誘導放出を用いた装置 に関する技術一覧

「誘導放出を用いた装置」に関する技術の関連情報です。 「誘導放出を用いた装置」 の関連技術、「メーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置」「レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置」 など、その他「誘導放出を用いた装置」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「誘導放出を用いた装置」の分野ページはこちら

誘導放出を用いた装置に所属する技術動向

誘導放出を用いた装置の分野に属する技術の状況としては、2015年に1,147件、2016年に952件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、誘導放出を用いた装置の分野においては特に近年グループ1/00,3/00,または5/00に包含されるものとは異なった波動エネルギの誘導放出を用いる装置,例.フォノンメーザ,ガンマメーザの分野における動向が活発であり、他にもメーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置や レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては日亜化学工業株式会社やシャープ株式会社、住友電気工業株式会社が豊富な実績を残しており、 東日本電信電話株式会社などは、 光学要素,光学系,または光学装置やデジタル情報の伝送,例.電信通信といった分野も含め、 NTTエレクトロニクス株式会社や住友電気工業株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

誘導放出を用いた装置』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置すること...

    半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

  2. 【課題】必要な利得を得ることができ、利得平坦化フィルタを使用する必要がない程度に利得の波長依存性を小さくすることができ、EDFAの帯域でも使用することができるラマン増幅器を提供する。【解決手段】半導体レーザ3はファブリペロー型のものでファイバグレーティング等の発振波長安定化用の外部共振器が接続されたものを使用する。又レーザの中心波長の間隔が6nm 以上35nm以下、中...

    ラマン増幅器とそれを用いた光中継器

  3. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  4. 【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体からなる積層体の一方の主面にp電極を形成する一方、他方の主面にn電極を形成し、両電極を対向配置してなる窒化物半導体素子である。他方の主面がn型窒化物半導体層の(000−1)面であり、n電極が、その(000−1)面に接しn型不純物を含む合金層を有している。

    窒化物半導体素子及びその製造方法

  5. 【課題】スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。【解決手段】サファイア基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層として、AlGaNまたはAlN層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする。第1のIII族窒化物系化合物半導体層の上に、第2のIII族窒化物系化合物半導体層を...

    III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

新着の技術

誘導放出を用いた装置』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】半導体量子カスケードレーザ(QCL)、特に約3〜50μmの波長で発光する中赤外線レーザは、しばしば、深くエッチングされた埋め込み型ヘテロ構造QCLとして設計される。埋め込み型ヘテロ構造の構成は、通常はInPより成る埋め込み層の熱伝導率が高く、低損失がデバイスの高出力および高性能を保証するので有利である。しかし、そのようなQCLが短波長用に設計され、短...

    電流ブロック層を有する量子カスケードレーザ

  2. 【課題・解決手段】本発明は、電磁放射を生成する活性ゾーン(1)を有する層構造(2)を備えたオプトエレクトロニクス部品に関する。活性ゾーンが第1の平面内に配置されており、層構造の表面に凹部(6,25)が導入されており、凹部が本部品の端面(13)に隣接しており、端面が第2の平面内に配置されており、第2の平面が第1の平面に実質的に垂直に配置されており、凹部が底面(9)および...

    オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法

  3. 【課題・解決手段】800nmより下のレーザー波長を使用するレーザー利用製造システム及び装置。青色波長範囲に入るレーザーポンプ源を有しているラマンレーザーモジュール。機能的レーザービーム波長と出発材料の最大吸収率波長との整合化。他にもあるが中でも特に300nm−800nm波長にあるレーザービームを提供するレーザーの必要性、具体的には、他にもあるが中でも特に改善されたレー...

    可視ラマンレーザーを用いた材料加工のための用途、方法、及びシステム

  4. 【課題】約250mWを超えるパワーレベルを有し、低ノイズで、良好な長期安定性を有するDUV CWレーザーを提供する。【解決手段】深紫外線(DUV)連続波(CW)レーザーは、約1μm〜1.1μmの対応する波長の基本波周波数を発生させるように構成された基本波CWレーザー201と、3次高調波及び任意に2次高調波を発生させる1つ以上の周期分極反転非線形光学(NLO)結晶を含...

    安定性が向上されたCW  DUVレーザー

  5. 【課題】原子セルの内壁面にコーティングを容易に施すことができる原子セルの製造方法、原子セル、量子干渉装置および原子発振器を提供すること、また、かかる量子干渉装置を備える信頼性に優れた電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の原子セルの製造方法は、内部空間、前記内部空間と外部とを連通する孔を有する構造体を準備する準備工程と、前記孔を通じて前記内部空間に金属...

    原子セルの製造方法、原子セル、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体

おすすめの成長市場

関連メディア astavision

  • 画像診断・生体イメージング

    医療の診断において、非侵襲的あるいは低侵襲的な検査方法として、生体組織を可視化するin vivoイメ…

  • 機械学習・深層学習(Deep Learning)

    2012年6月26日、Google Official Blog は、ネコと思しき1枚の画像とともにあ…

  • 人工知能

    米国Google社が2015年6月23日に発表した“A Neural Conversational …

ページトップへ

誘導放出を用いた装置 ページ上部に戻る