単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理 に関する技術一覧

「単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理」に関する技術の関連情報です。 「単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理」 の関連技術、「固相状態の拡散物質と接触させるもの」「液相状態の拡散物質と接触させるもの」 など、その他「単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理」の分野ページはこちら

単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理に所属する技術動向

単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理の分野に属する技術の状況としては、2013年に1件、2014年に1件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理の分野においては特に近年液相状態の拡散物質と接触させるものの分野における動向が活発であり、他にも固相状態の拡散物質と接触させるものや ガス状態の拡散物質と接触させるものといった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては信越化学工業株式会社や株式会社SUMCO、株式会社豊田中央研究所が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置や燃料電池,その製造といった分野も含め、 株式会社SUMCOといった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】窒化物系の半導体デバイスを低コストで製造可能な半導体基板を提供すること。【解決手段】第1の基板20上に設けられた窒化物系半導体結晶10に水素イオンを注入して、低転位密度領域12内に水素イオン注入層13を形成する。窒化物系半導体結晶10と第2の基板30とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層13に沿って窒化物系半導体結晶10の低転位密度領...

    半導体基板の製造方法

  2. 【課題】シリコンの使用量が少なくかつ一定の光電変換効率を有する薄膜太陽電池を安価に製造し得る方法を提供すること。【解決手段】単結晶もしくは粒径が著しく大なる多結晶のインゴットあるいはウェハからなるSi基板1に水素(H)イオン2の注入を行い、その上に第2の基板3を接着し、さらに適度な熱処理を施すことにより、Hイオンの注入部位においてSi基板1より所望の厚さの薄膜Si結晶...

    薄膜太陽電池の製造方法

  3. 【課題】新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥を閉塞させるのではなく、炭化珪素単結晶基板に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。【解決手段】基板結晶(炭化珪素単結晶)1の表面において開口するマイクロパイプ欠陥の少なくとも一方を被覆材料5で被覆する。そして、熱処理を施し、マイクロパイプ欠陥中が炭化珪素蒸気種で飽和状態になるようにする。これにより、...

    炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶

  4. 【課題】半導体材料、特に窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を品質的に高価に成長させることができる半導体層構造並びに半導体層構造の経済的な製造方法を提供する。【解決手段】半導体層構造の製造方法において、炭素イオンをシリコンウェハの規定の深さに注入し、次いで該シリコンウェハを熱処理し、それにより該シリコンウェハ中に埋め込まれた単結晶炭化ケイ素層が形成し、そしてその...

    半導体層構造並びに半導体層構造の製造方法

  5. 【課題】高品質の半導体基板を経済的に製造する。【解決手段】CZ法又はFZ法により育成された単結晶インゴット10から複数のブロック11,11・・を切り出す。各ブロック11を、外周面に複数の環状凸部12,12・・が形成された特殊形状のブロック14に加工する。各環状凸部12は、面取り加工を受けた単結晶ウエーハの周縁部に対応する。ブロック14をエッチングして、外周面の加工歪層...

    半導体基板の製造方法、外面加工装置及び単結晶インゴット

新着の技術

単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】本発明は、Aが、Li、Na、K、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc、Ag、Tlから選択される少なくとも1つの元素からなり、かつBが、Nb、Ta、Sb、Ti、Zr、Sn、Ru、Fe、V、Sc、C、Ga、Al、Si、Mn、Zr、Tlから選択される少なくとも1つの元素からなる、組成...

    層を製造するための方法

  2. 【課題】III族窒化物半導体において品質の高いp型領域を形成することができる技術を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体基板の製造方法は、III族窒化物半導体基板の第1領域にIII族元素空孔を導入する第1導入工程を備える。製造方法は、第1領域と少なくとも一部が接触する第2領域に、アクセプタ元素を導入する第2導入工程を備える。製造方法は、第2領域のアクセプタ元素を活...

    III族窒化物半導体装置およびIII族窒化物半導体基板の製造方法

  3. 【課題】ドーピングを行う結晶の組成、導電型等に関わらず、安全かつ容易であって、制御性に優れたp型ZnO系結晶を得るドーピング方法を提供する。【解決手段】I族元素を構成元素として含有する炭酸塩を拡散剤とし、拡散剤の水溶液をZnO系結晶上に塗布し、乾燥によって固着させる工程S11と、拡散剤が固着されたZnO系結晶上にカバープレートを載置して拡散剤を覆う工程S12と、拡散剤...

    酸化亜鉛(ZnO)系結晶のドーピング方法

  4. 【課題】従来の方法では製造の困難であった機能材料も製造することの可能な機能材料の製造方法で用いられる高重力場発生装置用ロータを提供する。【解決手段】高重力場発生装置用ロータは、一の軸と直交する面内においてその軸を中心として点対称の形状となっている。高重力場発生装置用ロータは、その軸との関係で平行または所定の角度だけ傾いた平坦面を複数有する側面によって囲まれた内部空間を...

    高重力場発生装置用ロータ

    • 公開日:2013/02/14
    • 出願人: 真下茂 、...
    • 発明者: 真下茂 、...
    • 公開番号:2013-032284号
    • 公開日:2013/02/14
    • 出願人: 真下茂 、...
    • 発明者: 真下茂 、...
    • 公開番号:2013-032284号
  5. 【課題】欠陥密度を十分に低減したII−VI族化合物半導体単結晶を得ることのできるエピタキシャル単結晶製造方法およびその製造方法により製造された十分に低欠陥密度の化合物半導体単結晶を提供することを課題とする。【解決手段】周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体のエピタキシャル単結晶製造方法において、ホウ素(B)を不純物としてドーピングするよ...

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