プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速 に関する技術一覧

「プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速」に関する技術の関連情報です。 「プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速」 の関連技術、「プラズマの生成,プラズマの取扱い」「磁気誘導型加速器,例.ベータトロン」 など、その他「プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速」の分野ページはこちら

プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速に所属する技術動向

プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速の分野に属する技術の状況としては、2016年に606件、2017年に796件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速の分野においては特に近年磁気誘導型加速器,例.ベータトロンの分野における動向が活発であり、他にも荷電粒子の他に分類されない加速方法または装置や 核反応を起こすためのターゲットといった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては東京エレクトロン株式会社やラムリサーチコーポレイション、パナソニック株式会社が豊富な実績を残しており、 東京エレクトロン株式会社などは、 半導体装置,他に属さない電気的固体装置や金属質への被覆,金属材料による材料への被覆,表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般といった分野も含め、 国立大学法人東北大学や株式会社東芝といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】プラズマを用いた表面処理を行なった後の表面処理の効果の低減を少なくする絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置を提供する【解決手段】 絶縁材料により形成される被処理物Pを移動させる搬送手段1と、プラズマ生成用ガスGが流入する流入口2aaと生成されたプラズマPLを被処理物Pに向けて吹き出す吹出口2abとを備える反応容器2aと、反応容器2a内に流入したプ...

    絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置

  2. 【課題】大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。【解決手段】3枚以上の電極によって2つ以上の放電空間を形成してなり、前記放電空間を形成する電極対向面の少なくと...

    放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法

  3. 【課題】ストリーマー放電の発生を防ぐとともに、被処理物の大面積を効率良くプラズマ処理できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】このプラズマ処理装置は、少なくとも一対の電極と、電極間に定義される放電空間にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、電極間に交流電圧を印加して、放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含むものであり、一対の...

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

  4. 【課題】 プラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、互いに異なる複数のプロセスを行うにあたり装置の共用化を図ること、また複数の装置で同じプロセスを行うにあたり装置間のプラズマの状態を容易に揃えること【解決手段】 処理容器内の被処理基板を絶縁材からなるリング部材で囲み、このリング部材内にプラズマのシース領域を調整するための電極を設け、例えば被処理基板に対して...

    プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法

  5. 【課題】 プラズマ処理装置においてプラズマ密度の均一化を効率的に達成すること。【解決手段】 サセプタ12の主面上で凸部70は、上部電極側つまりプラズマ側に向って突出しているので、主面の底面部12aよりも低いインピーダンスでプラズマと電気的に結合する。このため、サセプタ12の主面の表面層を流れる高周波電流によって運ばれる高周波電力は主として凸部70の頂面からプラズマ...

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板及び電極板製造方法

新着の技術

プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】本明細書に開示された実施形態は、半導体プロセスで生成される化合物を軽減するためのプラズマ源、軽減システム、および真空処理システムを含む。一実施形態において、プラズマ源は、誘電体管と、この管を取り囲むコイルアンテナと、を含む。コイルアンテナは、複数の巻線を含み、少なくとも1つの巻線が短絡されている。コイルアンテナの1つまたは複数の巻線を選択的に短絡させ...

    ガス軽減のための方法および装置

  2. 【課題】プラズマおよびエッチングの均一性をウエハに提供するウエハ処理装置を提供する。【解決手段】ウエハ処理装置は、処理チャンバ内の上側電極104および下側電極108と、第1、第2、第3の高周波電源118および第4の高周波電源120と、1または複数の共振回路202、204、206とを備える。第1、第2および第3の高周波電源118は、下側電極108に接続されている。上側電...

    プラズマ均一性調整のためのマルチ高周波インピーダンス制御

  3. 【課題】フォーカスリングと静電チャックとで挟まれる空間に供給される熱媒体のリーク量の増大を抑えること。【解決手段】静電吸着方法は、基板を載置するための静電チャックと、基板が載置される領域を囲むように静電チャック上に設けられたフォーカスリングと、静電チャックとフォーカスリングとで挟まれる空間に熱媒体を供給する供給部と、静電チャック内部の、フォーカスリングに対応する領域に...

    静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

  4. 【課題】堆積条件の安定性の改善、より良い層品質、ターゲット損傷の減少又は無いこと、及び/又はアーク発生の減少又は無いことが提供され得る真空チャンバ内のスパッタ堆積用のスパッタ堆積源の提供。【解決手段】源は、真空チャンバの壁部102、スパッタ堆積中に堆積されるべき材料を供給するターゲット20、ターゲットにRF電力を供給するためのRF電源、ターゲットをRF電源に接続するた...

    高周波(RF)スパッタ堆積源、堆積装置及びその組立て方法

  5. 【課題】プラズマ・ノズルにおいて、ノズル・ライニング又はノズル孔で亀裂の起こる可能性を減らすこと。【解決手段】ノズル本体と、ノズル本体内に配置されたライナー材料とを備えるプラズマ・ノズル。ライナー材料が、ノズル本体よりも高い溶融温度を有し、ライナー材料が、0.25mmよりも大きい、及び0.5mmよりも大きいのうちのどちらかの断面厚さ(C)を有するタングステン合金;モリ...

    ライニングされた長寿命プラズマ・ノズル

プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速の詳細カテゴリ一覧

プラズマ技術,加速された荷電粒子のまたは中性子の発生,中性分子または原子ビームの発生または加速の分類に属する、詳細カテゴリの一覧です。

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その他の分野

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