成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長,例.ナッケン—キロポロス法 に関する技術一覧

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  1. 【課題】目的の1つとして、種結晶を坩堝内の原料融液の表面に直接接触させる結晶育成法により、品質に優れたGa2O3系単結晶を育成することができる、Ga2O3系単結晶の育成方法、及びその育成方法に用いられる坩堝を提供する。【解決手段】一実施の形態として、種結晶を坩堝内の原料融液の表面に直接接触させる結晶育成法による、Ga2O3系単結晶の育成に用いられる坩堝であって、種結晶...

    Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝

  2. 【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する【解決手段】成長結晶19の組成と同一組成の原料棒21を、炉内に設置されたるつぼ11内の原料溶融体18の表面に接触させ、原料棒21と原料溶融体18との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶19の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒21から補充原...

    結晶成長方法

  3. 【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。【解決手段】 坩堝10は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝10は、収容体11と、中空体12とを含む。収容体11は、開口を有し、原材料を収容する。中空体12は、収容体11の内に収容され、収容体11の開口側に向かって径が小さくなっている。

    坩堝および単結晶育成装置

  4. 【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。【解決手段】 結晶成長を開始させるための種結晶体116の原料溶融液104への接触に先立ち、種結晶体を降下させてその下端部を原料溶...

    種結晶を用いる融液凝固法によるフッ化金属単結晶体の製造方法

  5. 【課題】結晶成長時に種結晶に加わる応力を緩和すると共に、種結晶、成長結晶、及びルツボの破損を防止して、低欠陥密度の半導体単結晶を再現性よく製造することのできる半導体結晶成長方法及び半導体結晶成長装置を提供する。【解決手段】半導体融液32を収容したルツボ20内の半導体融液32の表面に、ルツボ20又はルツボ20に設置される支持部材により支持されている種結晶30を接触させた...

    半導体結晶成長方法及び半導体結晶成長装置

  6. 【課題】単結晶内にある小傾角粒界を低減し、気泡を低減させたサファイア単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア単結晶の育成軸をC軸([0001]の向き)から0.1〜15度の範囲内で傾けて単結晶サファイアを育成するサファイア単結晶の製造方法。ここで、サファイア単結晶は、引上げ法又はキロプロス法により製造され、傾ける向きは、a軸の向き、m軸の向き、又はa軸の向きと...

    サファイア単結晶の製造方法

  7. 【課題】円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るLEC法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。【解決手段】円筒形ヒータ5の内周Yに対するスリット幅合計長さXの比率X/Yを上記0.1≦(X/Y)<0.2の範囲に、最適には、ほぼ(X/Y)=0.15に設定する。

    化合物半導体単結晶成長装置

  8. 【課題】成長結晶中の転位密度を減少させるとともに種結晶からの応力をなくすことにより結晶性に優れた単結晶を得られるようにした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】表面を耐火性カバーで覆われた種結晶を液体封止剤で覆われた原料融液に浸漬し、原料融液の温度を徐々に低下させることにより単結晶の成長を行うLEK(液体封止カイロポーラス)法において、前記耐火性カバーの...

    化合物半導体単結晶の製造方法

  9. 【目的】結晶欠陥のない高品質単結晶が歩留り良く育成すること。また、これら高品質単結晶を非線形光学素子として用いるSHG素子の高効率化や安定動作化を図ること。【構成】融液の温度を低下させることにより融液表面に付けた結晶を種結晶とし融液下に単結晶を育成する単結晶育成方法において、種結晶と、融液内に沈める部分の種結晶の成形面または切断研磨面を育成結晶と少なくとも一部がほぼ相...

    単結晶育成方法およびリン酸チタン・カリウム単結晶とその類似化合物

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