結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2016年に662件、2017年に762件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や工作機械,他に分類されない金属加工といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】グラフェンベースの層転写(GBLT)技法が開示される。この手法では、III−V半導体、Si、Ge、III−N半導体、SiC、SiGe、またはII−VI半導体を含むデバイス層がグラフェン層上に作製され、それが次に基板上に配置される。グラフェン層または基板は、デバイス層と格子整合して、デバイス層における欠陥を低減させることができる。作製されたデバイス層は...

    グラフェンベースの層転写のためのシステム及び方法

  2. 【課題】支持基板に対してレーザ光を照射して13族元素窒化物層を分離するのに際して、複合基板を基台に対して接合したり、基台から分離する工程を不要とし、分離の際の窒化物層のクラックを抑制する。【解決手段】支持基板2Aと、支持基板2A上に設けられた窒化物層3Aとを備え、反りを有する複合基板1Aを、基台5とレーザ光透過性板7との間に挟む。レーザ光透過性板7側に支持基板2Aを配...

    13族元素窒化物層の分離方法

  3. 【課題】 樹脂に対する親和性に優れるスピネル粒子を提供する。【解決手段】 マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子と、モリブデン原子と、を含む、スピネル粒子の製造方法であって、マグネシウム化合物およびアルミニウム化合物を、モリブデン原子および添加原子含有化合物の存在下で焼成して焼成体を得る焼成工程と、前記焼成体を冷却する冷却工程と、を含み、前記添加原子含...

    スピネル粒子の製造方法、スピネル粒子、並びに前記スピネル粒子を含む樹脂組成物および成形物

  4. 【課題】炭素濃度の均一性に優れた半導体ウェハの製造を可能とすることを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体ウェハを、その表面から深さ方向への距離が5μm以下の何れかの位置における炭素濃度が飽和に達するように、炭素含有ガスを含んだ雰囲気中で熱処理することを含み、炭素含有ガスを含んだ雰囲気中での熱処理は1080乃至1220℃の範囲内の温度で行う半導体ウェハの製造方法を提供する。

    半導体ウェハの製造方法及び半導体ウェハ

  5. 【課題】HMCZ法によるシリコン単結晶の製造方法において、シリコン単結晶の外周部の酸素濃度の低下を抑え、これにより酸素濃度の面内分布の均一性を高める。【解決手段】石英ルツボ11の周囲に配置されたヒーター15を用いて石英ルツボ11内のシリコン融液2を加熱し、且つ、シリコン融液2に横磁場を印加しながら、シリコン融液2からシリコン単結晶3を引き上げるチョクラルスキー法による...

    シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶

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