共晶物質の一方向固化 に関する技術一覧

「共晶物質の一方向固化」に関する技術の関連情報です。 「共晶物質の一方向固化」 の関連技術、「通常の鋳造または温度勾配凝固によるもの」「ゾーンメルティングによるもの」 など、その他「共晶物質の一方向固化」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「共晶物質の一方向固化」の分野ページはこちら

共晶物質の一方向固化に所属する技術動向

共晶物質の一方向固化の分野に属する技術の状況としては、1996年に1件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、共晶物質の一方向固化の分野においては特に近年融液からの引出しによるものの分野における動向が活発であり、他にもゾーンメルティングによるものや 通常の鋳造または温度勾配凝固によるものといった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしてはエーエックスティー,インコーポレイテッドや三菱マテリアル株式会社、株式会社日立製作所が豊富な実績を残しており、 東北電力株式会社などは、 交流幹線または交流配電網のための回路装置や電気ケーブル,電線の据え付け,保守,修理または取り外しのために特に用いられる方法または装置といった分野も含め、 株式会社日立製作所といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

共晶物質の一方向固化』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】研磨されない半導体ディスクの表面品質を改善し、その上に製造される素子の、より小さな線幅を可能にする。【解決手段】研磨されない半導体ディスクを製造する方法が以下のステップ、すなわち:(a)半導体材料から単結晶を成長させ、(b)該単結晶を円筒研削し、(c)該単結晶から半導体ディスクを切断し、(d)該半導体ディスクのエッジを丸み付けし、(e)該半導体ディスクの少なく...

  2. 【課題】高品質で結晶学的に優れる半導体多結晶インゴットを製造する。【解決手段】密閉容器1内を、半導体に対して不活性な雰囲気に保つ。るつぼ9内に半導体材料17を装入し、半導体材料17を誘導加熱コイル5によって加熱融解させる。るつぼ9の底部から熱を奪いながら凝固させ、多結晶半導体を製造する。下方から上方に向う一方向の凝固工程で、半導体材料17の凝固速度が一定となるように、...

    多結晶半導体の製造方法および製造装置

  3. 【課題】一方向凝固で形成する多結晶半導体インゴットの歪みを軽減し、品質を向上させる。【解決手段】シリコン半導体材料15は、二重構造のるつぼ1および内側るつぼ2内に装入されて、誘導加熱コイル7によって加熱する発熱体8からの輻射熱で上方から加熱され、融解する。るつぼ1の底部は、冷却槽13からの冷却水で冷却される支持台4に乗載される。内側るつぼ2内で溶融して、底部から凝固が...

    多結晶半導体インゴットの製造方法および装置

  4. 【課題】部材、特にアルミニウム−酸素網状組織によって結合された状態のレンズシステムなどの光学部材を低温で接合する方法を提供する。【解決手段】2つの部材を、アルミン酸塩含有溶液を使用して接合し、前記アルミン酸塩溶液の成分を、接合された部材の表面の間で反応させる接合方法であり、好ましくは、水酸化ナトリウム等の塩基によって安定化されたテトラヒドロキシ・アルミン酸含有溶液を使...

    部材の低温接合方法およびその方法によって生産された製品

新着の技術

共晶物質の一方向固化』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】短時間の微小重力環境を利用することで簡単に単結晶を合成する方法を提供すること。【解決手段】短時間微小重力環境下において、金属、半金属又は半導体の過冷却状態にある溶融液を少なくとも100℃/秒の降温速度で急速冷却することで一方向凝固させることを特徴とする単結晶材料の合成方法。

    微小重力環境下での過冷却凝固を利用した単結晶材料の合成方法

  2. 【課題】結晶内での組成が実質的に均一であるKTP固溶体単結晶及びその製造方法の提供。【解決手段】KTiOPO4 のK、Ti及びPの少なくとも1種の元素の一部又は全部を少なくとも1種の他の元素で置換した固溶体の単結晶の製造方法であって、固溶体析出用溶液の温度を実質的に一定に維持し、前記固溶体析出用溶液の組成を前記温度において目的とする固溶体を析出する実質的に一定の組成に...

    KTP固溶体単結晶及びその製造方法

共晶物質の一方向固化の詳細カテゴリ一覧

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その他の分野

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