結晶成長 に関する技術一覧

「結晶成長」に関する技術の関連情報です。 「結晶成長」 の関連技術、「単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置」 など、その他「結晶成長」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「結晶成長」の分野ページはこちら

結晶成長に所属する技術動向

結晶成長の分野に属する技術の状況としては、2017年に765件、2018年に618件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、結晶成長の分野においては特に近年単結晶成長,共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出,物質のゾーンメルティングによる精製,特定構造を有する均質多結晶物質の製造,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質,単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理,そのための装置の分野における動向が活発です。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社SUMCOや住友電気工業株式会社、信越半導体株式会社が豊富な実績を残しており、 三菱マテリアル株式会社などは、 基本的電気素子や工作機械,他に分類されない金属加工といった分野も含め、 株式会社SUMCOや科学技術振興事業団といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】第一に、保護層を改質することにより、低電圧での良好な駆動を実現しつつ、「放電遅れ」及び「放電遅れの温度依存性」の両問題を解決する。また第二に、上記各課題の解決に加え、「放電遅れの空間電荷依存性」を抑制することにより、優れた表示性能の発揮が可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】純度99.95%以上のマグネシウムのアルコキシド(Mg(OR)2)又...

    プラズマディスプレイパネルとその製造方法

  2. 【課題】成長するIII−V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII−V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に...

    III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法

  3. 【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原...

    発光素子およびその製造方法

  4. 【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

    単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

  5. 【目的】全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(℃/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22m...

    シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

新着の技術

結晶成長』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】熱的安定性に優れる単結晶質ダイヤモンド粒子を提供する。単結晶質ダイヤモンド粒子は、立方晶窒化ホウ素粒子を含有する。好ましくは、立方晶窒化ホウ素粒子が立方晶窒化ホウ素粒子含有単結晶質ダイヤモンド粒子の内部及び/又は表面に存し、単結晶質ダイヤモンド粒子の平均粒子径が500μm以下であり、立方晶窒化ホウ素粒子の平均粒径は0.05〜100μmである。

    立方晶窒化ホウ素粒子含有単結晶質ダイヤモンド粒子、およびその製造方法

    • 公開日:2019/04/18
    • 出願人: 大島龍司 、...
    • 発明者: 大島龍司 、...
    • 公開番号:WO2018-185909号
    • 公開日:2019/04/18
    • 出願人: 大島龍司 、...
    • 発明者: 大島龍司 、...
    • 公開番号:WO2018-185909号
  2. 【課題・解決手段】横型CVD装置の横一列に並んだ複数の噴射孔(8)に対して主面が平行になるように炭化珪素基板(2)を配置する。複数の噴射孔(8)から原料ガスを供給して炭化珪素基板(2)の主面の上に炭化珪素エピタキシャル成長層(10)をエピタキシャル成長させる。複数の噴射孔(8)から供給される原料ガスは複数の系統ラインに分割され、それぞれ個別のマスフローコントローラー(...

    炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法

  3. 【課題】坩堝の底部に充填された原料粉体を高温で昇華させ、昇華した原料を、坩堝の上部に配置された種結晶上に再析出させる炭化珪素単結晶の製造方法において、異種ポリタイプの混入が抑制された炭化珪素単結晶を提供すること。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は、流動性指数が70以上100以下の炭化珪素原料を坩堝に充填する工程(S01)と、該炭化珪素原料を加熱することにより、該炭...

    炭化珪素単結晶の製造方法

  4. 【課題】多結晶の混入を抑制してSiC単結晶を成長させることができる溶液法によるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液にSiC種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、前記Si−C溶液として、Siと、Crと、Pr及びLaのうち少なくとも一種とを含み、前記Pr及び...

    SiC単結晶の製造方法

  5. 【課題】坩堝の温度分布の軸対称性を維持でき、かつ、坩堝を取り囲んで配置される耐火物筐体の寿命を向上できる単結晶育成装置を提供する。【解決手段】酸化物単結晶を育成する単結晶育成装置10は、単結晶原料18を収容する坩堝12と、先端に種結晶1が取り付けられ、坩堝12内を回転可能な状態で上下に移動する引上げ軸16と、坩堝12の外側に配置され坩堝12の誘導加熱を行うワークコイル...

    単結晶育成装置

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その他の分野

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