結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2016年に662件、2017年に762件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や冶金,鉄または非鉄合金,合金の処理または非鉄金属の処理といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】半導体基板本体2及びその上の機能層を分離する方法であって、半導体基板の上面にイオン注入を行い、イオン注入の深さは0.1〜100μmとし、イオン注入後、半導体基板1の上面で一つのイオンダメージ層3を生成するステップと、半導体基板1の上面に、機能層を製造するステップと、半導体基板1及びその上の機能層を分離するステップとを含む。前記半導体基板本体2及びその...

    半導体基板本体及びその上の機能層を分離する方法

    • 公開日:2018/10/18
    • 出願人: 胡兵
    • 発明者: 胡兵 、...
    • 公開番号:2018-530925号
    • 公開日:2018/10/18
    • 出願人: 胡兵
    • 発明者: 胡兵 、...
    • 公開番号:2018-530925号
  2. 【課題・解決手段】融液から結晶シートを引き出すための装置である。該装置は、前記融液を含むように構成され、ダム構造を有する、るつぼであって、前記融液は、前記ダム構造の頂部により画定されるレベルを有する露出面を備える、るつぼを含んでもよい。前記装置は、該るつぼ内部に配置され、上面を有する、支持装置であって、前記結晶シートが前記支持装置の上を引き出されるときに、前記結晶シー...

    融液から結晶シートを形成するための装置

  3. 【課題】ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドおよび当該単結晶ダイヤモンドを備えるダイヤモンド工具を提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンド10は、表面10aを有する。単結晶ダイヤモンド10では、単結晶ダイヤモンド10の透過率が最大である部分および当該透過率が最小である部分を含み、1辺の長さが0.2mmである複数の正方形領域20aが連続した測...

    単結晶ダイヤモンドおよびダイヤモンド工具

  4. 【課題】横方向結晶成長を用いた厚膜ダイヤモンド単結晶基板の気相成長に際し、凸部の高さを延長することにより気相成長中の反りによる応力を無くしつつ、連続して長時間の厚膜成長を行うことが可能なダイヤ単結晶基板を提供する。【解決手段】ダイヤモンド単結晶からなるランダムマイクロニードルの底面側をNiで連結することにより、気相成長中にニードルを延長し、吸収可能な応力を増加すると共...

    ダイヤ単結晶基板

  5. 【課題】炭化珪素のエピタキシャル成長時に生成する積層欠陥を、例えばハロゲンを含むような特殊な原料ガスを使用することなく、効果的に低減させてエピタキシャルSiCウェハを製造することができる方法を提供する。【解決手段】炭化水素原料ガス、珪素原料ガス、及びドーピングガスを供給して、熱CVD法により、反応容器内の炭化珪素単結晶基板のシリコン面上にドーピングされた炭化珪素単結晶...

    炭化珪素のエピタキシャル成長方法

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