溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長 に関する技術一覧

「溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長」 の関連技術、「溶融溶媒の蒸発によるもの」「溶液の冷却によるもの」 など、その他「溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長」の分野ページはこちら

溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長に所属する技術動向

溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2015年に1件、2018年に1件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長の分野においては特に近年電解によるものの分野における動向が活発であり、他にも溶融溶媒の蒸発によるものや 溶液の冷却によるものといった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社リコーや日本碍子株式会社、豊田合成株式会社が豊富な実績を残しており、 公益財団法人神奈川科学技術アカデミーなどは、 光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析やこのサブクラスの他のいずれのグループにも包含されない細部といった分野も含め、 昭和電工株式会社やスタンレー電気株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】工程を複雑化させることなく、また、高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】本発明の結晶成長装置は、反応容器101内で、少なくともIII族金属を含む融液102と、フラックスと、窒素原料とから、III族窒化物結晶を成長させるものであって、III族窒化物の種結晶103を保持する種...

    結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶

  2. 【課題】GaN等のIII 族元素の窒化物結晶、特に、これまで得られていなかった大型のバルク結晶を容易に成長させることができるようにする。【解決手段】本窒化物結晶の成長方法は、シリンダー7内に窒化物結晶粉末(原料6)と液体封止材5を収容し、ピストン3で加圧しながら加熱する工程を含む。GaN結晶の成長方法としては、フラックスとGaN結晶粉末とを加圧下で加熱し、GaNをフラ...

    窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法

  3. 【課題】結晶成長条件と結晶形態、結晶成長の有無の関係を明らかにし、実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とする。【解決手段】領域Aは、GaN結晶が成長しない領域である。また、領域Bは、種結晶のみにGaN結晶が支配的に結晶成長する領域である。また、領域Cは、柱状のGaN結晶が支配的に結晶成長する領域である。また、領域Dは、板状のGaN結晶が支配的に結晶成...

    III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

  4. 【課題】 余分な核発生を抑え、大型かつ高品質のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 アルカリ金属を含む融液3中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物の結晶成長中にアルカリ金属とIII族金属の混合融液3を攪拌する工程を有している。

    III族窒化物の結晶成長方法及び結晶成長装置

  5. 【課題】高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】この結晶成長装置は、少なくともフラックス(例えば、金属NaあるいはNaを含む化合物)とIII族金属(例えば、Ga(ガリウム))と窒素あるいは窒素を含む...

    III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス

新着の技術

溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】 溶液法によりSiC単結晶を製造する方法として、結晶成長速度をより高速にすることが可能なSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るSiC単結晶の製造方法は、カーボンからなるるつぼを使用し、溶液法によりSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法であって、前記るつぼに、Siと、融液中にカーボンが溶解することを促進させる溶解促進材であるCr...

    SiC単結晶の製造方法

  2. 【課題】製造コストや設備費を低減することができるダイヤモンド合成方法およびダイヤモンド合成装置を提供する。【解決手段】収納容器11が、炭素数が2以上の水溶性有機酸の水溶液を収納している。温度圧力調整手段12が、収納容器11の内部を、収納された水溶液の亜臨界状態に調整可能に設けられている。電気分解手段13が、陰極31と、表面にダイヤモンド種結晶が付着された陽極32とを有...

    ダイヤモンド合成方法およびダイヤモンド合成装置

  3. 【課題】本発明によれば、低コストで、面内方位の分散が小さい、高品質の金属酸化物等の金属化合物結晶性膜を提供する。【解決手段】面内に異方性を有し、かつ表面が非晶質である基板上の金属化合物結晶性膜であって;化合物が酸化物または窒化物であり;かつ面内結晶方位の分散が30度以下の擬単結晶であることを特徴とする金属化合物結晶性膜。

    金属化合物結晶性膜およびその製造方法

  4. 【課題】成長する結晶の品質を向上させることができる結晶製造装置を提供する。【解決手段】種結晶3の下面に溶液6から結晶2を成長させる結晶製造装置であって、上側に開口している、溶液6を保持する凹部を有した坩堝5と、坩堝5の凹部の開口を蓋っているとともに、上下方向に貫通した貫通孔911を有した、凹部内を保温する保温部材91,92と、保温部材91の貫通孔911を経由して、先端...

    結晶製造装置および結晶の製造方法

  5. 【課題】融液から希土類セスキ硫化物の結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】(a1)希土類セスキ硫化物(希土類は、Y、Sc、及び、ランタノイドの希土類群(以下、Ln)の1種)と硫化スズとの混合物、(a2)複数の希土類(前記Lnの2種以上)を含む希土類セスキ硫化物と硫化スズとの混合物、又は、(a3)希土類セスキ硫化物と一硫化スズを生成するための化学量論量の希土類元素...

    希土類セスキ硫化物の結晶成長方法

溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長の詳細カテゴリ一覧

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その他の分野

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