を設けなくても、ICが発する熱を充分に放熱することを可能にする光電気混載コネクタを実現する。【解決手段】光電気混載コネクタ1000は、平面部1111と延長部1112を有し、コア1113が内部に形成される光伝送部材と、平面部1111の第1の実装面1114に搭載されたコネクタ筐体1120と、光電気変換素子1131とIC1132とが搭載された、...

    光電気混載コネクタ、および光電気混載コネクタの製造方法

  12. 【課題】はんだの濡れ性が良好である硬化物を形成可能な導電性組成物を提供する。【解決手段】本発明の導電性組成物は、熱硬化性化合物を含むバインダー成分、金属粒子、及びフッ素系界面活性剤を含有し、前記金属粒子は、融点240℃以下の低融点金属粒子及び融点800℃以上の高融点金属粒子を含有し、前記バインダー成分100質量部に対し、前記金属粒子の含有量が1000〜2000質量部、...

    導電性組成物

  13. 技術 タイヤ

    【課題】低燃費性能、ライフ性能、ウェットグリップ性能、および操縦安定性能の総合性能が改善された、タイヤを提供することを目的とする。【解決手段】トレッドを有するタイヤであって、トレッドが、ゴム成分と、窒素吸着比表面積が200m2/g以上のシリカと、軟化剤とを含み、下記式(A)を満たすタイヤ。0.25≦シリカ総量(質量部)/(軟化剤総量(質量部)×主溝深さD(mm))≦0...

    タイヤ

  14. 【課題】乳タンパク質濃縮物(MPC)を含み、風味及び溶解性に優れた粉末組成物の製造方法の提供。【解決手段】乳タンパク質濃縮物と乳糖と乳清ミネラルと水とを混合して原料液を調製する工程、及び前記原料液を粉末化して粉末組成物を得る工程を含む、粉末組成物の製造方法。原料液を噴霧乾燥法により粉末化することが好ましい。又、原料液を60〜160℃にて加熱殺菌する工程を含んでよく、原...

  15. 【課題】優れた導電性を有するとともに、製造時において金型からの離型性が良好なシール部材を提供する。【解決手段】ゴム成形品と芯金とを備える軸受用シール部材であって;前記ゴム成形品が、アクリル酸エステルを主成分とするゴム(A)100質量部、炭素材料(B)1〜30質量部、及びDBP吸油量が20ml/100g以上150ml/100g未満のカーボンブラック(C)10〜100質量...

  16. 【課題】帯電維持性に優れ、異物の突き刺さりに起因するリーク電流の発生を抑制し、繰り返し画像を形成したときに生じる残留電位の増加を抑制する電子写真感光体を提供する。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された感光層と、を備え、前記下引層は、特定式(1)で表される化合物及び特定式(2)で表される化合物からなる群から選択される少な...

    電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置

  17. 【課題】光感度に優れ且つ残留電位を抑制する電子写真感光体を提供する。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された感光層と、を備える電子写真感光体であり、前記下引層がチタン酸金属化合物粒子と電子輸送性化合物と結着樹脂とを含有する。

    電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置

  18. 【課題】接木改善剤を提供すること。【解決手段】(A)セルラーゼ、(B)配列番号1若しくは2に示されるアミノ酸配列、又は配列番号1若しくは2に示されるアミノ酸配列に対して1又は数個のアミノ酸が置換、欠失、付加若しくは挿入されてなるアミノ酸配列を含み、且つ接木改善活性を有するペプチド、(C)フェノールアミド類又はポリアミン、及び(D)前記(A)〜(C)のいずれかの発現又は...

    接木改善剤

  19. 技術 タイヤ

    【課題】耐久性と、RFIDタグ等の電子部品の可読性とをバランスよく改善できるタイヤを提供する。【解決手段】電子部品、及び、該電子部品を被覆するゴム組成物を有する電子モジュールと、該電子モジュールに隣接する隣接ゴム部材とを備え、前記ゴム組成物と、前記隣接ゴム部材とは、60℃における複素弾性率E*の差が2.0MPa以下であり、前記ゴム組成物において、ゴム成分100質量部に...

  20. 【課題】配線層下に電源スイッチを設ける位置においても、中間配線層で信号配線が通過する配置を可能とすること。【解決手段】最下配線層下の、機能ブロック領域を電源遮断する電源スイッチPSと、電源スイッチPSとのアクセスポイントを有する電源配線1C1,1C2、グラウンド配線1S1,1S2、仮想電源配線1V1を形成した第1配線層(M1)と、中間配線層を構成する第2配線層(M2〜...

    半導体装置

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