誘導放出を用いた装置 に関する技術一覧

「誘導放出を用いた装置」に関する技術の関連情報です。 「誘導放出を用いた装置」 の関連技術、「メーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置」「レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置」 など、その他「誘導放出を用いた装置」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「誘導放出を用いた装置」の分野ページはこちら

誘導放出を用いた装置に所属する技術動向

誘導放出を用いた装置の分野に属する技術の状況としては、2016年に959件、2017年に1,149件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、誘導放出を用いた装置の分野においては特に近年グループ1/00,3/00,または5/00に包含されるものとは異なった波動エネルギの誘導放出を用いる装置,例.フォノンメーザ,ガンマメーザの分野における動向が活発であり、他にもメーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置や レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては日亜化学工業株式会社やシャープ株式会社、三菱電機株式会社が豊富な実績を残しており、 株式会社東芝などは、 電気的デジタルデータ処理や画像通信,例.テレビジョンといった分野も含め、 東芝電子エンジニアリング株式会社やレーザー濃縮技術研究組合といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

誘導放出を用いた装置』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置すること...

    半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

  2. 【課題】必要な利得を得ることができ、利得平坦化フィルタを使用する必要がない程度に利得の波長依存性を小さくすることができ、EDFAの帯域でも使用することができるラマン増幅器を提供する。【解決手段】半導体レーザ3はファブリペロー型のものでファイバグレーティング等の発振波長安定化用の外部共振器が接続されたものを使用する。又レーザの中心波長の間隔が6nm 以上35nm以下、中...

    ラマン増幅器とそれを用いた光中継器

  3. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  4. 【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体からなる積層体の一方の主面にp電極を形成する一方、他方の主面にn電極を形成し、両電極を対向配置してなる窒化物半導体素子である。他方の主面がn型窒化物半導体層の(000−1)面であり、n電極が、その(000−1)面に接しn型不純物を含む合金層を有している。

    窒化物半導体素子及びその製造方法

  5. 【課題】スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。【解決手段】サファイア基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層として、AlGaNまたはAlN層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする。第1のIII族窒化物系化合物半導体層の上に、第2のIII族窒化物系化合物半導体層を...

    III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

新着の技術

誘導放出を用いた装置』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】本発明の蛍光体素子は、支持基板、励起光を伝搬し、蛍光を発振する蛍光体からなる光導波路であって、光導波路が、励起光および前記蛍光を出射する出射側端面、出射側端面と反対側の対向端面、前記光導波路の長手方向に向かって伸びる底面、この底面に対向する上面、および一対の側面を有している光導波路、光導波路の底面を被覆する底面側クラッド層、光導波路の前記上面を被覆す...

    蛍光体素子および照明装置

  2. 【課題・解決手段】半導体基板(1)の上に、リッジ下部(6)と、リッジ下部(6)の上に配置されリッジ下部(6)よりも広い幅を持つリッジ上部(8)とを有するリッジ構造(9)を形成する。リッジ下部(6)とリッジ上部(8)の幅の差によりリッジ下部(6)がリッジ上部(8)に対して横方向に奥まったことによって生じるリッジ構造(9)の窪み箇所(11)を原子層堆積法により絶縁膜(10...

    光半導体装置の製造方法

  3. 【課題・解決手段】半導体レーザ(1)がレーザ光を出射し、そのレーザ光を電界吸収型光変調器(2)が変調する。電界吸収型光変調器(2)は消光特性の異なる複数の電界吸収領域(2a,2b,2c)を有するため、光デバイスの消光比曲線を駆動条件に適した複数の段差を有する形状に制御することができる。

    光デバイス

  4. 【課題・解決手段】本発明は、源信号(100)を生成する光源(10)、および光増幅器システム(30、31、32、33)を含むレーザーシステムに関する。本発明によれば、レーザーシステムは、1個以上の光パルスを含む主信号(120)を形成すべく源信号(100)を選択または変更すべく構成されたパルス選択または変更装置(20)を含んでいる。主信号(120)はリズムおよび/または振...

    リズムおよび/または振幅が時間的に可変なパルスレーザーシステム

  5. 技術 発光装置

    【課題】高温条件下においても優れた特性を発揮する単結晶蛍光体が用いられた発光装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様において、青色系のレーザー光を出射する発光素子10と、発光素子10と離間して配置されて前記青色系のレーザー光を吸収して黄色系の波長変換光を放射する平板状の単結晶の蛍光体22とを含み、蛍光体22は、組成式(Y1−x−y−zLuxGdyCez)3+aAl5...

    発光装置

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