結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2019年に538件、2020年に482件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や工作機械,他に分類されない金属加工といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】マルチ引き上げなどの非常に長時間の単結晶引き上げ工程に耐えることができる石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラスルツボ1内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、石英ガラスルツボ1は、石英ガラスからなる有底円筒状のルツボ本体10と、チョクラルスキー法によるシ...

    シリコン単結晶の製造方法

  2. 【課題】結晶内における原子の拡散経路を効率的に探索することができる拡散経路の探索方法の提供。【解決手段】拡散経路探索に用いる結晶に含まれる、拡散原子以外の複数の原子を配置した初期構造を設定する初期構造設定工程と、初期構造に3次元の格子を設定し、格子の格子点に拡散原子を配置した構造について、分子動力学計算を実施する計算工程と、拡散原子を配置する格子点を変更し、分子動力学...

    拡散経路の探索方法

  3. 技術 積層体

    【課題】垂直磁気異方性を有する四重ペロブスカイト化合物の薄膜の提供にある。【解決手段】積層体10は、基板12と、基板12上に積層されたバッファ層14と、バッファ層14上に積層された薄膜16と、を備える。基板12は単結晶の化合物からなる。薄膜16は四重ペロブスカイト化合物からなる。バッファ層14の面内格子定数と薄膜16の面内格子定数との差が、薄膜16の面内格子定数の−4...

    積層体

  4. 【課題】高品位の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶ウェハの製造方法及び炭化珪素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】ガス成長法により製造された炭化珪素単結晶ウェハであって、ウェハに含まれる転位密度が3500個/cm2以下であり、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記KOHエッチピット密度の差が平均値の50%未満である。

    炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

  5. 【課題】高いキャリア濃度を達成しながら、低転位及び低抵抗のIII族窒化物基板を提供する。【解決手段】III族窒化物基板は、研磨された面内において、第1不純物濃度を示す第1領域と、第1不純物濃度よりも低い第2不純物濃度を示す第2領域と、を有し、第1領域の第1転位密度は、第2領域の第2転位密度よりも低い。

    III族窒化物基板

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