結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2017年に765件、2018年に618件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や工作機械,他に分類されない金属加工といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】本発明は、少なくとも175mmの直径および50mm〜1000mmの範囲の軸方向長さを有するリンドープシリコン単結晶であって、横断面内の前記リンドープシリコン単結晶は、リンドープシリコンインゴットから切り出されたウエハーについて、5Ωcm〜2000Ωcmの範囲で目標抵抗率を提供するドーパント原子の密度を有し、前記抵抗率を800℃〜1300℃の範囲の温度...

    リンドープシリコン単結晶

  2. 【課題】チューブ状のアパタイト結晶を有する新たな複合材料を提供する。【解決手段】複合材料は、チューブ状のアパタイト結晶と、アパタイト結晶のチューブ内に収容され、該アパタイト結晶と異なる物性の材料で構成された機能部と、を有する。アパタイト結晶は、一般式がM25(PO4)3X(M2は2価のアルカリ土類金属及びEuからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、Xはハロゲン元素...

    複合材料および複合材料の製造方法

  3. 【課題】昇華再結晶法に使用したとき、炭化ケイ素粉末が詰まりづらく、単結晶の成長に伴う、昇華速度の低下の割合が緩やかになる炭化ケイ素粉末を提供する。【解決手段】AlおよびCaを含む炭化ケイ素粉末であって、前記Alは、1ppm以上200ppm以下含まれ、前記Caは、前記Alに対して、Al:Ca=38:62〜60:40のモル比で含まれる。このような濃度およびモル比でAlおよ...

    炭化ケイ素粉末

  4. 【課題】パルスレーザー等の光を照射することにより、入射光の位相を変調させることができるフォトリフラクティブ光変調材料を提供する。【解決手段】フォトリフラクティブ光変調材料は、ハロゲン化金属ペロブスカイト化合物からなる。

    光変調材料

  5. 【課題】高濃度にボロンを添加したシリコン単結晶において、OSFを顕在化させて良好に評価することのできるシリコン単結晶のOSF評価方法を提供すること。【解決手段】ボロンをドーパントとして含み、抵抗率10mΩcm以上、50mΩcm以下のシリコン単結晶から切り出した試料を用いてOSFの評価を行うシリコン単結晶のOSF評価方法は、試料を、600℃以上、700℃以下の温度で、2...

    シリコン単結晶のOSF評価方法、エピタキシャルウェーハの検査方法、およびシリコン単結晶の製造方法

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その他の分野

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