誘導放出を用いた装置 に関する技術一覧

「誘導放出を用いた装置」に関する技術の関連情報です。 「誘導放出を用いた装置」 の関連技術、「メーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置」「レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置」 など、その他「誘導放出を用いた装置」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「誘導放出を用いた装置」の分野ページはこちら

誘導放出を用いた装置に所属する技術動向

誘導放出を用いた装置の分野に属する技術の状況としては、2017年に1,152件、2018年に941件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、誘導放出を用いた装置の分野においては特に近年グループ1/00,3/00,または5/00に包含されるものとは異なった波動エネルギの誘導放出を用いる装置,例.フォノンメーザ,ガンマメーザの分野における動向が活発であり、他にもメーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置や レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては日亜化学工業株式会社やシャープ株式会社、三菱電機株式会社が豊富な実績を残しており、 東日本電信電話株式会社などは、 光学要素,光学系,または光学装置やデジタル情報の伝送,例.電信通信といった分野も含め、 NTTエレクトロニクス株式会社や住友電気工業株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

誘導放出を用いた装置』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置すること...

    半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

  2. 【課題】必要な利得を得ることができ、利得平坦化フィルタを使用する必要がない程度に利得の波長依存性を小さくすることができ、EDFAの帯域でも使用することができるラマン増幅器を提供する。【解決手段】半導体レーザ3はファブリペロー型のものでファイバグレーティング等の発振波長安定化用の外部共振器が接続されたものを使用する。又レーザの中心波長の間隔が6nm 以上35nm以下、中...

    ラマン増幅器とそれを用いた光中継器

  3. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  4. 【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体からなる積層体の一方の主面にp電極を形成する一方、他方の主面にn電極を形成し、両電極を対向配置してなる窒化物半導体素子である。他方の主面がn型窒化物半導体層の(000−1)面であり、n電極が、その(000−1)面に接しn型不純物を含む合金層を有している。

    窒化物半導体素子及びその製造方法

  5. 【課題】スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。【解決手段】サファイア基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層として、AlGaNまたはAlN層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする。第1のIII族窒化物系化合物半導体層の上に、第2のIII族窒化物系化合物半導体層を...

    III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

新着の技術

誘導放出を用いた装置』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】レーザダイオード駆動用電源装置(100)は、LD(20)に電流を供給する定電流源(10)と、LD(20)に並列に接続されるスイッチング素子(12)と、定電流源(10)を制御すると共にスイッチング素子(12)のオンオフを制御する制御部(13)とを備え、制御部(13)は、定電流源(10)から出力される電流を制御するための第1の電流指令値及び第2の電流指令...

    レーザダイオード駆動用電源装置及びレーザ加工装置

  2. 【課題・解決手段】ウエハに、活性領域を有する半導体素子を複数形成する工程と、該ウエハの上面側に劈開溝を複数形成する工程と、該ウエハを該ウエハの上面側から劈開し、断面に複数の該劈開溝によって形成された段差と、複数の該活性領域とを露出させる工程と、を備え、該活性領域は、該劈開溝の底から該ウエハの下面までの距離を半径とし、該劈開溝の劈開進行方向側の端部直下における該ウエハの...

    半導体素子の製造方法

  3. 【課題・解決手段】この発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成され、同一組成の活性層と第1リッジ構造を有する半導体レーザ部と、該基板の上に形成され、同一組成のコア層と第2リッジ構造を有し、該半導体レーザ部に接する光変調器又は光導波路である隣接部と、を備える。そして、該第1リッジ構造は該第2リッジ構造に接する第1接触部で幅が最大になり、該第2リッジ構造は該第1リ...

    半導体装置、半導体装置の製造方法

  4. 【課題】発光素子上に発光素子の駆動に用いるサイリスタが設けられた構成において、サイリスタが開口部を有さない構成に比べ、光出力の低下を抑制した発光部品などを提供する。【解決手段】発光チップCは、基板80と、基板80上に設けられ、基板80の表面と交差する方向に光を出射する複数の発光ダイオードLEDと、複数の発光ダイオードLED上にそれぞれが積層され、オン状態になることで、...

    発光部品、プリントヘッド及び画像形成装置

  5. 【課題・解決手段】熱的調整を用いる波長可変レーザー(400)が開示される。このレーザーは、加熱層(410)と、誘電層と、リフレクタ(430)と、輸送層(420)と、支持層(440)と、基板層(450)とを含む。加熱層は輸送層の上に位置し;輸送層は支持層の上に位置し、輸送層は、上から下に上部クラッド層(421)、導波層(422)、及び下部クラッド層(423)を含み;リフ...

    可変レーザー及び可変レーザーの製造方法

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