結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2017年に467件、2018年に436件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や工作機械,他に分類されない金属加工といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】従来の炭化珪素エピタキシャルウェハよりも反り量が小さい炭化珪素エピタキシャルウェハを提供することである。【解決手段】本発明の炭化珪素エピタキシャルウェハ10は、炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1の第1主面1Aに設けられ、100μm以上の膜厚を有する炭化珪素層2と、を備える炭化珪素エピタキシャルウェハであって、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量が−20μm以上、...

    炭化珪素エピタキシャルウェハ及びその製造方法

  2. 【課題】結晶欠陥がより低減された窒化ガリウムの単結晶膜、それを含む半導体基板、及び窒化ガリウム単結晶の製造方法の提供。【解決手段】サファイア基板20と、結晶方向がランダムな窒化ガリウムで構成され、サファイア基板の上に設けられた中間層11と、窒化ガリウム単結晶で構成され、中間層の上に少なくとも1層以上設けられた半導体層10とを備える半導体基板1。また、窒化ガリウム単結晶...

    半導体基板、窒化ガリウム単結晶及び窒化ガリウム単結晶の製造方法

  3. 【課題】GaN基板上にHVPEによりGaN層を成長させることで得られる新規なGaN積層体を提供する。【解決手段】GaN積層体は、GaN単結晶で構成され、主面に対して最も近い低指数の結晶面がc面であるGaN基板と、GaN基板の前記主面上にエピタキシャル成長され、10μm以上の厚さを有するGaN層と、を有し、GaN層の表面は、GaNの複数分子層以上の高さを有し所定方向に延...

    GaN積層体およびその製造方法

  4. 【課題】融液内への大きな被処理物の投入時に融液が飛び散ることを抑制することができる被処理物投入装置を提供する。【解決手段】溶融るつぼ21を内部に有する処理装置2に対し、被処理物を外部から投入する被処理物投入装置1であって、被処理物を収容可能な被処理物収容部11と、被処理物収容部に収容された被処理物を処理装置側へ搬送する搬送部12と、搬送部12で搬送される被処理物を処理...

    被処理物投入装置

  5. 【課題】融液内への被処理物の投入時に融液が飛び散ることを抑制することができる被処理物投入装置を提供する。【解決手段】溶融るつぼ21を内部に有する処理装置2に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置1であって、被処理物を一時的に収容可能な被処理物収容部11と、被処理物収容部11に収容された被処理物を処理装置側へ搬送する搬送部12と、搬送部12で搬送される被...

    被処理物投入装置

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その他の分野

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