コンタクト層 に関する公開一覧

コンタクト層」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「コンタクト層」の詳細情報や、「コンタクト層」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「コンタクト層」の意味・用法はこちら

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  1. 【課題】リーク電流を低減できる半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子10は、基準面RP1に沿ってアレイ状に配列された複数の第1領域22aと第1領域22aを囲む単一の第2領域22bとを含む第1n型半導体層22と、第1n型半導体層22に接触を成すバルク半導体受光層24と、第1n型半導体層22の第1領域22a上に設けられた複数の島状アノード半導体領域20と、n...

    半導体受光素子

  2. 【課題】歩留りや生産性を向上させることができる半導体発光デバイスの製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態の半導体発光デバイスの製造方法は、第1の光反射構造を形成する第1工程と、前記第1の光反射構造上に活性層を含む光半導体構造を接合する工程と、前記光半導体構造上に第2の光反射構造を形成する工程と、前記光半導体構造に通電するための一対の電極を形成する工程とを備...

    半導体発光デバイスの製造方法及び半導体発光デバイス

  3. 【課題】小型化が可能なガス検出装置を提供する。【解決手段】ガス検出装置100は、第1の層1と、所定の方向(z軸方向)において第1の層1と対向して配置される第2の層2と、を備え、第1の層1は、光を出射する発光部と、導波路を通った光を受光する受光部と、を有し、第2の層2は、所定の方向(z軸方向)において発光部と対向する導波路の光入力部と、所定の方向(z軸方向)において受光...

    ガス検出装置

  4. 【課題】オン抵抗の小さい半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板と、第1導電形の第1半導体層を含む半導体部と、前記基板と前記半導体部との間に設けられ、前記半導体部の裏面に接した金属層と、を備える。前記半導体装置は、前記半導体部の表面上に設けられた第1電極、第2電極、前記半導体部と前記第1電極との間に設けられた第1制御電極、および、前記半導体部と前記第2電極...

    半導体装置

  5. 【課題】チャネル層のチャネル抵抗が低く、ゲートしきい値電圧の高い炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素半導体の第1層21と、第1層21の上の第2導電型の炭化珪素半導体の第2層22と、第2層22の上の第1導電型の炭化珪素半導体の第3層23と、溝30と、溝30の内部に設けられた絶縁膜40と、絶縁膜40の上に設けられたゲート電極...

    炭化珪素半導体装置

  6. 【課題】耐圧が高く、オン電流の高い炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素半導体の第1層121aと、第1導電型の炭化珪素半導体の第2層122と、第2導電型の炭化珪素半導体の第3層123と、第1導電型の炭化珪素半導体の第4層124と、第4層124、第3層123、第2層122の一部に側面130aを有する溝130と、溝130の内部...

    炭化珪素半導体装置

  7. 【課題】垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について、温度上昇の抑制を図る。【解決手段】本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている。

    光源装置、センシングモジュール

  8. 【課題】垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備えた光源装置について、発光素子ごとに電圧を検出し分けることを可能としながら装置サイズの小型化を図る。【解決手段】本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、発光部における複数の発光素子のアノード又はカソードにおける電圧を時分割により個別検出する検出部とを備え...

    光源装置、検出方法、センシングモジュール

  9. 【課題】垂直共振器面発光レーザによる複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成において、それら発光素子の全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図る。【解決手段】本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、発光部における複数の発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整...

    光源装置、調整方法、センシングモジュール

  10. 【課題】フォトニック結晶層を伝搬する光波に対する結合係数が大きく、低閾値電流密度で発振動作が可能な、フォトニック結晶を備えた面発光レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体からなる面発光レーザ素子であって、第1導電型の第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を有するフォトニ...

    面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法

  11. 【課題】好適に動作する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板と、この基板の表面と交差する第1方向において基板の表面から離れて設けられた第1電極と、基板を貫通して第1方向に延伸し、第1方向の一端において第1電極に接続された第2電極と、第2電極の側面を覆う第1構造と、第2電極及び第1構造の間に設けられた絶縁膜と、を備える。また、上記第2電極は第1の原子を含み...

    半導体装置

  12. 【課題】特性の劣化を抑制して高い変調帯域のレーザ発振を実現する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ11は、第1電極300の主面上に設けられた第1導電型の半導体積層構造体である第1積層構造体と、第2電極301の主面に接して設けられ、第2導電型の半導体積層構造体である第2積層構造体とを有する。また、半導体レーザ11は、第1積層構造体と第2積層構造体とに挟まれた...

    半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法

  13. 【課題】リーク電流を低減できる半導体受光デバイスを提供する。【解決手段】半導体受光デバイスは、第1軸の方向及び第2軸の方向に配列された半導体メサの配列、及びこの配列を囲む閉じた半導体壁を含む半導体構造物を備え、半導体構造物は、第1軸及び第2軸に交差する第3軸の方向に配列された第1超格子領域及び第2超格子領域を含み、半導体構造物は、半導体メサ及び半導体壁によって規定され...

    半導体受光デバイス

  14. 【課題】簡単な構成で高い発光効率及び高出力が得られる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】n型半導体基板と、駆動電流の注入により光を発生させる活性層と、活性層を層厚方向に挟むn型クラッド層及びp型クラッド層とが、活性層に駆動電流を注入するためのp電極及びn電極の間に積層形成された半導体レーザ10と、半導体レーザ10を格納するパッケージ17と、パッケージ17に接...

    半導体レーザモジュール

  15. 技術 光学装置

    【課題】高出力、かつ、コンパクトな光学装置を提供する。【解決手段】光学装置300は、光波を導波することが可能であり、導波される光波と結合して複数の放射モード光を発生する回折格子12Lを有する導波路11と、複数の放射モード光のうちの一つが入射され、当該放射モード光を増幅する第1増幅器1A及び第2増幅器1Bとを備え、複数の放射モード光のうち、第2増幅器1Bに入射される放射...

    光学装置

  16. 【課題】プロセス数の増大を抑制し、動作帯域の低減を抑制する。【解決手段】クラッド層102の上に形成された半導体層103と、半導体層103の上に形成された光吸収層104とを備える。半導体層103は、光が導波する方向に垂直な方向の光吸収層104の一方の側部の側に、p型とされたp型領域103aを備え、光が導波する方向に垂直な方向の光吸収層104の他方の側部の側に、n型とされ...

    半導体受光器

  17. 【課題】パワー半導体素子の出力を抑制することなく、当該半導体素子からの発熱を吸熱し且つ放熱できるようにする。【解決手段】パワー半導体装置1は、パワー半導体素子10と、パワー半導体素子10の上面に接合されたペルチェ素子20とを備えている。ペルチェ素子20は、複数のp型半導体ブロック20pと複数のn型半導体ブロック20nとから構成される。各半導体ブロック20p、20nは、...

    パワー半導体装置及びその製造方法

  18. 【課題】閾値電流が低い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】第1導電型の第1窒化物半導体層と、第2導電型の第2窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層と第2窒化物半導体層との間に配置された、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造の活性領域と、を備える半導体レーザ素子である。活性領域は、第1窒化物半導体層の側から順に、第1障壁層と、中間層と、井戸層と、第2障壁層と、を有する...

    半導体レーザ素子

  19. 【課題】順方向電圧Vfが低くかつ発光効率の高い窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】n側半導体層成長工程と活性層成長工程とp側半導体層成長工程とを含み、活性層成長工程は、井戸層5wを成長させる前に第1障壁層5b1を成長させる第1障壁層成長工程を含み、第1障壁層成長工程は、Inを含む第1の窒化物半導体層をn型不純物濃度が第1の濃度になるように第1の厚...

    窒化物半導体発光素子とその製造方法

  20. 【課題】積層欠陥を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、積層欠陥24の進展方向に対する半導体装置10のケミカルポテンシャルの変化量と、積層欠陥24の積層欠陥エネルギーと、の合計値がゼロ以上である。

    半導体装置、および半導体装置の製造方法

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