固体またはゲルからの単結晶成長 に関する技術一覧

「固体またはゲルからの単結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「固体またはゲルからの単結晶成長」 の関連技術、「熱処理によるもの,例.歪焼鈍」「固相反応または多相拡散によるもの」 など、その他「固体またはゲルからの単結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「固体またはゲルからの単結晶成長」の分野ページはこちら

固体またはゲルからの単結晶成長に所属する技術動向

固体またはゲルからの単結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2015年に2件、2016年に1件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、固体またはゲルからの単結晶成長の分野においては特に近年成長中の圧力処理によるものの分野における動向が活発であり、他にも固相反応または多相拡散によるものや 熱処理によるもの,例.歪焼鈍といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては富士フイルム株式会社や日本碍子株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所が豊富な実績を残しており、 昭和電線ホールディングス株式会社などは、 ライトガイドや電気ケーブル,電線の据え付け,保守,修理または取り外しのために特に用いられる方法または装置といった分野も含め、 関西電力株式会社や公益財団法人国際超電導産業技術研究センターといった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

固体またはゲルからの単結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板11上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子20を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子20を含む非単結晶膜12を成膜し、この非単結晶膜12が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜12を加熱し、無機結晶粒子20の一部を結晶...

    無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス

  2. 【課題】本発明は、炭化珪素単結晶に関し、詳しくは炭化珪素種結晶上に二酸化珪素超微粒子および炭素超微粒子を供給して二酸化珪素を炭素により還元することにより製造される炭化珪素単結晶を提供する。【解決手段】炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶であって、不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された炭化珪素種結晶表面に向けて、二酸化珪素超微粒子および炭素超...

    炭化珪素単結晶

  3. 【課題】結晶の方位に依存する各種特性に優れた物質であって,特に結晶格子の異方性が小さい物質よりなる結晶配向セラミックス及び該結晶配向セラミックスを容易かつ安価に製造することができ,更にはバルク体を製造可能な,結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。【解決手段】ロットゲーリング法による結晶配向度が10%以上であり,等方性ペロブスカイト型構造を有し,更にBi,Sr,...

    結晶配向セラミックス及びその製造方法

  4. 【課題】例えば、高温構造部材の粉砕メヂィアなどに使用される炭化珪素、窒化珪素、窒化メタンなどの炭化物あるいは窒化物などの材料で、所要の球径の所要の組成や組織を有する金属及び金属系化合物の球状粉末の製造。【解決手段】金属又は金属系化合物の原料粉末を所定ガス雰囲気中で熱プラズマにより加熱溶融して球状化する方法、球状化した中間球状粉末を、所定ガス雰囲気中で加熱処理して、所要...

    金属及び金属系化合物の球状粉末とその製造方法

  5. 【課題】グラフェンシートを低コスト・大面積で、かつ再現性があるように製造できる方法を提供する。【解決手段】単結晶のグラファイト化金属触媒210をシート状に形成する工程と、前記単結晶のグラファイト化金属触媒210の表面に炭素系物質含有を塗布するか、あるいは、前記単結晶のグラファイト化金属触媒と炭素含有ガスとを接触させることにより、前記グラファイト化金属触媒に炭素系物質2...

    単結晶グラフェンシートおよびその製造方法

新着の技術

固体またはゲルからの単結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】単結晶シリコンまたは単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコンゲルマニウム上に、ほぼ完全に非晶質のシリコン膜またはゲルマニウム膜またはシリコンゲルマニウム膜を成膜することができる技術を提供する。【解決手段】被処理面として単結晶シリコンまたは単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコンゲルマニウムを有する被処理体を準備する第1工程と、被処理体の被処理面にハロゲン元素を吸着...

    シリコン膜またはゲルマニウム膜またはシリコンゲルマニウム膜を成膜する方法および装置

  2. 【課題】少なくとも一部が結晶質である無機材料を備える、有機材料の提供。【解決手段】多孔質相互浸透性網目構造と、多孔質相互浸透性網目構造の少なくとも一部分内に存在する無機材料34a,34bであって、無機材料が、少なくとも一部が結晶質である、無機材料と、を備える有機材料。複数の結晶質ナノ粒子22をさらに備える、有機材料。複数の結晶質ナノ粒子が、パターン状に配置されている、...

    低温薄膜結晶化方法およびその方法から作製された生成物

  3. 【課題】被処理体の凹部を充填する方法を提供する。【解決手段】一実施形態の方法では、凹部を画成する壁面に沿って実質的に不純物を含まない半導体材料の第1の薄膜が形成され、被処理体が容器の内側においてアニールされることにより凹部の底に向けて移動された第1の薄膜の半導体材料から半導体基板の結晶に応じたエピタキシャル領域が形成される。次いで凹部の壁面に残留している第1の薄膜がエ...

    凹部を充填する方法及び処理装置

  4. 【課題】ドーパント元素が固溶された酸化亜鉛単結晶体を効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】ドーパント元素が固溶された多結晶酸化亜鉛粒子又はその前駆体で構成される成形体若しくは焼結体12、及び/又は多結晶酸化亜鉛粒子又はその前駆体とドーパント元素を含む化合物との混合物で構成される成形体若しくは焼結体12と、単結晶体又は単結晶層が成膜された基板からなる種基板10とを...

    ドープされた酸化亜鉛単結晶体の製造方法

  5. 【課題】従来の固相成長法よりも容易に厚肉の単結晶体を製造することができ、原料融液を得ることが困難な組成系にも適用可能な、単結晶体の製造方法の提供。【解決手段】多結晶粒子で構成され且つ特定面に配向した配向成形体又は該配向成形体を焼成して得られた配向焼結体と、単結晶体又は単結晶層が成膜された基板からなる種基板とを用意する工程と、配向成形体又は配向焼結体と種基板とを密着させ...

    単結晶体の製造方法

固体またはゲルからの単結晶成長の詳細カテゴリ一覧

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