結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2015年に633件、2016年に659件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や工作機械,他に分類されない金属加工といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】有機ケイ素化学、ポリマー由来のセラミック材料および方法。そのような材料および、3ナイン、4ナイン、6ナインの純度を有するポリシロカルブ(SiOC)および炭化ケイ素(SiC)材料の製造方法。以下を含む炭化ケイ素の製造方法が提供される:シリコン、炭素および酸素を含み、溶剤を含まない液体を提供すること;該液体を硬化して、シリコン、炭素および酸素から本質的に...

    ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置

  2. 【課題・解決手段】ポリシリコンチップ回収アセンブリは、複数のポリシリコン体を洗浄するように構成された、ポリシリコン洗浄装置を含む。洗浄中に、ポリシリコン体から生成される複数のポリシリコンチップが含まれ、複数のポリシリコンチップそれぞれは、0.1mm〜25.0mmの最長寸法長さを有する。ポリシリコン洗浄装置から主要チップドレインラインへと複数のポリシリコンチップを導くよ...

    ポリシリコンチップ回収アセンブリ、及びポリシリコン洗浄装置からポリシリコンチップを回収する方法

  3. 【課題】大径化のニーズに対応しつつ、良質な窒化物結晶基板を得ることを可能にする。【解決手段】直径が100mm以上の窒化物結晶からなる窒化物結晶基板であって、主面に、連続する高転位密度領域と、高転位密度領域によって区分けされる複数の低転位密度領域と、を有するとともに、主面は極性反転区を含まないものとする。

    窒化物結晶基板

  4. 【課題】半導体デバイスの分野で使用するのに好適な、転位の少ない、すなわち転位密度の小さい窒化アルミニウム単結晶を安定して製造する為の種結晶、及び窒化アルミニウム単結晶の製造方法の提供。【解決手段】窒化アルミニウムの単結晶を成長させるための種結晶4であって、種結晶4の少なくとも一面の表面粗さRaが10nm以下、好ましくは2nm以下、特に好ましくは1nm以下である窒化アル...

    窒化アルミニウム単結晶製造用種結晶、および窒化アルミニウム単結晶の製造方法

  5. 【課題】表面の平坦性の高いGaSb層が形成された半導体結晶基板を提供する。【解決手段】GaSbまたはInAsを含む材料により形成された結晶基板と、前記結晶基板の上に、GaSbを含む材料により形成されたp型導電性の第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に、GaSbを含む材料により形成されたn型導電性の第2のバッファ層と、を有することを特徴とする半導体結晶基板により...

    半導体結晶基板、赤外線検出装置、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法

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